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韩国警方于3日宣布，一名64岁的三星电子前工程师因涉嫌从三星挖角半导体核心技术人才，并向中国公司泄露关键的20纳米DRAM内存芯片技术，已被逮捕并送交首尔中央地方检察厅处理。
据韩联社报道，首尔警察厅产业技术安全侦查队指出，该前工程师以违反“职业安定法”的罪名被捕。他曾在成都高真公司担任顾问，并在韩国设立猎头公司，以高薪挖角三星的核心技术人才，旨在帮助中国复制DRAM工厂。该工厂在2022年4月成功投产，从完工到投产仅耗时1年3个月，远低于通常所需的4至5年。
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警方表示，此次技术外流的经济价值高达4.3万亿韩元（约30.4亿美元），考虑到相关经济效益，实际损失可能更为巨大。除了这名前工程师外，还有两名猎头公司代表及法人也因同样手法挖角韩国半导体人才而被移送法办。据称，这些猎头公司已成功挖角超过30名技术人员。
值得注意的是，尽管韩国国家关键技术外流，警方却只能根据刑责较轻的“职业安定法”进行逮捕，而非更为严厉的“产业技术保护法”。警方解释称，根据现行法规，以“挖角”方式外流技术的行为并不属于“产业技术保护法”的惩处范围，因此有必要对相关法律进行修订，以更有效地打击商业间谍行为。
此次技术泄露案中，共有21人被移送法办，其中包括前三星电子工程师。成都高真公司的创办人、三星电子前常务及SK海力士前副社长崔珍奭等人也已被捕，他们涉嫌违反“产业技术保护法”及“防止不正当竞争及商业秘密保护法”。
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