关键点是如何控制初级成核，减少二次成核，给更多的时间和平台让晶体生长。
方案：缓慢的降温速率，缓慢的滴加不良溶剂速率，加晶种
方案：接近（3-5℃）饱和曲线加晶种，加表面积大的晶种，进行陈化操作
降温析晶先慢后快，惰性溶剂析晶先慢后快，总是加晶种（控制初次成核） 合适的搅拌（不容易控制），避免局部过浓，减少二次成核 增加陈化或者热循环操作
实际经验分享
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曾经的一个经验项目
目标晶癖很难重现，反复研究，重现，观察，错过了一些信息，最后迟到的获得了目标晶癖，关键点是质子溶剂的使用
