成果介绍
转移到纳米柱阵列上的单层半导体提供了位置可控的片上单光子发射，这是量子技术的可扩展光源平台。然而，迄今为止报道的这些发射器的亮度往往低于此类应用的感知要求。此外，单光子纯度通常随着亮度的增加而降低。因此，需要一种设计方法来实现提高发射率，同时保持高单光子纯度。
有鉴于此，近日，印度科学研究院Kausik Majumdar等报道了通过在高纵横比(~3，至少比以前的报道高2倍)纳米柱阵列上使用WSe2，在770~800 nm波段展示了>10 MHz的单光子发射率，该发射率与量子存储器和中继器网络(Rb-87-D1/D2线)和卫星量子通信兼容。发射器表现出优异的纯度(即使在高发射速率下)，并且由于使用了金背反射器来淬灭纳米柱的发射而改善了外耦合性。
图文导读
图1. TMDC基单光子发射器的现状及基准测试。
图2. 单光子发射器的设计。
图3. 单光子发射器的表征。
图4. 单光子发射器模型。
文献信息
Simultaneously Enhancing Brightness and Purity of WSe2 Single Photon Emitter Using High-Aspect-Ratio Nanopillar Array on Metal
（Nano Lett., 2024, DOI:10.1021/acs.nanolett.4c03168）
文献链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.4c03168
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