成果介绍
随着信息技术的快速发展，偏振光作为显示和数据传输的关键部件，对小型化和高效率的要求越来越高，使得2D半导体成为潜在的候选材料。传统的偏振光通常是由外部光学结构或偏振光产生的，这些结构或偏振光会影响缩放并带来损耗。以往的研究报道了反演不对称2D半导体如BP、AsP和ReS2的偏振光发射，但其发射波长不在可见光范围内。
有鉴于此，近日，东南大学胡振良博士和马亮教授（共同通讯作者）等研究了范德华发光二极管（vdWLED）在单层（ML）过渡金属硫族化合物（TMDCs）中通过诱导非均匀应变的挠曲电效应直接发射线偏振光。本文利用密度泛函理论（DFT）分析了应变对激子结合能和激子偶极矩分布的影响，证明了在室温下可以实现线性偏振度(DOLP)≈17%的线偏振光致发光（PL），且偏振角垂直于应变梯度方向。通过将应变的ML TMDCs结合到vdWLEDs中，可以在RT下观察到DOLP≈19%的电致发光（EL）。该工作提出了一种直接且通用的基于反演对称半导体的偏振LEDs制造策略。
图文导读
图1. 挠性电效应诱导的线偏振光发射及应变ML-TMDC的DFT计算。
图2. 应变ML TMDCs在RT下的PL表征。
图3. 应变ML WS2和WSe2在RT下的EL表征。
文献信息
Direct Linearly Polarized Emission in van der Waals LEDs via Flexoelectric Effect
（Laser Photonics Rev., 2024, DOI:10.1002/lpor.202401319）
文献链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/lpor.202401319
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