30个tips
移动终端； 高性能计算； 无人驾驶汽车； 物联网； 大数据（云计算）和实时数据（边缘计算）。
2）以下两种系统技术驱动端在促进五个应用快速发展：
AI
5G
3）先进封装技术种类包括：
2D 扇出型（先上晶）IC 集成；
2D 倒装芯片 IC 集成；
PoP（封装堆叠）；
SiP 或异质集成；
2D 扇出型（后上晶）IC 集成；
2.1D 倒装芯片 IC 集成；
含互连桥 2.1D 倒装芯片 IC 集成；
含互连桥 2.1D 扇出型 IC 集成；
2.3D 扇出型（先上晶）IC 集成；
2.3D 倒装芯片 IC 集成；
2.3D 扇出型（后上晶）IC 集成；
2.5D（C4 焊料凸点）IC 集成；
2.5D（C2 微凸点）IC 集成；
微凸点 3D IC 集成；
微凸点芯粒 3D IC 集成；
无凸点 3D IC 集成；
无凸点芯粒 3D IC 集成。
引线键合； SMT ； 有机基板倒装芯片回流； CoC、CoW、WoW 的热压键合以及混合键合。
5）超过 75% 的倒装芯片技术的应用都采用有机基板。
6）大多数倒装芯片工艺都是采用有机基板和 C4 凸点匹配毛细底部填充（capillary under-fill，CUF）进行批量回流。引脚数量可以高达 5000，焊盘节距可以小到 60μm（见图1）。
8）6 面模塑PLCSP在设计、材料、工艺、制备和可靠性上的可行性上。PLCSP的RDL制备过程是在一块放置了切割和未切割晶圆的508mm×508mm面板上进行的，面板的面积是一片12in晶圆的2.25倍，是一种十分高效的工艺方法。
9）PLCSP 的 RDL 制备全部采用 PCB 制备的工艺和设备，制备成本低。
10）在制作完 RDL 后，晶圆从面板上解键合。然后进行植球、从正面半切晶圆得到切割沟槽、晶圆正面层压 EMC、晶圆背面磨削露出切割沟槽、背面层压 EMC、等离子体刻蚀 EMC 露出焊球，之后将晶圆切割成单颗的 6 面模塑 PLCSP。
11）6 面模塑 PLCSP 的失效位置发生在外侧（靠近拐角处）的焊点。失效模式是在 PCB 和焊料界面位置产生裂纹。通过比较 6 面模塑 PLCSP 焊点和普通 PLCSP 焊点的寿命（前者 958 个循环，后者 330个循环），得出结论：在 1000 组试验中，会约有 999 组试验 6 面模塑 PLCSP 的平均寿命是普通PLCSP 的 2.9 倍。
12）构建了一种与温度、时间有关的非线性 3D 有限模型，研究得出在 6 面模塑 PLCSP 的PCB 组装中，最大累积蠕变应变发生在 PCB 和焊料的界面位置。因此所有的失效都应萌生于该位置，这得到了实际热循环试验结果的失效模式验证。
13）6 面模塑 PLCSP 中焊点的失效模式从原先芯片和焊料界面转变到了 PCB 和焊料界面，原因在于 6 面模塑 PLCSP 焊点上半部分受到了 EMC 模塑的保护。
14）6 面模塑 PLCSP 和普通 PLCSP 拐角焊点的累积蠕变应变最大值基本一致。但是，在 6面模塑 PLCSP 中，这些最大值单元体积仅占焊点整体的很小一部分；且 6 面模塑 PLCSP 焊点中大部分区域的累积蠕变应变值都小于普通 PLCSP 焊点。因此可以推断，6 面模塑 PLCSP 的热疲劳寿命要长于普通 PLCSP。
28）工艺微缩的 SoC 将继续存在。然而只有少数几家公司，如苹果、三星、华为、谷歌，能够负担起更小的特征尺寸（先进节点）。通常他们采用这种方式是有原因的，以苹果为例，至少有三个原因：
2008年4月23日，自苹果收购Palo Alto Semiconductor起，便一
直在用大量IP构建芯片，并且与其软件开发进行紧密耦合（集成）。 因为额外的芯片间互连和通信开销会带来更多的问题，将其 SoC 设
计分解为芯粒并非那么有吸引力。 世界排名第一的代工厂（台积电）是苹果的忠实合作伙伴，他们致力 于完成苹果的产品，例如，应用处理器（A16）计划于 2022 年下半年 采用台积电的 3nm 工艺技术制造。
38）随着工业4.0的发展，SMT的自动化程度越来越高，人工成本大幅降低，人均产量也随之提升。SMT的未来趋势将会朝着高度小型化、高性能、高可靠性、高效率及环境友好的方向发展。
39）超过 75% 的倒装芯片技术的应用都采用有机基板上的C4凸点批量回流技术。基于CUF的C2凸点的小压力TCB技术正在因薄型芯片和薄型有机基板的使用而更快地发展。
40）不超过 25% 的倒装芯片应用于硅对硅、面对面或面对背键合，以及极高性能和高密度场景。由于良率问题，WoW 被限制在两个晶圆之间的键合，CoW是主流技术。互连材料 / 结构主要采用C2凸点（通过 TCB），不过无凸点结构（通过混合键合）正在得到重视。
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