【邀您参会】第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2024)

科技   2024-10-24 14:01   广东  



第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2024)将于2024年11月6日至8日中国·深圳隆重举行,聚焦宽禁带半导体(SiC,GaN,Ga2O3,AlN,金刚石等)相关材料、器件及前沿应用汇聚全球知名专家,共同解锁宽禁带半导体材料的前沿技术成果和最新市场动态,交换产业前瞻新观点。会议同期还将设置宽禁带半导体产业专业展区,将集中展示涉及耗材、智能装备、先进材料、器件、封测、终端产品等领域的新技术、新成果、新产品,为宽禁带半导体产业链上下游搭建高效交流的互动平台,推动宽禁带半导体全产业链全球化合作发展!



会议信息 

APCSCRM 2024 Information

一、会议名称/Name:

“芯时代开放创新·芯机遇合作发展”——第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2024)

Open·Innovation·Collaborative Development——the 5th Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2024)

二、会议时间地点/Date&Venue:

2024.11.6—11.8

中国·深圳,深圳坪山格兰云天国际酒店

Grand Skylight International Hotel,

Shenzhen, Guangdong,China

三、会议网址/Website:


https://apcscrm2024.casconf.cn/

去官网查看会议更多信息!

四、组织机构/Organization:

五、会议安排/Schedule:




联合主席

General Assembly Co-Chairs




大会联合主席

General Assembly Co-Chairs


陈小龙

中国科学院物理研究所/研究员;

北京天科合达半导体股份有限公司/首席科学家;

宽禁带半导体技术创新联盟/理事长

Institute of Physics,CAS, Researcher;

Beijing TanKeBlue Semiconductor Co., Ltd. ,Chief Scientist;

Innovation Association of Wide Bandgap Semiconductor Technology (IAWBS)/President


Kevin J . CHEN

香港科技大学,首席教授,中国香港

The Hong Kong University of Science and Technology ,Chair Professor, Hong Kong, China


Daniela Gogova

林雪平大学,首席研究员,保加利亚

Linköping University,Principal Research Engineer, Bulgaria



部分参会嘉宾

 Part of Guests 




 郝 跃 / Yue HAO

中国科学院院士,西安电子科技大学,教授

Academician of Chinese Academy of Sciences;

Xidian University,professor,China


 刘 胜 / Sheng Liu 

中国科学院院士,武汉大学,教授

Academician of Chinese Academy of Sciences;

Wuhan university,professor, China


陈小龙 /Xiaolong CHEN 

中国科学院物理研究所,研究员;

北京天科合达半导体股份有限公司,首席科学家;

宽禁带半导体技术创新联盟,理事长

Institute of Physics,CAS, Researcher;

Beijing TanKeBlue Semiconductor Co., Ltd. ,Chief Scientist;

Innovation Association of Wide Bandgap Semiconductor Technology (IAWBS)/President


 Kevin J . CHEN 

香港科技大学,首席教授,中国香港

The Hong Kong University of Science and Technology ,Chair Professor, Hong Kong, China

报告题目:异质宽禁带半导体功率电子技术

Topic:Heterogenous Wide-Bandgap Semiconductor Power Electronics


Hsien-Chin CHIU 

长庚大学,教授,中国台湾

Chang Gung University,Professor,Taiwan, China

报告题目:高效 PSU 和射频放大器应用对硅基氮化镓电子器件的性能需求

Topic:The Performance Demands to GaN on Si Electronics devices for High Efficiency PSU and RF Amplifiers Applications


Daniela Gogova 

林雪平大学,首席研究员,保加利亚

Linköping University,Principal Research Engineer, Bulgaria

报告题目:开发新一代大功率 Ga2O3材料

Topic:Developing next generation high-power Ga2O3 material


Gourab MAJUMADAR 

Mitsubishi Electric Corporation,高级研究员,日本

Mitsubishi Electric Corporation,Senior Fellow, Japan

报告题目:硅基和宽禁带功率半导体的趋势与挑战

Topic:Silicon and WBG power semiconductor trends and challenges


Yasuto HIJIKATA 

琦玉大学 ,教授,日本

Saitama University,Professor,Japan

报告题目:一种嵌入MOS接口色心的SiC单光子发射器件

Topic:A SiC Single-Photon Emitting Device Embedded with the MOS Interface Color Centers


Niraj Mahadev 

Entegris,新市场业务副总裁

Entegris Vice-President, New Markets

报告题目:行业领先的碳化硅CMP解决方案,助力实现最低拥有成本

Topic:Industry Leading SiC CMP Solutions for Lowest Cost Of Ownership


Noriyuki IWAMURO 

筑波大学 ,教授,日本

University of Tsukuba,Professor,Japan

报告题目:SiC MOSFETs 研究进展

Topic:Recent Progress of SiC MOSFETs


Hiroshi Kanazawa

Resonac Corporation,SiC研发部总监,日本

Resonac Corporation,Head of SiC Research and Development Department,Japan

报告题目:Resonac SiC外延片研发综述

Topic:Review for Resonac’s SiC Epiwafer Development


JIANBO LIANG 

大阪公立大学,教授,中国

Osaka Metropolitan University,Professor,China 

报告题目:3C-SiC与多晶金刚石的直接键合技术在高功率GaN器件中的应用

Topic:Direct bonding of 3C-SiC and polycrystalline diamond for high-power GaN device applications


Francis Chi-Chung LING 

香港大学,副教授,中国香港

THE UNIVERSITY OF HONG KONG,Associate Professor,Hongkong,China  

报告题目:SiC 器件的缺陷工程

Topic:Defect engineering of SiC devices


Josef LUTZ

开姆尼兹工业大学,教授,德国

Chemnitz University of Technology,Professor,Germany  

报告题目:SiC MOSFET 体二极管的开关行为和坚固性

Topic:The SiC MOSFET body diode switching behavior and ruggedness


Vinod Nair 

Halo Industries,Inc.,销售总监,美国

Halo Industries,Inc.,Head Sales and Marketing,America

报告题目:通过激光加工和新商业模式实现碳化硅 200 毫米大批量生产 

Topic:Enabling SiC 200mm High Volume Manufacturing Through Laser Based Processing and New Business Models 


Hideki Sako 

Toray Research Center, Inc.,实验室主任,日本

Toray Research Center, Inc.,Laboratory Chief,Japan

报告题目:利用透射电子显微镜和镜面投影电子显微镜表征SiC晶圆CMP过程中局部引入的抛光损伤

Topic:Characterization of polishing-related damage locally introduced during CMP in SiC wafer using transmission electron microscopy and mirror projection electron microscopy


Tan CheeKeong 

香港科技大学(广州),副教授;

广州拓诺稀科技有限公司, 创始人,马来西亚

The Hong Kong University of Science and Technology(Guangzhou),Associate Professor,Malaysia

报告题目:超宽禁带氧化镓化合物薄膜设计与制备

Topic:Ultrawide bandgap gallium oxide compound semiconductor thin film design and epitaxial growth


Yokoo HIDEKAZU 

日本爱发科株式会社,技术总监,日本

ULVAC, Inc.,Technical Director,Japan

报告题目:离子注入技术研究

Topic:Regarding SiC ion implantation technology


Yoon Soon Fatt 

新加坡国立大学,教授,新加坡

National University of Singapore,Technical Professor, Singapore

报告题目:大晶格失配III-V半导体集成的挑战——材料视角

Topic:Challenges in large lattice-mismatched III-V semiconductors integration – A Materials Perspective


安海洋/Haiyang AN 

北京国瑞升科技集团股份有限公司,研发工程师,中国

Beijing Grish Hitech Co., Ltd.,Research and Development Engineer,China

报告题目:碳化硅衬底材料研磨抛光耗材和工艺技术

Topic: Consumables and Process Technology for Silicon Carbide Substrate Material


敖金平/Jinping AO 

江南大学/教授,中国

Jiangnan University,professor,China

报告题目:基于氮化镓半导体技术的微波无线供电技术和坚固性

Topic:Gallium nitride semiconductor technology-based microwave wireless power transmission technology


白雨虹/Yuhong BAI   

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所/副总师;

Light品牌创始人,《Light: Science & Applications》期刊执行主编

Changchun Institute of Optics, Mechanics and Physics, CAS,Vice President;

Journal of Light: Science&Applications Journal,Executive Editor,China

报告题目:AI时代的出版

Topic:Publishing in the time of AI


暴杰 /Jie BAO 

中国第一汽车集团有限公司研发总院 功率电子开发部部长,中国

CHINA FAW GROUP CO., LTD.,Director of Power Electronics Development Department,China

报告题目:碳化硅功率器件的车规级应用及技术需求

Topic:Application and technology of automotive-level silicon carbide power devices


陈立烽/Lifeng CHEN  

英飞凌,高级技术总监,中国

Infineon Greater China, Senior Technical Director , China

报告题目:CoolSiC™ MOSFET 助力高效高功率密度的电力电子系统设计

Topic:CoolSiC™ MOSFET enable high efficiency and power density design for power electronics system


陈文杰/Wenjie CHEN 

阳光电源股份有限公司,技术总监,中国

SUNGROW,Technical Director, China  

报告题目:应用于新能源行业的碳化硅器件并联技术

Topic:SiC mosfet paralleling technology for renewable energy application


孔谋夫/Moufu KONG 

电子科技大学,教授,中国

University of Electronic Science and Technology of China,Professor,China  


孔 亮 /Liang KONG   

青岛中微创芯电子有限公司,董事长,中国

Qingdao Zhongwei Chuangxin Electronics Co., Ltd, Chairman,China  

报告题目:塑封碳化硅模块封装工艺

Topic:Packaging process for frame-based silicon carbide modules


雷 云/ Yun LEI

昆明理工大学,教授,中国

Kunming University of Science and Technology,professor,China

报告题目:稀土助溶剂溶液法低温快速生长SiC单晶的研究

Topic:Rapid growth of SiC single crystal in rare-earths cosolvent solution at low temperature using


黎大兵 /Dabing LI 

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,研究员,中国

Changchun Institute of Optics, Mechanics and Physics, CAS,Professor,China

报告题目:AlN基紫外光电材料与器件

Topic:AlN based ultraviolet optoelectronic materials and devices


李培刚 /Peigang LI 

北京邮电大学,教授,中国

Beijing University of Posts and Telecommunications,Professor,China

报告题目:超宽禁带半导体氧化镓外延薄膜的制备及应用

Topic:Fabrication and Applications of Ultra-wide Bandgap Semiconductor Ga2O3 Epitaxial films


李晓航/Xiaohang LI 

阿卜杜拉国王科技大学(KAUST),副教授,KAUST创新中心副主任,中国

King Abdullah University of Science & Technology(KAUST), Associate Professor, Deputy Director of the KAUST Innovation Center,China

报告题目:宽禁带金属氧化物半导体——摩尔定律的未来

Topic:Wide Bandgap Metal Oxide Semiconductors for Future of Moore’s Law 


林学春/Xuechun LIN 

中国科学院半导体研究所,研究员,中国

Institute of Semiconductor, CAS,Professor, China

报告题目:激光精密加工碳化硅技术研究

Topic:Research on Laser Precision Manufacturing Technology of Silicon Carbide


林永桃/Gavin LIN   

3M 电子研磨材料技术经理,中国

3M Electronics Abrasive Technical Manager, China

报告题目:3M 解决方案如何提高 SiC 工艺的产量、稳定性和成本拥有率

Topic:How 3M solution improves yield, stability, and cost ownership for SiC process


刘春俊/Chunjun LIU 

北京天科合达半导体股份有限公司董事、副总经理,中国

TankeBlue Semiconductor Co., Ltd,Director, Deputy General Manager, China

报告题目:8英寸碳化硅衬底和外延技术进展

Topic:Progress in 8-inch silicon carbide substrate and epitaxial technology


刘国友/Guoyou LIU 

功率半导体与集成技术全国重点实验室副主任;中车科学家,中国

Guoyou LIU   CRRC Scientist, China

报告题目:SiC功率半导体技术及其进展

Topic:SiC Power Semiconductor technology and Progress


欧 欣 /Xin OU 

中国科学院上海微系统与信息技术研究所,研究员,中国

Shanghai institute of Microsystemand Information Technology, CAS,Professor, China 

报告题目:异质集成XOI材料与器件技术

Topic:Heterogeneous Integration XOI Materials and Devices


唐德明/Deming Tang 

优睿谱半导体设备有限公司,总经理,美国

AVANT Semiconductor Equipment Co., Ltd. ,General Manager,America

报告题目:优睿谱在碳化硅制造工艺中量检测设备开发新进展

Topic:AVANTsemi Progress Update on Development of Metrology, Defect  Inspection and Electrical  Property Measurement Equipment in SiC and Other Semiconductor Manufacturing Process


陶绪堂/Xutang TAO 

山东大学,教授,中国

Shandong University,Profess

报告题目:氧化镓单晶生长与缺陷研究

Topic:Study on the growth and defects of gallium oxide single crystal


万玉喜/Yuxi WAN 

深圳平湖实验室,主任,中国

SHENZHEN PINGHU LABORATORY,Director,China

报告题目:宽禁带半导体功率器件、SiC产业发展与技术挑战

Topic:Wide bandgap semiconductor power devices, SiC industry development and technical challenges


吴会旺/Huiwang WU 

河北普兴电子科技股份有限公司,技术总监,中国

HeBei Poshing Electronics Technology Co., Ltd., Technical Director,China


徐 科  /Ke XU

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,研究员;苏州纳维科技有限公司,董事长,中国

Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics,CAS,Professor;Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd.,Chairman,China


许照原/Zhaoyuan XU 

进化半导体(深圳)有限公司,总经理,中国

Evolution Semiconductor (Shenzhen) Co., Ltd., General manager,China

报告题目:氧化镓材料产业化的困境与突破

Topic:MOSFETIndustrialisation of Ga2O3 - Dilemmas and breakthroughs


袁锋/Frankie YUAN  

芯联集成电路制造股份有限公司,联合创始人/芯联动力 董事长,中国

United Nova Technology Co.,Ltd.,Co-Founder /Chairman-UNT Power,China


袁俊/Jun YUAN  

九峰山实验室,碳化硅首席专家,中国

JFS  Laboratory, Chief Expert of SiC,China

报告题目:两种新型1200V碳化硅沟槽MOSFET器件的研制

Topic:Research on Two novel 1200V Silicon Carbide Trench MOSFET


张金风/Jinfeng ZHANG 

西安电子科技大学,教授,中国

Xidian University,Professor,China

报告题目:金刚石辐射探测器级材料制备和器件性能研究

Topic:Research on material fabrication and device performance of diamond radiation detector


张清纯/Qingchun ZHANG 

复旦大学,特聘教授;清纯半导体(宁波)有限公司,董事长,中国

Fudan University,Professor; SiCChain Semiconductor (Ningbo) Co., Ltd., Chairman,China


张锡强/Xiqiang ZHANG 

上海磐云科技有限公司,磐云研究院院长,中国台湾

Shanghai Panyun Technology Co.,Ltd.,Director of Panyun Research Institute, Taiwan,China

报告题目:大尺寸电阻加热式碳化硅晶体长晶炉

Topic:Large-size resistance heating type silicon carbide crystal growth furnace




周 洋/Yang ZHOU

阿基米德半导体(合肥)有限公司,CTO,中国

AC-SEMI Co.,Ltd.,CTO,China

报告题目:DFX:电力电子器件和模组高良率和极致可靠性协同设计

Topic:DFX:Collaborative Design of High Yield and Ultimate Reliability for Power Electronic Devices and Modules


*(以上排名均按姓氏首字母排序)

(Alphabetically by surname)


报告嘉宾精彩摘要请戳>>>>>>>



会议委员会

Committee





顾问委员会

Advisory committee

Hiroshi Kanazawa、Noriyuki IWAMURO、Won-Jae LEE、Guo-quan LU、Josef  LUTZ、Gourab MAJUMDAR、Tadatomo SUGA、Katsuaki SUGANUMA、Toru UJIHARA、郝跃、江风益、李树深、刘明、刘胜、刘益春、罗毅、彭练矛、田永君、屠海令、王占国、杨德仁、叶志镇、俞大鹏、张跃、郑婉华、郑有炓、祝宁华、祝世宁、邹广田



组织委员会

Organizing committee

Andy、Manabu ARAI、Tony Chau、Hsien-Chin CHIU、Poshun CHIU、Andy Chuang、Yasuto HIJIKATA、Lee Kung-Ye、Chi Chung Ling 、Teng LONG、Li LongZheng、Hideharu MATSUURA、Tokuyasu MIZUHARA、Chulmin OH、Noboru OHTANI、Norbert Pluschke、Man Hoi Wong 、Liang Wu、Hidekazu YOKOO、敖金平、柏松、陈弘达、丛茂杰、董博宇、郭丽伟、郝建民、贾志泰、金鹏、于彤军、马雷、李晋闽、李忠辉、李泠、林健、刘冰冰、刘国友、刘建利、刘锋、龙世兵、陆海、马琰铭、马晓华、潘林、皮孝东、秦明礼、沈波、唐为华、陶绪堂、万玉喜、王宏兴、王燕、温旭辉、徐科、杨媛、杨小天、杨霏、于洪宇、张源涛、张清纯、郑雪峰、仲正、朱嘉琦



程序委员会

Procedure committee

主席:彭同华 (天科合达 董事/常务副总经理)

副主席:刘祎晨、曾江、王文军、许恒宇

委员:陈炳安、陈蛟、陈天宇、邓小川、冯淦、高冰、关赫、郭辉、郭建刚、郭清、郭钰、韩景瑞、和巍巍、侯喜锋、黄志伟、霍永隽、吉丽霞、贾强、贾仁需、金锐、金士锋、孔令沂、雷光寅、李辉、李赟、梁琳、刘春俊、刘南柳、娄艳芳、梅云辉、倪炜江、宁圃奇、钮应喜、潘建宇、潘尧波、任泽阳、史慧玲、宋波、宋华平、汤益丹、王晨曦、王东萃、王刚、王蓉、王伟达、王英民、魏进、徐永宽、许照原、闫方亮、杨恒、杨树、应天平、袁俊、曾正、张峰、张国强、张瑾、张楠、张星、张旭芳、张泽盛、张紫辉、赵鹏、郑红军、郑伟、郑泽东、钟蓉


*(以上排名均按姓氏首字母排序)

(Alphabetically by surname)



  部分参会单位  

Participating enterprise



更多参会单位持续更新中...

More companies continue to be updated...


会议赞助

Sponsorship




展位赞助/Exhibit Booth 



赞助单位/Sponsors

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Ms Chen/13155757628

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商务合作 Business Cooperation

陈老师 Ms. Chen:86-13155757628

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征文投稿 Submission

侯老师Mr. Hou:86-13811837211

E-mail: mishuchu@iawbs.com

参会报名 Participant Registration

Ms. Zhou:86-17854177403

刘老师Ms. Liu:86-18931699592

E-mail: apcscrm@iawbs.com

会议信息持续更新,敬请期待!

Stay tuned for continued updates on the conference!



END

SEMI-e 2025第七届深圳国际半导体展(简称:SEMI-e) 将于2025年6月25-27日在深圳国际会展中心(宝安新馆)4/6/8号馆隆重举行!本届展会将聚焦半导体行业的各个细分领域,全面展示半导体行业的新技术、新产品、新亮点、新趋势,汇聚超过900家展商,以人工智能、算力存储、芯片设计、晶圆制造、先进封装、半导体专用设备及零部件、先进材料及碳材料、碳化硅/氮化镓等第三代半导体、IGBT、功率器件、电力电子及汽车半导体、光伏半导体、显示半导体等为主,全面展示集成电路和半导体最新的制造和解决方案。


SEMI-e多年来深耕半导体展会领域,已发展成为半导体行业极具影响力的专业展会平台之一。SEMI-e 2025 第七届深圳国际半导体展由多家行业协会联合主办,将延续覆盖60,000m²展出面积,携手900余家展商,开启精彩纷呈的50+主题活动,预计迎来超70,000名行业人士参观。

2025年6月25-27日

2025 SEMI-e第七届深圳国际半导体展

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参展咨询:18926799965 王小姐

参展咨询:13543266785 贾小姐

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SEMI-e第七届深圳国际半导体展将于2025.06.25-27在深圳国际会展中心4/6/8号馆举办,展出面积达60000m²,参展企业900+,专业观众70000+
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