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本书适用于3D堆叠集成电路测试的从业人员。
本书系统地讨论了第三代半导体材料SiC和GaN的物理特性,以及功率应用中不同类型的器件结构,同时详细地讨论了SiC和GaN功率器件的设计、制造,以及智能功率集成中的技术细节。也讨论了宽禁带半导体功率器件的栅极驱动设计,以及SiC和GaN功率器件的应用。最后对宽禁带半导体功率器件的未来发展进行了展望。
本书适合从事第三代半导体SiC和GaN方面相关工作的工程师、科研人员和技术管理人员阅读
文字 | 吴美祎、宽禁带半导体技术创新联盟
图片 | 韩玲玲、宽禁带半导体技术创新联盟
责任编辑 | 翟天睿
审核人 | 付承桂