成果介绍
将材料的尺寸从三维减少到二维，或准二维，为探索新兴量子现象和开发下一代电子器件提供了一个肥沃的平台。然而，在任意衬底上以模板方式生长高质量、超薄、准2D材料是具有挑战性的。
有鉴于此，近日，美国普渡大学Joerg Appenzeller和美国国家标准与技术研究院Huairuo Zhang等展示了一种简单且可重复的片上合成非层状、纳米厚、准二维半金属的方法。该方法首先从厚度低于20 nm的半导体InSe薄片开始，上面沉积镍，然后进行低温退火步骤，通过与横向扩散的镍反应，将层状InSe控制转化为非层状的晶体半金属。原子分辨显微镜显示转化的半金属为具有Kagome晶格结构的Ni3In2Se2。此外，本文还证明了该合成方法是可推广的，可以将采用Ni和Co的2D层状硫族化合物(如SnS和SnSe)转化为非层状半金属，为工程化新型器件铺平了道路。
图文导读
图1. 通过横向扩散反应从层状硫属化合物片上合成准二维非层状材料。
图2. 片上退火后Ni-InSe器件的横截面STEM表征。
图3. 准2D Ni3In2Se2的输运性质。
图4. 合成方法的通用性。
文献信息
On-Chip Synthesis of Quasi-2D Semimetals from Multi-Layer Chalcogenides
（Adv. Mater., 2024, DOI:10.1002/adma.202410815）
文献链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202410815
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