研究背景
阻变式随机存取存储器（RRAM）由于其可扩展到超小器件尺寸，适合密集3D集成，运行速度快，功耗低，多值存储以及与CMOS工艺的兼容性，在大规模和高密度存储器和存内计算方面表现出优异的前景。当RRAM集成到交叉开关阵列中时，会出现通过未选择单元的潜行泄露路径问题以及沿互连线的IR drop问题，这会降低读写裕度并导致额外的功耗，最终限制了RRAM交叉开关阵列的可扩展性和密度。为了缓解这些问题，一晶体管一电阻（1T1R）存储单元被广泛应用于存储阵列和存内计算模块中，显示出较高的能效。除此之外，一选择器-一电阻（1S1R）结构也是重要的存储方式，它的特点是比1T1R单元小得多的器件尺寸，并且能够构建3D交叉点阵列，实现更高密度的存储。基于硅基、硫族化合物基和氧化物基的选择器已经得到研究，通过提供高选择性、非线性（NL）和导通状态驱动电流密度来缓解潜行泄露路径和IR drop问题。2D层状材料也很适合构建选择器，因为它具有较低的转移温度，并且由于在厚度方向上缺乏悬键，能够形成具有干净范德华界面的异质结。此外，由于材料种类繁多（包括绝缘体、半导体和半金属）和高度可调的带隙，二维材料提供了丰富的选择，可以通过精心设计能带结构来优化异质结，以满足1S1R集成的关键要求。
成果介绍
有鉴于此，近日，上海交通大学杨睿教授团队实验展示了具有指数电流-电压（I-V）关系的2D材料异质结选择器，并将其与氧化铪（HfOx）基RRAM集成，形成1S1R单元。多层石墨烯(MG)/WS2/Pt选择器包含两个具有不同肖特基势垒的非对称异质结，从而导致高度非线性和非对称的I-V特性。1S1R单元中的2D选择器可以成功驱动RRAM，将潜行路径漏电流降低100倍以上，并提供RRAM编写的限制电流。对1S1R单元进一步建模并将其集成到平面和3D存储阵列中并进行电路级仿真，结果表明在大型存储阵列中使用2D选择器可以降低高达86%的功耗，提高高达31%的读取/写入裕度，并避免写入失败。这种存储器件在构建3D高密度存储器和执行存内计算方面具有很高的潜力。文章以“One-Selector-One-Resistor Integrated Memory Cells Based on Two-Dimensional Heterojunction Memory Selectors”为题发表在著名期刊ACS Nano上。上海交通大学密西根学院的沈旻亮、申晟和贾越洋为文章的共同第一作者。
图文导读
图1. 基于MG/WS2/Pt异质结的选择器的结构与表征。（a）选择器结构的示意图。（b）2D选择器的光学图像。（c）2D WS2和MG的拉曼光谱。（d）异质结选择器的TEM图像。（e）RRAM、非对称指数型选择器和1S1R器件的I-V特性示意图，表明在1S1R方案中，选择器有望提供编写限制电流（ICC）并减少潜行路径的漏电流。
为了减少RRAM交叉阵列中的潜行路径漏电流并提供理想的电流控制，本文设计了基于多层石墨烯(MG)/WS2/Pt的非对称异质结选择器（图1a）。为了构建1S1R单元，在制备基于氧化铪的RRAM之后，形成与选择器共享的Pt电极，使用干法转移工艺将WS2转移到Pt底电极上，然后将MG转移到WS2顶部并与另一个Pt电极接触，形成垂直异质结选择器（图1b）。WS2和MG的拉曼光谱（图1c）和TEM图像证实了垂直异质结（图1d）。本文基于2D WS2两侧的非对称肖特基结设计了指数型I-V的选择器，以减少漏电流并为RRAM Set过程提供限制电流（图1e），适合片上集成。
图2. 2D异质结选择器的能带图和电学表征。（a）MG、h-BN、WS2、Pt等2D材料和电极的能带结构。（b-d）VMG=0 V（热平衡）、VMG>0 V和VMG<0 V时MG/WS2/Pt选择器的能带结构和主要导通机制。（e&f）不对称MG/WS2/Pt结构选择器的I-V特性，其中较薄WS2为~8.9 nm，较厚WS2为~80 nm。（g-i）对照器件的I-V特性比较，包括对称的MG/WS2/MG选择器、Pt/多层h-BN/多层WS2/多层h-BN/MG选择器（用于确定h-BN层的绝缘效果），以及Pt/单层h-BN/单层WS2/单层h-BN/Pt结构。
这种选择器结构通过设计2D材料的能带结构和研究电子传导机制，充分考虑了1S1R阵列中RRAM置位和复位过程的不同要求。图2a显示了2D材料在接触前的能带排列。WS2具有天然n掺杂，单层材料的带隙为1.96 eV，块材的带隙为1.3 eV。选择WS2是因为WS2基器件比基于许多其他材料（如MoS2）的器件有更少的费米能级钉扎，并且较重的元素可以具有电子局域化，因此非线性更强。由于肖特基势垒高度（SBH）决定了电子穿过结的势垒，从而强烈影响整体结构的电流，因此电极和中间层2D材料的选择对于获得理想2D选择器的非线性I-V特性非常重要。对于处于热平衡状态的MG/WS2/Pt选择器结构，在WS2/Pt结侧会形成一个具有较大SBH的肖特基势垒，而MG/WS2结侧的SBH较小（图2b），这导致了不对称的I-V特性。当MG侧施加正电压（VMG>0 V），电子从Pt流向WS2再流向MG时，需要克服WS2/Pt结中较大的SBH，从而产生较小的电流，适合在RRAM置位过程中提供限制电流（图2c）。而在VMG<0 V的情况下，电子在MG/WS2结中以较小的SBH从MG流向Pt，对应于选择器的更高电导状态，这允许大的驱动电流和RRAM上足够的压降来驱动复位过程（图2d）。
图2e中的电学表征显示，由于MG/WS2/Pt异质结中的非对称SBHs，在正和负电压下不同电流下的指数I-V特性不对称。在MG（VMG）电压为-1.5 V时，电流约为218 μA，足以驱动RRAM复位过程，而在VMG=+1.5 V时，电流仅为28 μA左右，可作为RRAM置位过程的限制电流。本文计算了选择器的非线性（NL），定义为工作电压下（Vop）的电流除以Vop/2时的电流。由于MG/WS2/Pt异质结提供了合适的SBH，在-1.5 V的工作电压下，选择器的非线性达到120。此外，为了进一步减少潜行漏电流和编写能量，本文还制造了具有更厚WS2层的MG/WS2/Pt选择器（图2f）。较厚WS2选择器表现出与较薄WS2选择器类似的指数型电流整流行为，而正偏置下的电流即使在2 V下也被进一步抑制到小于10 μA，从而增强了非对称性，选择器仍然可以成功地驱动RRAM。
通过异质结选择器的电流输运由不同导通机制的组合调节，包括Fowler-Nordheim（F-N）隧穿，热离子发射和直接隧穿。电极间的距离越小，直接隧穿电流越大，与RRAM集成后，漏电流越大。因此，与MG/单层WS2/Pt异质结选择器的比较表明，少层到多层WS2比单层WS2能更好地抑制直接隧穿电流，增强非线性和不对称性。当编写RRAM时，F-N隧穿效应在使用的编写电压下占主导地位，在这种情况下，相对较大的能垒可以导致选择器的较强非线性，同时在较大的电压下保持足够高的电流。此外，当VMG>0 V时（图2c），较大的SBH可以有效抑制电流，适合作为RRAM置位过程中的限制电流。为了展示MG/WS2/Pt选择器的优势，并验证使用不同肖特基势垒高度对非对称I-V的控制，本文制作了许多对照器件进行比较。如图2g所示，具有对称MG/WS2/MG结构的2D选择器呈现出对称的I-V行为，非线性仅为12左右，这证实了I-V特性可以由接触材料控制。在1S1R集成中，非对称I-V特性更合适，因为置位和复位过程所需的驱动电流不相同。由于绝缘的h-BN能够防止费米能级钉扎和调制势垒，本文进一步使用h-BN分隔金属和半导体，并使用机械剥离的少层材料和CVD的单层材料制造具有h-BN/WS2/h-BN堆叠层的2D选择器。由于对称的H形结构，这种选择器表现出对称的I-V行为，由于绝缘层的存在，两个方向上的电流都较小，非线性系数为18，这与之前的研究一致（图2h和i）。然而，当与RRAM集成时，选择器的高电阻和低电流会使RRAM难以驱动复位过程，因为RRAM最初处于LRS中，电压降很小。2D材料厚度减小可以导致h-BN基2D选择器的电流更大，但对于驱动1S1R复位过程来说仍然很低。
图3. MG/WS2/Pt基2D选择器和HfOx基RRAM串联的1S1R结构的电学表征。（a）具有不同2D材料基选择器结构的RRAM置位和复位过程中选择器的非线性和所需电流比较。（b&c）具有较薄和较厚WS2的1S1R单元的DC I-V扫描。（d）基于1R和1S拟合结果对1S1R单元进行DC I-V仿真。（e）利用宽度为500 ns的脉冲和不同的脉冲幅度增加复位脉冲数，对1S1R单元进行电阻调制。（f）85 ℃时1S1R存储单元四种稳定电阻状态的保持特性测量。
为了证明在1S1R集成的可行性，本文总结了驱动RRAM单元的2D选择器特性，并将其与其他2D材料基选择器结构进行了比较，结果表明，本工作中的选择器具有很高的非线性，可以很好地匹配RRAM置位和复位电流（图3a）。然后，本文将MG/WS2/Pt选择器与Pt/HfOx/TiN/Pt RRAM串联在一起，并使用共享电极实验研究了1S1R性能。MG/WS2/Pt选择器可以成功驱动RRAM，在置位过程中限制电流，并在0.75 V的半读取电压下有效抑制高达100倍的潜行路径漏电流，与之前的报道相比，在1S1R单元中2D材料基选择器性能有了一个数量级的提高（图3b和c）。通过调节选择器的WS2厚度，可以很好地控制限制电流、不对称性和非线性，以适应不同的RRAM特性，并进一步在1S1R单元中提供潜行漏电流抑制、读写功耗和读写裕度之间的权衡。
然后，本文根据测量数据开发了1S1R模型，以进一步说明1S1R结构中的开关行为。对于MG/WS2/Pt选择器，使用参数化指数选择器模型来捕获选择器的非线性I-V行为，该模型可以很好地拟合实验结果。基于指数选择器模型和HfOx RRAM模型，本文使用HSPICE进一步模拟了1S1R结构的直流I-V开关行为（图3d），与图3b所示的测量结果高度一致。本文进一步证明了1S1R单元的多电平编写能力，因为1S1R单元的电阻可以通过增加复位脉冲数和电压来调制。通过施加不同电压幅值的复位脉冲，可以实现四种不同的电阻调制趋势，其中较大的脉冲幅值可以获得较高的电阻状态（图3e）。本文进一步测量了从脉冲调制中获得的四种稳定电阻状态在85 ℃下的保留特性，显示出可非易失地保持阻态长达10,000 s（图3f），预计保持长达10年。
图4. 平面和3D垂直1S1R/1R阵列的仿真与比较。（a&b）V/2偏置方案下平面1R和1S1R交叉开关阵列的等效电路示意图。（c-f）对平面阵列进行仿真，对比了不同阵列尺寸下1S1R和1R阵列的读取裕度、写入裕度、读取功耗和写入功耗。（g）3D垂直1S1R阵列示意图。（h）3D 1S1R/1R阵列的等效电路示意图。（i-l）3D垂直阵列的仿真结果。
为了进一步评估1S1R存储阵列与无选择器的RRAM阵列（1R阵列）相比在高密度片上存储器中的优势，本文基于HSPICE中开发的1S1R模型仿真了一个平面1S1R阵列。图4a所示为典型的平面1R阵列结构，采用V/2偏置方案，其中红色虚线表示由于沿半偏置单元的分压而产生的潜行漏电流。相反，当利用1S1R阵列中选择器的高非线性时，如图4b所示，通过半偏置单元的漏电流被有效抑制。这里的仿真中考虑了最严重的IR drop和潜行漏电流的最坏情况，在这种情况下，所选单元是离电压源最远的单元，而所有其他未选择的RRAM单元都初始化在其低电阻状态（这意味着更高的漏电）。为了获得1S1R阵列尺寸增加时的性能趋势，将阵列大小分别设置为8×8、16×16、32×32、64×64、128×128，模拟其读取裕度、写入裕度、读取功耗和写入功耗，并与1R阵列进行比较。在更大的阵列尺寸下，如图4c-f所示，1S1R和1R阵列的读写裕度明显下降，读写功耗增加，而2D选择器的存在使RRAM交叉开关阵列的读取裕度增加了31%，写入裕度增加了15%，读取功耗减少了86%，写入功耗减少了73%。当阵列大小达到128×128时，1R阵列的写入功耗突然下降，这是由于所选单元的写入失败（图4f），而相同大小的128×128的1S1R阵列仍然可以写入而不会出现任何失败。在这种情况下，由于包括RRAM电阻和导线电阻在内的大电阻网络，1R阵列中的漏电和IR drop问题非常严重，因此所选RRAM单元上的实际压降不足以调节其电阻。因此，与1R阵列相比，1S1R阵列表现出明显的优势，特别是在128×128甚至更大的阵列尺寸下。此外，2D材料基选择器的超低厚度、小面积和低制造温度使其特别适合于3D集成。因此，本文利用2D选择器进一步仿真了3D垂直1S1R阵列架构，有望实现比平面存储阵列更高的片上存储密度。图4g显示了本文提出的3D 1S1R结构的示意图，其中多层RRAM器件共享同一柱电极，从而增加了相同占用空间下的内存密度。对于每个RRAM单元，MG/WS2/Pt选择器串联连接，以有效地调节电流并形成1S1R单元。与平面阵列模拟类似，考虑V/2偏置方案和最坏情况，并加入垂直柱互连电阻（图4h）。尽管与平面阵列相比，由于更多的潜行泄露路径和更复杂的导线网络，3D阵列的性能会随着更小的裕度和更大的功耗而下降，但使用2D选择器仍然可以有效地将读写裕度提高16%，并将读写功耗降低高达86%，为超高密度片上存储器提供了很好的解决方案（图4i-l）。
总结与展望
针对1S1R集成中的兼容性问题，本文展示了2D材料基非对称异质结存储选择器，该选择器具有大于120的高非线性和非对称I-V特性，可以很好地与HfOx基RRAM匹配。测量表明，与单独的RRAM相比，1S1R集成中的高性能选择器成功地抑制了漏电流100倍以上，作为RRAM置位过程的自限制电流，同时为驱动RRAM复位过程提供足够的电流。模型拟合和电路级仿真结果表明，2D选择器能够缓解高密度存储阵列中的潜行路径漏电流和IR drop问题，有效地增加了高达31%的读写裕度，降低了高达86%的读写功耗，并避免了写入失败。这种异质结存储选择器结构和1S1R集成为构建面向高密度存储器和存内计算的3D交叉点阵列提供了优异的前景。
文献信息
One-Selector-One-Resistor Integrated Memory Cells Based on Two-Dimensional Heterojunction Memory Selectors
（ACS Nano, 2024, DOI:10.1021/acsnano.4c09421）
文献链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.4c09421
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