成果介绍
识别层材料对化学传感器的功能起着至关重要的作用。尽管2D材料的进步促进了传感器的发展，但具有高活性位点的大规模识别层的可控制造对于提高传感器灵敏度仍然至关重要，特别是对于痕量检测应用。
有鉴于此，近日，燕山大学薛天宇教授和天津工业大学柳丽轩副教授（共同通讯作者）等合作提出了一种可控制备具有定制高活性位点的厘米级非层状超薄β-In2S3材料的策略，以设计超灵敏的Hg2+传感器。本文的研究结果表明，非层状β-In2S3材料的高活性位点是实现优异传感性能的关键。通过选择性Hg-S键合，在1 aM水平上实现了Hg2+的选择性检测。此外，本文评估了该传感器在检测自来水基质中的Hg2+方面表现出优异的性能。这项工作为在高性能传感器中利用非分层2D薄膜提供了概念验证，并强调了它们在各种分析物传感应用中的潜力。
图文导读
图1. 厘米级非层状β-In2S3晶体结构、制备方法、选择性吸附Hg2+及等离激元Hg2+传感器
图2. 厘米级高表面活性β-In2S3薄膜的特性。
图3. Hg2+在β-In2S3薄膜表面的选择性吸附机理。
图4. β-In2S3基SPR传感器在Hg2+检测中的传感性能。
图5. 自来水基质中的β-In2S3基SPR传感器。
文献信息
High-Active Surface of Centimeter-Scale β-In2S3 for Attomolar-Level Hg2+ Sensing
（Nano Lett., 2024, DOI:10.1021/acs.nanolett.4c04047）
文献链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.4c04047
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