SEMI-e 深圳国际半导体展
9月11日，英飞凌宣布，公司已成功开发出全球首款12英寸（300mm）功率氮化镓（GaN）晶圆。
来源：英飞凌
英飞凌表示，公司是全球首家在现有可扩展的大批量生产环境中掌握这一突破性技术的公司。这一突破将极大地推动氮化镓功率半导体市场的发展。
英飞凌表示，12英寸晶圆与8英寸晶圆相比，每片能多生产2.3倍数量的芯片，技术和效率显著提升。
英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck表示：“这一技术突破将改变行业格局，并使公司能够释放氮化镓的全部潜力。在收购GaN Systems近一年后，英飞凌掌握了硅、碳化硅和氮化镓三种相关材料的技术。”
英飞凌利用现有成熟生产12英寸硅晶圆和8英寸氮化镓晶圆的能力，公司已成功在奥地利维拉赫的功率工厂中现有的12英寸硅晶圆生产线上制造12英寸氮化镓晶圆。
英飞凌表示，12英寸氮化镓技术的一大优势是可以利用现有的12英寸硅晶圆制造设备，这是因为氮化镓和硅的制造工艺非常相似。英飞凌现有的大规模12英寸硅晶圆生产线是试点可靠氮化镓技术的理想选择，有利于加快实施速度并有效利用资金。
全面规模化量产12英寸氮化镓生产将有助于氮化镓在RDS(on)水平上与硅的成本平价，这意味着同类硅和氮化镓产品的成本持平。
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2025年6月25-27日
2025 SEMI-e第七届深圳国际半导体展
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