第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2024)将于2024年11月6日至8日在中国·深圳隆重举行,聚焦宽禁带半导体(SiC,GaN,Ga2O3,AlN,金刚石等)相关材料、器件及前沿应用汇聚全球知名专家,共同解锁宽禁带半导体材料的前沿技术成果和最新市场动态,交换产业前瞻新观点。会议同期还将设置宽禁带半导体产业专业展区,将集中展示涉及耗材、智能装备、先进材料、器件、封测、终端产品等领域的新技术、新成果、新产品,为宽禁带半导体产业链上下游搭建高效交流的互动平台,推动宽禁带半导体全产业链全球化合作发展!
会议信息
APCSCRM 2024 Information
联合主席
General Assembly Co-Chairs
大会联合主席
General Assembly Co-Chairs
陈小龙
中国科学院物理研究所/研究员;
北京天科合达半导体股份有限公司/首席科学家;
宽禁带半导体技术创新联盟/理事长
Institute of Physics,CAS, Researcher;
Beijing TanKeBlue Semiconductor Co., Ltd. ,Chief Scientist;
Innovation Association of Wide Bandgap Semiconductor Technology (IAWBS)/President
Kevin J . CHEN
香港科技大学,首席教授,中国香港
The Hong Kong University of Science and Technology ,Chair Professor, Hong Kong, China
Daniela Gogova
林雪平大学,首席研究员,保加利亚
Linköping University,Principal Research Engineer, Bulgaria
部分参会嘉宾
Part of Guests
郝 跃 / Yue HAO
中国科学院院士,西安电子科技大学,教授
Academician of Chinese Academy of Sciences;
Xidian University,professor,China
刘 胜 / Sheng Liu
中国科学院院士,武汉大学,教授
Academician of Chinese Academy of Sciences;
Wuhan university,professor, China
陈小龙 /Xiaolong CHEN
中国科学院物理研究所,研究员;
北京天科合达半导体股份有限公司,首席科学家;
宽禁带半导体技术创新联盟,理事长
Institute of Physics,CAS, Researcher;
Beijing TanKeBlue Semiconductor Co., Ltd. ,Chief Scientist;
Innovation Association of Wide Bandgap Semiconductor Technology (IAWBS)/President
Kevin J . CHEN
香港科技大学,首席教授,中国香港
The Hong Kong University of Science and Technology ,Chair Professor, Hong Kong, China
报告题目:异质宽禁带半导体功率电子技术
Topic:Heterogenous Wide-Bandgap Semiconductor Power Electronics
Hsien-Chin CHIU
长庚大学,教授,中国台湾
Chang Gung University,Professor,Taiwan, China
报告题目:高效 PSU 和射频放大器应用对硅基氮化镓电子器件的性能需求
Topic:The Performance Demands to GaN on Si Electronics devices for High Efficiency PSU and RF Amplifiers Applications
Daniela Gogova
林雪平大学,首席研究员,保加利亚
Linköping University,Principal Research Engineer, Bulgaria
报告题目:开发新一代大功率 Ga2O3材料
Topic:Developing next generation high-power Ga2O3 material
Gourab MAJUMADAR
Mitsubishi Electric Corporation,高级研究员,日本
Mitsubishi Electric Corporation,Senior Fellow, Japan
报告题目:硅基和宽禁带功率半导体的趋势与挑战
Topic:Silicon and WBG power semiconductor trends and challenges
Yasuto HIJIKATA
琦玉大学 ,教授,日本
Saitama University,Professor,Japan
报告题目:一种嵌入MOS接口色心的SiC单光子发射器件
Topic:A SiC Single-Photon Emitting Device Embedded with the MOS Interface Color Centers
Niraj Mahadev
Entegris,新市场业务副总裁
Entegris Vice-President, New Markets
报告题目:行业领先的碳化硅CMP解决方案,助力实现最低拥有成本
Topic:Industry Leading SiC CMP Solutions for Lowest Cost Of Ownership
Noriyuki IWAMURO
筑波大学 ,教授,日本
University of Tsukuba,Professor,Japan
报告题目:SiC MOSFETs 研究进展
Topic:Recent Progress of SiC MOSFETs
Hiroshi Kanazawa
Resonac Corporation,SiC研发部总监,日本
Resonac Corporation,Head of SiC Research and Development Department,Japan
报告题目:Resonac SiC外延片研发综述
Topic:Review for Resonac’s SiC Epiwafer Development
JIANBO LIANG
大阪公立大学,教授,中国
Osaka Metropolitan University,Professor,China
报告题目:3C-SiC与多晶金刚石的直接键合技术在高功率GaN器件中的应用
Topic:Direct bonding of 3C-SiC and polycrystalline diamond for high-power GaN device applications
Francis Chi-Chung LING
香港大学,副教授,中国香港
THE UNIVERSITY OF HONG KONG,Associate Professor,Hongkong,China
报告题目:SiC 器件的缺陷工程
Topic:Defect engineering of SiC devices
Josef LUTZ
开姆尼兹工业大学,教授,德国
Chemnitz University of Technology,Professor,Germany
报告题目:SiC MOSFET 体二极管的开关行为和坚固性
Topic:The SiC MOSFET body diode switching behavior and ruggedness
Vinod Nair
Halo Industries,Inc.,销售总监,美国
Halo Industries,Inc.,Head Sales and Marketing,America
报告题目:通过激光加工和新商业模式实现碳化硅 200 毫米大批量生产
Topic:Enabling SiC 200mm High Volume Manufacturing Through Laser Based Processing and New Business Models
Hideki Sako
Toray Research Center, Inc.,实验室主任,日本
Toray Research Center, Inc.,Laboratory Chief,Japan
报告题目:利用透射电子显微镜和镜面投影电子显微镜表征SiC晶圆CMP过程中局部引入的抛光损伤
Topic:Characterization of polishing-related damage locally introduced during CMP in SiC wafer using transmission electron microscopy and mirror projection electron microscopy
Tan CheeKeong
香港科技大学(广州),副教授;
广州拓诺稀科技有限公司, 创始人,马来西亚
The Hong Kong University of Science and Technology(Guangzhou),Associate Professor,Malaysia
报告题目:超宽禁带氧化镓化合物薄膜设计与制备
Topic:Ultrawide bandgap gallium oxide compound semiconductor thin film design and epitaxial growth
Yokoo HIDEKAZU
日本爱发科株式会社,技术总监,日本
ULVAC, Inc.,Technical Director,Japan
报告题目:离子注入技术研究
Topic:Regarding SiC ion implantation technology
Yoon Soon Fatt
新加坡国立大学,教授,新加坡
National University of Singapore,Technical Professor, Singapore
报告题目:大晶格失配III-V半导体集成的挑战——材料视角
Topic:Challenges in large lattice-mismatched III-V semiconductors integration – A Materials Perspective
安海洋/Haiyang AN
北京国瑞升科技集团股份有限公司,研发工程师,中国
Beijing Grish Hitech Co., Ltd.,Research and Development Engineer,China
报告题目:碳化硅衬底材料研磨抛光耗材和工艺技术
Topic: Consumables and Process Technology for Silicon Carbide Substrate Material
敖金平/Jinping AO
江南大学/教授,中国
Jiangnan University,professor,China
报告题目:基于氮化镓半导体技术的微波无线供电技术和坚固性
Topic:Gallium nitride semiconductor technology-based microwave wireless power transmission technology
白雨虹/Yuhong BAI
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所/副总师;
Light品牌创始人,《Light: Science & Applications》期刊执行主编
Changchun Institute of Optics, Mechanics and Physics, CAS,Vice President;
Journal of Light: Science&Applications Journal,Executive Editor,China
报告题目:AI时代的出版
Topic:Publishing in the time of AI
暴杰 /Jie BAO
中国第一汽车集团有限公司研发总院 功率电子开发部部长,中国
CHINA FAW GROUP CO., LTD.,Director of Power Electronics Development Department,China
报告题目:碳化硅功率器件的车规级应用及技术需求
Topic:Application and technology of automotive-level silicon carbide power devices
陈立烽/Lifeng CHEN
英飞凌,高级技术总监,中国
Infineon Greater China, Senior Technical Director , China
报告题目:CoolSiC™ MOSFET 助力高效高功率密度的电力电子系统设计
Topic:CoolSiC™ MOSFET enable high efficiency and power density design for power electronics system
陈文杰/Wenjie CHEN
阳光电源股份有限公司,技术总监,中国
SUNGROW,Technical Director, China
报告题目:应用于新能源行业的碳化硅器件并联技术
Topic:SiC mosfet paralleling technology for renewable energy application
孔谋夫/Moufu KONG
电子科技大学,教授,中国
University of Electronic Science and Technology of China,Professor,China
孔 亮 /Liang KONG
青岛中微创芯电子有限公司,董事长,中国
Qingdao Zhongwei Chuangxin Electronics Co., Ltd, Chairman,China
报告题目:塑封碳化硅模块封装工艺
Topic:Packaging process for frame-based silicon carbide modules
雷 云/ Yun LEI
昆明理工大学,教授,中国
Kunming University of Science and Technology,professor,China
报告题目:稀土助溶剂溶液法低温快速生长SiC单晶的研究
Topic:Rapid growth of SiC single crystal in rare-earths cosolvent solution at low temperature using
黎大兵 /Dabing LI
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,研究员,中国
Changchun Institute of Optics, Mechanics and Physics, CAS,Professor,China
报告题目:AlN基紫外光电材料与器件
Topic:AlN based ultraviolet optoelectronic materials and devices
李培刚 /Peigang LI
北京邮电大学,教授,中国
Beijing University of Posts and Telecommunications,Professor,China
报告题目:超宽禁带半导体氧化镓外延薄膜的制备及应用
Topic:Fabrication and Applications of Ultra-wide Bandgap Semiconductor Ga2O3 Epitaxial films
李晓航/Xiaohang LI
阿卜杜拉国王科技大学(KAUST),副教授,KAUST创新中心副主任,中国
King Abdullah University of Science & Technology(KAUST), Associate Professor, Deputy Director of the KAUST Innovation Center,China
报告题目:宽禁带金属氧化物半导体——摩尔定律的未来
Topic:Wide Bandgap Metal Oxide Semiconductors for Future of Moore’s Law
林学春/Xuechun LIN
中国科学院半导体研究所,研究员,中国
Institute of Semiconductor, CAS,Professor, China
报告题目:激光精密加工碳化硅技术研究
Topic:Research on Laser Precision Manufacturing Technology of Silicon Carbide
林永桃/Gavin LIN
3M 电子研磨材料技术经理,中国
3M Electronics Abrasive Technical Manager, China
报告题目:3M 解决方案如何提高 SiC 工艺的产量、稳定性和成本拥有率
Topic:How 3M solution improves yield, stability, and cost ownership for SiC process
刘春俊/Chunjun LIU
北京天科合达半导体股份有限公司董事、副总经理,中国
TankeBlue Semiconductor Co., Ltd,Director, Deputy General Manager, China
报告题目:8英寸碳化硅衬底和外延技术进展
Topic:Progress in 8-inch silicon carbide substrate and epitaxial technology
刘国友/Guoyou LIU
功率半导体与集成技术全国重点实验室副主任;中车科学家,中国
Guoyou LIU CRRC Scientist, China
报告题目:SiC功率半导体技术及其进展
Topic:SiC Power Semiconductor technology and Progress
欧 欣 /Xin OU
中国科学院上海微系统与信息技术研究所,研究员,中国
Shanghai institute of Microsystemand Information Technology, CAS,Professor, China
报告题目:异质集成XOI材料与器件技术
Topic:Heterogeneous Integration XOI Materials and Devices
唐德明/Deming Tang
优睿谱半导体设备有限公司,总经理,美国
AVANT Semiconductor Equipment Co., Ltd. ,General Manager,America
报告题目:优睿谱在碳化硅制造工艺中量检测设备开发新进展
Topic:AVANTsemi Progress Update on Development of Metrology, Defect Inspection and Electrical Property Measurement Equipment in SiC and Other Semiconductor Manufacturing Process
陶绪堂/Xutang TAO
山东大学,教授,中国
Shandong University,Profess
报告题目:氧化镓单晶生长与缺陷研究
Topic:Study on the growth and defects of gallium oxide single crystal
万玉喜/Yuxi WAN
深圳平湖实验室,主任,中国
SHENZHEN PINGHU LABORATORY,Director,China
报告题目:宽禁带半导体功率器件、SiC产业发展与技术挑战
Topic:Wide bandgap semiconductor power devices, SiC industry development and technical challenges
吴会旺/Huiwang WU
河北普兴电子科技股份有限公司,技术总监,中国
HeBei Poshing Electronics Technology Co., Ltd., Technical Director,China
徐 科 /Ke XU
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,研究员;苏州纳维科技有限公司,董事长,中国
Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics,CAS,Professor;Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd.,Chairman,China
许照原/Zhaoyuan XU
进化半导体(深圳)有限公司,总经理,中国
Evolution Semiconductor (Shenzhen) Co., Ltd., General manager,China
报告题目:氧化镓材料产业化的困境与突破
Topic:MOSFETIndustrialisation of Ga2O3 - Dilemmas and breakthroughs
袁锋/Frankie YUAN
芯联集成电路制造股份有限公司,联合创始人/芯联动力 董事长,中国
United Nova Technology Co.,Ltd.,Co-Founder /Chairman-UNT Power,China
袁俊/Jun YUAN
九峰山实验室,碳化硅首席专家,中国
JFS Laboratory, Chief Expert of SiC,China
报告题目:两种新型1200V碳化硅沟槽MOSFET器件的研制
Topic:Research on Two novel 1200V Silicon Carbide Trench MOSFET
张金风/Jinfeng ZHANG
西安电子科技大学,教授,中国
Xidian University,Professor,China
报告题目:金刚石辐射探测器级材料制备和器件性能研究
Topic:Research on material fabrication and device performance of diamond radiation detector
张清纯/Qingchun ZHANG
复旦大学,特聘教授;清纯半导体(宁波)有限公司,董事长,中国
Fudan University,Professor; SiCChain Semiconductor (Ningbo) Co., Ltd., Chairman,China
张锡强/Xiqiang ZHANG
上海磐云科技有限公司,磐云研究院院长,中国台湾
Shanghai Panyun Technology Co.,Ltd.,Director of Panyun Research Institute, Taiwan,China
报告题目:大尺寸电阻加热式碳化硅晶体长晶炉
Topic:Large-size resistance heating type silicon carbide crystal growth furnace
周 洋/Yang ZHOU
阿基米德半导体(合肥)有限公司,CTO,中国
AC-SEMI Co.,Ltd.,CTO,China
报告题目:DFX:电力电子器件和模组高良率和极致可靠性协同设计
Topic:DFX:Collaborative Design of High Yield and Ultimate Reliability for Power Electronic Devices and Modules
*(以上排名均按姓氏首字母排序)
(Alphabetically by surname)
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会议委员会
Committee
顾问委员会
Advisory committee
Hiroshi Kanazawa、Noriyuki IWAMURO、Won-Jae LEE、Guo-quan LU、Josef LUTZ、Gourab MAJUMDAR、Tadatomo SUGA、Katsuaki SUGANUMA、Toru UJIHARA、郝跃、江风益、李树深、刘明、刘胜、刘益春、罗毅、彭练矛、田永君、屠海令、王占国、杨德仁、叶志镇、俞大鹏、张跃、郑婉华、郑有炓、祝宁华、祝世宁、邹广田
组织委员会
Organizing committee
Andy、Manabu ARAI、Tony Chau、Hsien-Chin CHIU、Poshun CHIU、Andy Chuang、Yasuto HIJIKATA、Lee Kung-Ye、Chi Chung Ling 、Teng LONG、Li LongZheng、Hideharu MATSUURA、Tokuyasu MIZUHARA、Chulmin OH、Noboru OHTANI、Norbert Pluschke、Man Hoi Wong 、Liang Wu、Hidekazu YOKOO、敖金平、柏松、陈弘达、丛茂杰、董博宇、郭丽伟、郝建民、贾志泰、金鹏、于彤军、马雷、李晋闽、李忠辉、李泠、林健、刘冰冰、刘国友、刘建利、刘锋、龙世兵、陆海、马琰铭、马晓华、潘林、皮孝东、秦明礼、沈波、唐为华、陶绪堂、万玉喜、王宏兴、王燕、温旭辉、徐科、杨媛、杨小天、杨霏、于洪宇、张源涛、张清纯、郑雪峰、仲正、朱嘉琦
程序委员会
Procedure committee
主席:彭同华 (天科合达 董事/常务副总经理)
副主席:刘祎晨、曾江、王文军、许恒宇
委员:陈炳安、陈蛟、陈天宇、邓小川、冯淦、高冰、关赫、郭辉、郭建刚、郭清、郭钰、韩景瑞、和巍巍、侯喜锋、黄志伟、霍永隽、吉丽霞、贾强、贾仁需、金锐、金士锋、孔令沂、雷光寅、李辉、李赟、梁琳、刘春俊、刘南柳、娄艳芳、梅云辉、倪炜江、宁圃奇、钮应喜、潘建宇、潘尧波、任泽阳、史慧玲、宋波、宋华平、汤益丹、王晨曦、王东萃、王刚、王蓉、王伟达、王英民、魏进、徐永宽、许照原、闫方亮、杨恒、杨树、应天平、袁俊、曾正、张峰、张国强、张瑾、张楠、张星、张旭芳、张泽盛、张紫辉、赵鹏、郑红军、郑伟、郑泽东、钟蓉
*(以上排名均按姓氏首字母排序)
(Alphabetically by surname)
部分参会单位
Participating enterprise
会议赞助
Sponsorship
展位赞助/Exhibit Booth
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商务咨询/Contact :
Ms Chen/13155757628
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征文投稿 Submission
侯老师Mr. Hou:86-13811837211
E-mail: mishuchu@iawbs.com
参会报名 Participant Registration
Ms. Zhou:86-17854177403
刘老师Ms. Liu:86-18931699592
E-mail: apcscrm@iawbs.com
会议信息持续更新,敬请期待!
Stay tuned for continued updates on the conference!
END
SEMI-e 2025第七届深圳国际半导体展(简称:SEMI-e) 将于2025年6月25-27日在深圳国际会展中心(宝安新馆)4/6/8号馆隆重举行!本届展会将聚焦半导体行业的各个细分领域,全面展示半导体行业的新技术、新产品、新亮点、新趋势,汇聚超过900家展商,以人工智能、算力存储、芯片设计、晶圆制造、先进封装、半导体专用设备及零部件、先进材料及碳材料、碳化硅/氮化镓等第三代半导体、IGBT、功率器件、电力电子及汽车半导体、光伏半导体、显示半导体等为主,全面展示集成电路和半导体最新的制造和解决方案。
SEMI-e多年来深耕半导体展会领域,已发展成为半导体行业极具影响力的专业展会平台之一。SEMI-e 2025 第七届深圳国际半导体展由多家行业协会联合主办,将延续覆盖60,000m²展出面积,携手900余家展商,开启精彩纷呈的50+主题活动,预计迎来超70,000名行业人士参观。
2025年6月25-27日
2025 SEMI-e第七届深圳国际半导体展
火热招展中 即刻预定展位
参展咨询:18926799965 王小姐
参展咨询:13543266785 贾小姐
商务合作:18926799965 王小姐
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