成果介绍
块材γ-InSe的直接带隙为1.24 eV，对应于近红外波长(λ=1.0 μm)，可用于从生物识别探测器到硅光子学的光电子应用。然而，由于缺乏对其光学性质的定量研究，其光电应用潜力在很大程度上尚未开发。
有鉴于此，近日，美国加州大学伯克利分校Ali Javey等研究了厚度为数百纳米的单晶InSe片的低吸收率和高光致发光量子效率。尽管由于其晶体结构的对称性，其具有低吸收系数的间接带隙，但在室温下，InSe从其直接带隙发出明亮的光，峰值光致发光量子产率(PLQY)为20%。通过执行泵浦相关的PLQY测量，可以提取辐射和非辐射复合系数，包括Shockley-Read-Hall系数和俄歇系数。最后，本文展示了低温交流电致发光器件的概念验证，展示了InSe在光电技术(如高透明，明亮的近红外光源)中的前景。
图文导读
图1. γ-InSe的材料性质。
图2. γ-InSe的发射光谱。
图3. InSe的吸收。
图4. PLQY和复合。
图5. InSe薄片光致发光的温度依赖性。
图6. InSe发光电容器。
文献信息
On-Chip Synthesis of Quasi-2D Semimetals from Multi-Layer Chalcogenides
（Adv. Funct. Mater., 2024, DOI:10.1002/adfm.202413672）
文献链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.202413672
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