再来从器件的结构上进行对比，这里画了示意图，从下往上看。
再来看一下扫描电镜切片，可以看到IGBT目前最新的技术，比如说英飞凌的七代，都采用的是微沟槽结构，很容易实现静动态折中。碳化硅目前国内主流采用平面型结构，我们认为平面栅的碳化硅仍然有很大的潜力可以挖掘，像昨天张老师也讲到了，目前所有的产品都是一代。氮化镓HEMT器件横向结构始终是未来发展的一个长期方向，后面也会讲为什么不做垂直的氮化镓。
我们在这里把相关的静态参数进行了抓取，通过参数直接来说我们的结论。
首先来看阈值电压，阈值电压这一个参数就是开启电压，是非常重要的参数，如果太高会影响输出能力，如果太低会容易误导通。Si器件具有最高的阈值电压，GaN器件阈值电压最低。目前氮化镓HEMT器件在应用中面临最多的挑战。
另外，从导通电阻可以看到，对比了100度跟25度下的变化比例，氮化镓HEMT它的变化比例是非常大的，这也意味着在高温下氮化镓HEMT器件电流能力衰退是非常严重的。
再看一下栅极安全阈值范围，从参数上可以看出硅器件就是非常宽的范围，目前在硅器件实际生产过程中，采用的栅氧厚度是800Å以上，栅极正常的正负安全范围是超过60伏的，非常安全。但是氮化镓和碳化硅安全范围是非常狭窄的。
另外氮化镓器件没有体二极管，没有任何雪崩能力，也就是大家测氮化镓HEMT器件的时候，无法真实每一颗都测击穿电压，只能测一个高压漏电，不能像IGBT和碳化硅一样可以准确读出来击穿电压。
另外再看一下它的反向导通压降，目前我们从下面VFSD可以看到，IGBT的反向导通压降是非常低的，但是碳化硅跟氮化镓的反向导通压降是非常高的，这个参数对整个应用也带来了很多的困扰。
再来讲一下器件的电流，很多人经常会问你的器件电流是怎么测出来的，我们要告诉大家一点，器件规格书上的电流不是测出来的，是算出来的。从产品手册上我们可以看到这个标称电流是直流电流。在这里我们首先要提到一个功率器件的灵魂参数，那就是热阻，通过热阻可以干什么呢？
然后我们对整个器件的高温和低温的输出特性曲线进行了重新的提取，虚线的都是常温的，实线的是高温的。我们直接说我们的结论，IGBT在小电流范围内，相比于碳化硅MOSFET和氮化镓HEMT会有更高的压降。
IGBT的导通压降在它的小电流范围内，大概1/3标称电流以内它是一个负的温度系数，但在大电流范围内，IGBT导通压降呈现的是正温度系数。SIC MOSFET在小电流范围内高低温均比IGBT压降更低，在大电流范围内高低温均比IGBT压降更高，氮化镓HEMT的导通压降温度系数远高于另外两种器件。
刚才已经把静态参数，就是直流参数简单介绍了一下，我们再来看一下交流参数的对比，通过Datasheet没有办法直接对比交流参数，所以我们这里讲一下频率上限的计算，大家经常会问IGBT频率最高可以到多少？我们也是没法一两句话直接回答的。
我们来看一下频率上限的来源，刚才通过热阻可以计算最大允许耗散功率，但是刚才计算的时候，是在计算直流电流，所以我们通过最大允许耗散功率只是做了一个直流电流的计算。实际这三款功率器件实际工作中一定是工作在交流状态下，所以它的发热不是由直流功率决定的，而是由直流功率加上交流功率决定的。
在这里就列出了一个公式，以IGBT为例，真正的损耗就应该是𝐼𝐶 ∗ 𝑉𝐶𝐸 然后乘上占空比D再加上Eon与Eoff之和乘以频率f，这才是真正工况下总的功耗。MOSFET器件在开关损耗这里会额外叠加一个体二极管的反向恢复损耗Err。
从公式可以看出来，如果电流减少，直流损耗是降低的。同时，如果电流降低了，开关损耗Eon、Eoff和Err也是会降低的，那么如果电流降低了，从公式我们就能看到，总最大允许耗散功率不变的情况下，频率f就可以提高。这也是我们经常会开玩笑跟一些客户说，你只要舍得花钱，3300V的IGBT大电流器件，只要使用电流够小，也可以工作到100kHz。
另外同一款芯片，封装不同，散热不同，那它的最大允许耗散功率就不同，上限频率也是不一样的。
因为氮化镓和碳化硅器件都是单极型器件，开关损耗远低于IGBT器件，因此频率上限远远高于IGBT，同时HEMT没有反向恢复损耗，所以它的高频特性比碳化硅还要好。
刚才我们讲完了参数，现在回过头来从根上把材料和工艺讲一下。首先这里展示的是三种器件材料参数的对比，在这里可以看到氮化镓器件列了两种参数，一种是体材料参数，一种是二维电子气参数。氮化镓是非常具有发展潜力的，但氮化镓HEMT器件确实存在挑战。如果使用氮化镓体材料去做器件，就放弃了二维电子气优质的性能参数。甚至说体材料参数相比于SiC来说性能参数都没有什么质的提升，至少现阶段，氮化镓的垂直结构它的实际使用价值有待商榷。
另外氮化镓HEMT器件有非常好的抗辐射能力，本身SiC材料抗辐射能力有很大的提升，但SiC MOSFET所使用的栅极下面的绝缘层还是二氧化硅，所以它真正的电子抗辐射能力并没有大幅度的提升。目前氮化镓和碳化硅参数与理论值有很大的差异，像沟道迁移率、最高结温，目前与理论值仍然差异巨大。
我们再看一下材料到结构的变化，IGBT材料可以是FZ或者MCZ的单晶以及外延，主要是因为它的漂移区比较厚。碳化硅MOSFET是需要在一个高掺杂的衬底上来生长薄的外延漂移区。
但氮化镓HEMT就完全不一样了，以硅衬底为例，我们要在P型111晶向高掺杂衬底上，首先生长一层NL成核层，再生长一层SRL超晶格层，然后再生长一层C-doped碳掺杂层来提高击穿电压，然后再生长一层UID非掺杂层，在非掺杂层上面生长AlGaN层，铝组分一般是25%，在AlGaN层上再生长一层P-GaN层，来形成栅极，这是整个外延结构。大家可以看到氮化镓HEMT器件，材料比晶圆加工工艺更重要，晶圆工艺结构很简单，材料非常复杂。
我们再来对比整个芯片正面的加工工艺，栅极结构刚才已经讲过了，在这里要讲的一点，氮化镓栅极有的器件有一些浅凹槽结构，但是浅凹槽结构并没有改变电子流向，二维电子气始终是水平界面流动，所以仍然是平面栅。在终端结构方面，硅器件有各种复杂的结构终端，碳化硅目前以场环为主，主要是因为如果使用场板，需要用二氧化硅作为绝缘介质，二氧化硅的击穿场强跟碳化硅的临界击穿场强是同一数量级，所以它使用场板是非常危险的，现在主要以场环为主。氮化镓HEMT的器件不能形成很好的有效掺杂，不能形成场环，所以主要是以场板为主。
在离子注入方面，IGBT采用的是普通的离子注入，碳化硅使用的是500度左右的高温离子注入。氮化镓HEMT功能区基本上不需要注入，注入主要是形成一些隔离。
在杂质激活和扩散方面，硅器件最高可以使用到1300度，而且在高温时候一定伴随着扩散，因为在很低的温度下扩散系数已经很高了。碳化硅器件目前激活使用的温度是1700度以上，在激活的同时几乎没有扩散，真正实现有效的扩散系数需要在2000度以上。
从正面金属来讲，IGBT和碳化硅都采用的是单层金属，单层金属不一定是一种金属，可能是多种金属叠层也有可能，但是多种金属之间没有介质隔离。目前氮化镓HEMT多采用多层金属，要重新对正面的三个电极进行重新的布局布线。
工艺成熟度方面，硅肯定很成熟了，碳化硅在栅氧工艺、沟道迁移率、沟道宽度控制方面还有很多Know How，各家有各家自己的Know How。氮化镓HEMT器件我们认为整个外延决定了整个器件70%的性能，如果一个公司说自己是氮化镓的IDM，如果他自己不长外延，我们不认为他是一个IDM。
在这里可以看到可靠性测试方法，IGBT是比较成熟的，碳化硅是新的测试方法不断地在涌现，但氮化镓的发展相对比较缓慢。在失效机理方面，硅比较成熟，碳化硅和硅有相似性，但这种特殊的材料以及材料中存在的缺陷，带来了自己的差异性。氮化镓HEMT器件和硅的差异性非常大，另外它的主要失效不在于寿命可靠性失效，而是在于整个应用生态不成熟带来的应用端的失效。车规的要求目前都在借鉴硅器件的标准。
第一个是电机控制器的对比，目前电机主要有永磁同步电机、异步电机、磁阻电机这几种电机。整个电机控制器行业目前使用最广泛的还是IGBT，这个是毋庸置疑的，碳化硅器件在高转速、高功率密度的高端应用场景下，表现出无可比拟的应用优势。
硅和碳化硅开关速度比较快，会带来比较敏感的参数，就是应用中比较关心的dV/dt的问题。大的dv/dt会导致绕组绝缘容易出现短路，另外因为趋肤效应带来的化学电腐蚀问题极易对传统的轴承造成极大的损伤，严重降低轴承使用寿命，针对这个问题需要采用陶瓷轴承等更加昂贵的材料来解决。另外大的dV/dt会带来大的电缆反射效应，在使用的过程中需要额外增加滤波器来解决这个问题。对于整个应用来讲，第三代半导体也是很大的挑战，在应用中需要做很多的改变，从材料到结构都需要做很多的改变来适应它。
另外看一下短路保护能力，短路保护是在电机中一定要有的，IGBT器件可以很轻松的获得5微秒（μs）以上的短路，在碳化硅是可以实现大于3μs。
但是，氮化镓器件主流的短路能力仍然低于500ns，这对于目前的应用生态下实现短路保护是非常困难的，短期内氮化镓器件在电机控制应用领域不具备现实的大量应用的价值。目前也可以看到很多提高氮化镓器件短路能力的技术在不断涌现，比如Transphorm公司提出的SCCL技术，国内北京大学也有团队在研究相关方向，这些技术本质上的思路，就是牺牲输出能力来置换高的短路时间，但是这种置换对于整个行业中是否具有实用价值？把短路电流峰值降低到标称电流2倍以内，这个器件还能使用吗？如果单纯为了上车而上车，我们认为不是这个器件发展的一个正确方向。
在轻载状态下IGBT的损耗是比较大的，因为它小电流下压降比较其他器件高，但是在反向工作损耗的时候，比如汽车在下坡，一个电能回馈的时候，从一个电动机变成一个发电机，这个时候需要用体二极管特性的时候，IGBT器件就会体现出它的优势。
我们再看一下光伏逆变器，主要分为户用、工商用以及地面电站，目前IGBT是光伏里使用更广泛，IGBT器件加碳化硅SBD这种混合产品目前是受到了越来越多的关注，它能做到非常高的性价比。然后碳化硅MOSFET在光伏里目前主要使用是在MPPT里，最大效率点跟踪这里使用的相对多一点。
目前英飞凌新推出的2000V碳化硅MOSFET，未来我们觉得在1500V的光伏系统中有非常好的应用场景。
因为光伏对于器件短路能力是没有需求的，所以氮化镓HEMT器件在这里就可以发挥很大的优势。另外氮化镓HEMT器件，刚才提到了它天然的抗辐射能力，在高原光伏电站应用中就有很好的安全性。所以氮化镓HEMT器件不要一个劲地为了上车而上车，要做到扬长避短，在它有优势下的应用场景下才能走得更快更远。
在充电方面，主要分为了车载充电OBC，以及交流充电和直流充电，真正能用到功率器件的就是OBC和直流充电。
目前硅的CoolMOS配合IGBT，还是直流充电中占据了主要的地位，碳化硅MOS现在在OBC里越来越多地在广泛使用了，氮化镓HEMT器件目前没有看到一个特别成熟的案例，但是从器件的理论上来讲，氮化镓在充电桩领域它会有非常好的应用场景，目前主要受限于整个应用生态。
碳化硅MOS相比于IGBT，可以很轻易地实现1200V源边单模块，也是我们做800V快充的时候，非常容易实现它的拓扑。
在这里我们对未来进行一些畅想，今天功率器件很卷，我们畅想的第一点就是成本，我们这里的成本计算方式都是基于IDM模式且具备特色工艺思维的产业模式计算。国内很多企业还停留在买最贵的设备，挖最贵的人，做最好性能的产品的阶段。大家经常说特色工艺，对于特色工艺的理解有偏颇。我们不能说做功率器件就是特色工艺，真正的特色工艺是从客户的需求出发，用最合适的设备，搭配最合适的工艺，做最合适的产品。
我们预计IGBT会越来越多的以12寸为主，12寸的器件未来的成本预计会跌到4000块。碳化硅MOSFET预计单片会低于10000块，这个成本的来源不是凭空说的，而是把上游全部穿透进行计算，从粉料、石墨坩埚消耗、电费、切磨抛费用以及外延费用，全部计算了一遍，算出来了这个钱，短期内一定会达到一万块钱以内，这个时间会非常得快。而且以上价格全部基于含税价格来说的。
氮化镓器件我们认为是最具备降价潜力的器件，如果应用端打开，成本会急速降低，目前在这里计算的时候对比的是650V190毫欧的CoolMOS和GaN HEMT器件。Coolmos的芯片尺寸大概是3.5mm乘以3.2mm，一片CoolMOS目前的价格大概是四千块钱，一片可以出两千两百颗左右，单颗成本一块八。
氮化镓HEMT器件以650V190毫欧的器件，如果是做P-GaN，尺寸是2mm乘2mm，如果是做D-MODE，尺寸是1.8mm乘1.8mm，以P-GaN为例，一片大概可以出三千五百颗，目前的单片成本大概可以做到六千，单颗成本一块七。
但是这六千里头真正的BOM成本有多少，可能连六百都不到，大部分成本来自设备折旧和人工工资等边际成本，未来GaN的成本下降空间是非常大的，目前基本上已经可以做到与coolmos持平，未来做到20%的硅器件的成本是非常有可能的。所以氮化镓HEMT器件最大的想象空间就是成本，只要量起来，边际成本降下来之后会有非常强的竞争力。
以上就是我的报告，感谢各位的聆听。
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碳化硅功率器件：特性、测试和应用技术
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本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术,概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9章:功率半导体器件基础,SiC MOSFET参数的解读、测试及应用,双脉冲测试技术,SiC器件与Si器件特性对比,高di/dt的影响与应对——关断电压过冲,高dv/dt的影响与应对——crosstalk,高dv/dt的影响与应对——共模电流,共源极电感的影响与应对,以及驱动电路设计。
本书面向电力电子、新能源技术和功率半导体器件等领域的广大工程技术人员和科研工作者,可满足从事器件设计、封装、测试、应用专业人员的知识和技术需求。
作者介绍：
高远，现任泰科天润半导体技术有限公司应用测试中心主任。主要从事功率半导体器件特性测试、评估及其在功率变换器上应用的关键技术的研究工作，致力于碳化硅功率器件市场应用的推广，被领先的测试解决方案提供商泰克科技聘为电源功率器件领域外部专家。
2012年和2015年分别于西安交通大学获学士和硕士学位，发表学术论文5篇，出版专著《碳化硅功率器件：特性、测试和应用技术》。
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碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用
[日] 木本恒暢 [美] 詹姆士 A. 库珀
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本书是一本有关碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍，其主题包括碳化硅的物理特性、晶体和外延生长、电学和光学性能的表征、扩展缺陷和点缺陷，器件工艺、功率整流器和开关器件的设计理念，单／双极型器件的物理和特征、击穿现象、高频和高温器件，以及碳化硅器件的系统应用，涵盖了基本概念和最新发展现状，并针对每个主题做深入的阐释，包括基本的物理特性、最新的理解、尚未解决的问题和未来的挑战。
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作者介绍：
木本恒暢是京都大学电子科学与工程系的一名教授，长期从事碳化硅材料、表征、器件工艺以及功率器件等方面的研究，是日本碳化硅界的领军人物，在碳化硅的外延生长、光学和电学特性表征、缺陷电子学、离子注入、金属－氧化物－半导体（MOS） 物理和高电压器件等方面均有建树。
而另一位作者，美国普渡大学电气与计算机工程学院的詹姆士 A. 库珀则是一位半导体界的元老级人物，他在MOS器件、IC及包括硅和碳化硅在内的功率器件方面都有研究和建树，特别是碳化硅基UMOSFET、肖特基二极管、UMOSFET、横向DMOSFET、BJT和IGBT等的开发做出了突出贡献。
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碳化硅半导体技术与应用（原书第2版）
[日] 松波弘之 大谷昇 木本恒畅 中村孝 等
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本书对推动我国碳化硅半导体领域的学术研究和产业发展具有积极意义，适合功率半导体器件设计、工艺设备、应用、产业规划和投资领域人士阅读，也可作为相关专业高年级学生的理想选修教材。
作者介绍：
松波弘之
大谷昇
木本恒畅
中村孝
1990年进入罗姆公司，进行大规模集成电路的工艺开发。1996年获得京都大学工学博士学位。2003年至今，从事碳化硅功率器件开发工作。
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碳化硅器件工艺核心技术
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《碳化硅器件工艺核心技术》共9章，以碳化硅(SiC)器件工艺为核心，重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术，以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等，每一部分都涵盖了上百篇相关文献，以反映这些方面的最新成果和发展趋势。
《碳化硅器件工艺核心技术》可作为理工科院校物理类专业、电子科学与技术专业以及材料科学等相关专业研究生的辅助教材和参考书，也可供相关领域的工程技术人员参考。
作者介绍：
Konstantinos Zekentes，希腊研究与技术基金会(FORTH)微电子研究小组(MRG)高级研究员，以及微电子电磁与光子等实验室访问研究员。他目前工作的内容是SiC相关技术，开发用于制作高功率/高频器件以及SiC基一维器件。Zekentes博士拥有超过170篇期刊和会议论文以及1项美国专利。
Konstantin Vasilevskiy，英国纽卡斯尔大学工程学院高级研究员。他目前的研究领域是宽禁带半导体技术，以及石墨烯生长和表征技术。Vasilevskiy博士撰写了3本著作，在相关期刊和会议论文集中发表论文114篇。他是4本书的合编者，也是宽禁带半导体技术领域16项专利的共同发明人。
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宽禁带半导体器件耐高温连接材料、工艺及可靠性
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传统软钎料合金在微电子工业中已得到了广泛的应用，然而软钎料合金已经不能满足第三代宽禁带半导体（碳化硅和氮化镓）器件的高温应用需求。新型银烧结/铜烧结技术和瞬态液相键合技术是实现高温器件可靠连接的关键技术，该技术对新能源电动汽车、轨道交通、光伏、风电以及国防等领域具有重要意义。本书较为全面地介绍了当前用于高温环境下的芯片连接所涉及的新型互连材料的理论基础、工艺方法、失效机制、工艺设备、质量控制与可靠性。
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垂直型GaN和SiC功率器件
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作者介绍：
望月和浩
1988年加入东京日立株式会社中央研究实验室，期间参与了GaN和SiC功率器件以及GaAs（砷化镓）微波功率放大器的研究。从1999年到2000年，担任加州大学圣地亚哥分校访问研究员。自2015年以来，他供职于日本国家先进工业科学技术研究所。目前研究方向与高压超结功率器件有关。
他先后在国际学术期刊和会议论文集上发表100多篇研究论文。IEEE高级会员，日本应用物理学会会员。东京电子通信大学和东京法政大学兼职讲师。
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本书着重介绍了半导体制造设备，并从实践的角度出发，选取了具有代表性的设备进行讲解。为了让读者加深对各种设备用途的理解，采用了一边阐述半导体制造工艺流程、一边说明各制造工艺中所使用的制造设备及其结构和原理的讲解方式，力求使读者能够系统性地了解整个半导体制造的体系。本书可作为从事集成电路工艺与设备方面工作的工程技术人员，以及相关研究人员的参考用书，也可作为高等院校微电子、集成电路相关专业的规划教材和教辅用书。
作者介绍：
陈译，副教授，男，厦门理工学院，获得日本国立琉球大学电气电子工学专业博士学位，厦门市双百人才，于2010年4月进入日本三垦电气株式会社，从事功率半导体器件（IGBT、MOSFET、SiC SBD、SiC MOSFET）的研发与产业化，经历了先进功率半导体产业和技术发展的重要过程，参与或领导团队研发了30个品种以上的功率器件并实现产业化。其主持研制的IGBT、MOSFET芯片已卖出数百万片（其中IGBT芯片主要供货给格力电器），总产值超过20亿日元。截止目前，拥有授权和受理发明专利50余项，实用新型10余项，发表科研论文15篇。在面向工业和车规级的高端功率器件研发及量产方面经验丰富，尤其擅长高端IGBT、Split-gate MOSFET、SiC功率器件的研究。主要成果：1)发明新型结构沟槽肖特基二极管，综合性能比市面通用量产产品高出20%，并申报多项日本发明专利；2)设计完成基于第六代沟槽场终止型（Field Stop）IGBT，并实现批量生产；3)设计完成深槽分裂栅结构IGBT，综合性能领先于目前国际*高水平并实现工程流片成功；4)主持完成丰田汽车高可靠性车载应用功率MOSFET设计和制造；5)设计开发1200V级SiC MOSFET器件并实现工程流片成功。上述均属于国内开创性或者领先水平的成果，综合性能达到甚至领先于国际同类产品，具有巨大的技术和商业价值。
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本书重点讨论了与氮化镓（GaN）器件相关的内容，共分15章，每一章都围绕不同的主题进行论述，涵盖GaN材料、与CMOS工艺兼容的GaN工艺、不同的GaN器件设计、GaN器件的建模、GaN器件的可靠性表征以及GaN器件的应用。本书的特点是每一章都由全球不同的从事GaN研究机构的专家撰写，引用了大量的代表新成果的文献，适合于从事GaN技术研究的科研人员、企业研发人员，以及工程师阅读，也可作为微电子及相关专业的高年级本科生、研究生和教师的参考用书。
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氮化镓功率晶体管——器件、电路与应用（原书第3版）
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《氮化镓功率晶体管——器件、电路与应用（原书第3版）》共17章，第1章概述了氮化镓（GaN）技术；第2章为GaN晶体管的器件物理；第3章介绍了GaN晶体管驱动特性；第4章介绍了GaN晶体管电路的版图设计；第5章讨论了GaN晶体管的建模和测量；第6章介绍了GaN晶体管的散热管理；第7章介绍了硬开关技术；第8章介绍了软开关技术和变换器；第9章介绍了GaN晶体管射频性能；第10章介绍了DC-DC功率变换；第11章讨论了多电平变换器设计；第12章介绍了D类音频放大器；第13章介绍了GaN晶体管在激光雷达方面的应用；第14章介绍了包络跟踪技术；第15章讨论了高谐振无线电源；第16章讨论了GaN晶体管的空间应用；第17章分析了GaN晶体管替代硅功率晶体管的原因。
《氮化镓功率晶体管——器件、电路与应用（原书第3版）》适合作为从事GaN功率半导体技术研究的科研工作者、工程师、高年级本科生和研究生的参考书，也可以作为高等院校微电子科学与工程、集成电路科学与工程、电力电子技术专业的教材。
作者介绍：
Alex Lidow博士，美国宜普电源转换（EPC）公司CEO、国际整流器公司原CEO，获得斯坦福大学博士学位。
Michael de Rooij博士，美国EPC公司应用工程副总裁，获得约翰内斯堡大学博士学位。
Johan Strydom博士，美国德州仪器公司Kilby实验室的高级开发经理，获得约翰内斯堡大学博士学位。
David Reusch博士，美国VPT公司首席科学家，获得弗吉尼亚理工大学博士学位。
John Glaser，美国EPC公司应用工程总监。
图书信息：
ISBN：978-7-111-69552-3
定价：139
半导体芯片和制造——理论和工艺实用指南
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内容简介：
《半导体芯片和制造——理论和工艺实用指南》是一本实用而优秀的关于半导体芯片理论、制造和工艺设计的书籍。《半导体芯片和制造——理论和工艺实用指南》对半导体制造工艺和所需设备的解释是基于它们所遵守的基本的物理、化学和电路的规律来进行的，以便读者无论到达世界哪个地方的洁净室，都能尽快了解所使用的工艺和设备，并知道使用哪些设备、采用何种工艺来实现他们的设计和制造目标。《半导体芯片和制造——理论和工艺实用指南》理论结合实际，大部分的描述均围绕着实际设备和工艺展开，并配有大量的设备图、制造工艺示意图和半导体芯片结构图。《半导体芯片和制造——理论和工艺实用指南》主要包括如下主题：基本概念，例如等离子设备中的阻抗失配和理论，以及能带和Clausius-Clapeyron方程；半导体器件和制造设备的基础知识，包括直流和交流电路、电场、磁场、谐振腔以及器件和设备中使用的部件；晶体管和集成电路，包括双极型晶体管、结型场效应晶体管和金属−半导体场效应晶体管；芯片制造的主要工艺，包括光刻、金属化、反应离子刻蚀（RIE）、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、热氧化和注入等；工艺设计和解决问题的技巧，例如如何设计干法刻蚀配方，以及如何解决在博世工艺中出现的微米草问题。
《半导体芯片和制造——理论和工艺实用指南》概念清晰，资料丰富，内容实用，可作为微电子学与固体电子学、电子科学与技术、集成电路工程等专业的研究生和高年级本科生的教学参考书，也可供相关领域的工程技术人员参考。
作者介绍：
廉亚光先生是美国伊利诺伊大学香槟分校何伦亚克微纳米技术实验室的研发工程师。在他近20年的工作经历中，他培训了上千名学生使用半导体制造设备。在廉先生来美国之前，他在中国河北半导体研究所工作了13年。在研究所期间，他负责管理一条半导体加工线，从离子注入到封装；与此同时，他还从事一部分集成电路设计工作。在半导体领域30多年的工作经历，使得廉先生对制造工艺中的关键点有着深刻的理解，在理论和设备方面有着深厚的知识。
图书信息：
ISBN：978-7-111-73551-9
定价：99
转载 | 碳化硅芯观察：达新半导体 | 张海涛：Si/SiC/GaN 功率器件技术路线对比浅析
排版 | 吴美祎
责任编辑 | 杨琼
审核人 | 付承桂
