Adv. Funct. Mater.:高透明块材InSe片的异常强近红外光致发光

文摘   2024-10-07 22:59   美国  
点击蓝字
 
关注我们
为了方便各位同学交流学习,解决讨论问题,我们建立了一些微信群,作为互助交流的平台。
加微信交流群方式:
1.添加编辑微信:13162018291;
2.告知:姓名-课题组-研究方向,由编辑审核后邀请至对应交流群(生长,物性,器件);
欢迎投稿欢迎课题组投递中文宣传稿,免费宣传成果,发布招聘广告,具体联系人:13162018291(微信同号)

         

 

成果介绍

块材γ-InSe的直接带隙为1.24 eV,对应于近红外波长(λ=1.0 μm),可用于从生物识别探测器到硅光子学的光电子应用。然而,由于缺乏对其光学性质的定量研究,其光电应用潜力在很大程度上尚未开发。

有鉴于此,近日,美国加州大学伯克利分校Ali Javey等研究了厚度为数百纳米的单晶InSe片的低吸收率和高光致发光量子效率。尽管由于其晶体结构的对称性,其具有低吸收系数的间接带隙,但在室温下,InSe从其直接带隙发出明亮的光,峰值光致发光量子产率(PLQY)为20%。通过执行泵浦相关的PLQY测量,可以提取辐射和非辐射复合系数,包括Shockley-Read-Hall系数和俄歇系数。最后,本文展示了低温交流电致发光器件的概念验证,展示了InSe在光电技术(如高透明,明亮的近红外光源)中的前景。

         

 

图文导读    

图1. γ-InSe的材料性质。

         

 

图2. γ-InSe的发射光谱。

         

 

图3. InSe的吸收。    

         

 

图4. PLQY和复合。

         

 

图5. InSe薄片光致发光的温度依赖性。

         

 

   

图6. InSe发光电容器。

         

 

文献信息

On-Chip Synthesis of Quasi-2D Semimetals from Multi-Layer Chalcogenides

Adv. Funct. Mater., 2024, DOI:10.1002/adfm.202413672)

文献链接:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.202413672 


,以及各种测试分析,


h-BN

低维 昂维
分享最前沿二维材料动态。
 最新文章