成果介绍
WSe2 FET由于其可调谐的极性，实现互补晶体管技术，并且通过材料转移适合柔性电子器件，因此在新兴电子器件中前景广阔。
有鉴于此，近日，德国亚琛工业大学Alwin Daus等展示了柔性p型WSe2 FET，绝对漏极电流|ID|高达7 μA/μm。本文利用金属-有机化学气相沉积在蓝宝石上生长的WSe2，通过结合WSe2和金属接触转移方法制造柔性顶栅FET来实现这一目标。尽管WSe2晶粒尺寸适中，但与文献中大多数剥离的单晶WSe2器件相比，本文的器件显示出相似或更高的|ID|和ID开/关比（~105）。本文使用脉冲和偏置应力测量来分析器件中的电荷俘获。值得注意的是，在脉冲期间保持了高的|ID|值，其中电荷俘获最小化。总的来说，本文展示了一种有利于柔性2D晶体管中高漏极电流的制造方法。
图文导读
图1. 柔性WSe2 FET的制备工艺。
图2. 柔性p型WSe2器件。
图3. 偏置应力下的柔性TMD器件。
图4. 脉冲测试。
文献信息
Flexible p-Type WSe2 Transistors with Alumina Top-Gate Dielectric
（ACS Appl. Mater. Interfaces, 2024, DOI:10.1021/acsami.4c13296）
文献链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.4c13296
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