资讯速递！黄仁勋透露GB200生产顺利；基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展！

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韩国2025年将豪掷25.5万亿韩元投资半导体、显示器等先进产业

韩国政府决定将四大先进产业（半导体、显示器、二次电池和生物）的政策融资扩大到2025年的25.5万亿韩元（约合人民币1285亿元）。

这一决定是在12月20日于首尔政府大楼举行的第七届国家先进战略产业委员会会议上做出的。在会议上，政府确认了“先进战略技术支持计划”，其中包括大幅增加支出。

政府将政策融资增加7.1万亿韩元，比今年增加39%，这一决定凸显了政府致力于培育这些关键行业的承诺。仅在半导体领域，截至2024年11月已提供20.2万亿韩元，比最初的计划多出18.4万亿韩元。这笔巨额的财政支持旨在提高韩国在高科技产业的全球竞争力。

韩国政府强调了这一举措的重要性，“现在是做好充分准备抓住外部不确定性机遇的关键时刻，同时努力改善国内产业结构，确保全球竞争力。无论情况如何，政府都将坚定不移地推动对未来先进战略产业的支持。”

除了现有的先进技术外，政府还将人形机器人和先进航空发动机新指定为国家先进战略技术。在机器人领域，重点将放在设计、制造和加工人形机器人执行器和框架的技术上，这些执行器和框架的移动速度超过3.3米/秒，承载重量超过20千克。在国防领域，已指定载人和无人机输出功率超过15000磅的先进航空发动机的核心材料和部件技术。

这些新指定的技术预计将在完成行政公告程序后于2025年1月正式公布。政府还计划加速建设先进工业专业园区，包括龙仁和平泽半导体专业园区，这些园区将成为确保先进技术超级差距的摇篮。政府将成立专业园区工作组，以缓解入驻企业的困难。

政府将制定全面的方针，“将通过指定专业园区、建立专业大学和研究生院，以及支持机器人和国防等新指定领域的研发，打造强大的工业生态系统。”政府将努力及时完成电力和供水等必要基础设施，确保成功建设包括龙仁和平泽半导体园区在内的12个先进工业专业园区。

来源：爱集微  原文链接：https://laoyaoba.com/n/927672

黄仁勋透露GB200生产顺利 法人估2月中有望大量出货

近期英伟达GB200 AI服务器出货递延杂音四起，CEO黄仁勋接受外媒专访时指出，“GB200正满载生产、进展顺利”中，中国台湾大型法人机构预估，第一季度GB200大量出货将落在2月中旬，鸿海、广达、纬创等供应链运营将受惠。

法人机构表示，近期GB200延迟出货传言纷杂，即使新产品于生产初期良率较低，但目前第一季度GB200大量出货将落在2月中旬，出货时程并未见改变，部估全季GB200出货量约3000~4000台，第二季度起，将跳升至6000~7000台，呼应黄仁勋表示目前GB200满载生产的论调，辟除市场传言，维持第一季度量产出货时间不变。

同时，下半年起单季GB200将拉升至万台水准，且GB300在明年下在半年出货机率相对低，维持全年GB200出货预估为4.5~5万台，将会是2025年最主要产品，而因鸿海及广达于GB200 市占分占第一及第二，将会是主要受惠者。

且广达持续取得更多专案，将有益于明年上半年、下半年营收年增幅，创史上最大增长、将达六成以上，对后市运营前景持正向看法。

来源：经济日报 原文链接：https://laoyaoba.com/n/927654

大摩：全球第三季度服务器直接出货季增2% 看好四档台股

摩根士丹利证券（大摩）发布“亚太硬体科技产业”报告指出，全球ODM直接出货服务器给云端服务供应商（CSP）的趋势持续。在中国台湾厂商中，大摩看好鸿海、纬颖、纬创、广达，都给予“优于大盘”评等。

大摩指出，全球ODM厂第三季度服务器直接出货133万台，季增2%，年增16%，占全球服务器总出货量370万台（季增1%，年增19%）的36.4%，比重高于第二季度的36%；第三季度直接出货总金额则为289 亿美元，季增41%，年增132%。

以出货金额来看，第三季度以英业达和富士康增加最多，分别季增64%、51%，主要是因为Hopper人工智能（AI）服务器出货量持续成长；就出货量市占来看，第三季度以富士康占24.6%最高，其次是纬颖的24.4%、英业达的21.2%、广达的16.8%。

在ODM服务器直接出货的买家方面，以英特尔占42.9%最高，其次AMD的38.1%，其他安谋架构处理器买家则占19%。从出货量来看，日本以外地区在第三季度都保持年增趋势。

正如大摩预期，一般服务器需求的复甦持续到下半年，主要由云端需求推动，因为企业需求仍然平淡。在云端供应商中，纬颖的出货量占比成长最快，这可能是由于纬颖在一般服务器中的市占增加，且特殊应用IC（ASIC）服务器需求持续增长，同行则优先强化图形处理器（GPU）服务器业务。

至于AI服务器，大摩调查显示，GB200机架将从2月中旬开始大量出货。大摩估计，今年第四季度出货量出货仅约500台，明年首季将大增至2000台，第二季度将跳升至5000-10000台。在相关供应链方面，大摩看好ODM厂优于零组件厂。

对于四家台股ODM厂，大摩给的目标价分别为鸿海270元新台币、纬颖2900元新台币、纬创158元新台币、广达370元新台币。

来源：经济日报 原文链接：https://laoyaoba.com/n/927654

美光公布财报后 法人对中国台湾存储族群看法维持中立

美光公布的上季财报符合预期，但本季展望不佳下，中国台湾大型法人机构指出，由于消费需求持续疲软，DRAM和NAND Flash价格都在下滑，且中国台湾存储相关厂商皆未打入HBM，因此运营改善较预期慢，因此，对存储族群看法维持中立。

分析师表示，受惠生成式人工智能（AI）增长，GPU和ASIC为支持AI服务器的核心，而存储是其重要的零组件。观察美光上季财报，数据中心收入组合首次超过美光收入50%，数据中心SSD及整体SSD市场占有率再创高，营收也达到公司新高。HBM出货量超出计划，最大的数据中心客户的收入约占总收入的13%，并在取得NVIDIA发布Blackwell GPU HBM3E，从今年第一季度认列首笔HBM3E营收后，营收不断翻倍增长。

在美光最新财报中，上季营收为87亿美元，季增13.7%，主要受惠人工智能AI需求推动数据中心营收，数据中心营收续创历史新高。

其中，DRAM及NAND Flash占营收比重分别为73%和26%，营收分别为64亿美元、季增20%，22亿美元、季增5%，整体毛利率为39.5%，税后获利20.3亿美元，季增51.7%，每股获利（EPS）1.79美元，略优于市场分析师预期；其中，季底库存为87亿美元、149天，较上季的89亿美元、158天下滑，主要是因为HBM出货量增加，公司正常库存天数为120天。

美光预估本季营收为77.0~81.0亿美元，季减11.49%~6.9%，低于市场预估，毛利率将介于37.5~39.5%，主要是因为存储价格下滑，EPS 1.33~1.53美元，也低于市场分析师的预估。

法人机构表示，DRAM产业结构越趋複杂，除现有PC、Server、Mobile、Graphics和Consumer DRAM外，又增加HBM品类，据研调机构统计，受惠AI需求，HBM成为带动DRAM产业驱动的重点，预估2025年整体DRAM产业位元产出将增加25%。若排除HBM产品，2025年Conventional DRAM位元产出预计年增20%。

2025年整体DRAM产业位元供给充足，若需求不如预期，供应商易面临跌价压力。其中，LPDDR4x与DDR4这两项产品的价格压力将远高于其他类别。而2025年HBM供货将持续吃紧，以HBM3e情况最严重。

也由于DRAM价格会上扬主要是HBM3e渗透率持续提升拉高均价，及供给端缺乏新产能而有所限制，可是消费性需求持续疲软，DRAM和NAND Flash价格都在下滑，且中国台湾存储相关厂商皆未打入HBM，因此运营改善较预期慢，因此对群族看法维持中立。

来源：经济日报  原文链接：https://laoyaoba.com/n/927652

基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展

近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作，基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200V SiC MOSFET。

当前，碳化硅（SiC）晶圆行业正持续扩大产能以满足不断增长的市场需求。但可用于MOSFET制造的无缺陷衬底（即“高质量”衬底）的成品率通常仅为40%-60%。在6-8英寸SiC的生长和提纯过程中，自然会产生低等级衬底（即“低质量”衬底）。在目前的工业生产中，这些衬底通常被作为陪片甚至废料处理，导致高质量SiC衬底的生产成本很高，通常占最终MOSFET器件成本的50%以上。此外，SiC衬底的制造过程耗能较高，导致较高的碳排放。

为应对这一挑战，微电子所与合作单位在国际上首次提出了一种新型6英寸单晶SiC复合衬底，通过表面活化键合技术和离子注入剥离技术，将高质量SiC薄层键合转移到低质量单晶SiC衬底上，实现了低质量单晶SiC衬底有效使用，每个高质量SiC晶圆可重复使用超过30次（即每个高质量晶圆可以产生超过30个薄层），预计成本降低40%。

该复合衬底表现出与高质量衬底相当的缺陷密度，界面热阻低至2.8 +1.4/-0.7 m²K/GW，且键合界面处电场强度很小。此界面热阻是目前国际上报道的SiC与其他材料（如SiC、GaN和Ga2O3）键合界面中最低值。在该衬底上生长的6英寸SiC外延层实现了高达99.2%的无致命缺陷良率。基于此6英寸外延层制造的1200V、20mΩ的SiC MOSFET器件展示了超过70%的良率（在IDSS<2µA，在1200V条件下测试），其性能和可靠性可同最先进的商用器件相媲美。电路鲁棒性测试显示，在超过250A、持续10ms的浪涌电流下，键合界面没有出现退化现象。该成果是首次报道基于SiC复合衬底的晶圆级器件数据及高电流鲁棒性。结果表明，这项新的衬底技术具有巨大的潜力，为更加经济和可持续的SiC功率电子器件提供了重要的发展方向。

基于该研究成果的论文“Cost-Effective 1200 V SiC MOSFETs on a Novel 150 mm SiC Engineered Substrate with Dummy Grade Material Reuse”，于12月10日以口头报告形式发表在第70届国际电子器件大会上（IEDM 2024）。微电子所王鑫华研究员为第一作者，微电子所刘新宇研究员、青禾晶元公司母凤文研究员、弗吉尼亚理工大学（现香港大学）张宇昊教授为论文共同通讯作者。

6英寸SiC-SiC键合制造过程的主要步骤

在6英寸工程衬底和外延层上制造的SiC MOSFET沟道区域的横截面高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）图像

浪涌电路测试图

来源：中国科学院微电子研究所 原文链接：https://laoyaoba.com/n/927647

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