成果介绍
CH3NH3PbI3 （MAPbI3）与2D范德华材料在横向光电探测器中的界面可以抑制暗电流和驱动电压，但层间电荷分离也会导致电荷动力学变慢。
有鉴于此，近日，美国内布拉斯加大学林肯分校Xia Hong等研究表明，通过单层MAPbI3的平行沟道局部分离光电荷生成和复合，可以在MAPbI3/MoS2横向光电探测器中实现超过一个数量级的更快光响应时间。光电流（Iph）成像显示，单层MAPbI3的电子扩散长度约为20 μm，MAPbI3/MoS2异质结的电子扩散长度约为4 μm。Iph的光照功率缩放和时间分辨光致发光研究表明异质结区域在光生成和单层MAPbI3在电荷复合中起主导作用。本文的研究结果为同时提高光响应率、降低驱动电压和保持高工作速度的材料设计提供了新的思路，为开发基于混合钙钛矿的高性能横向光电探测器铺平了道路。
图文导读
图1. 样品制造和表征。
图2. 光电流成像。
图3. 光电流湮灭过程。
图4. 时间分辨光电流响应。
图5. 时间分辨光致发光。
文献信息
Enabling Fast Photoresponse in Hybrid Perovskite/MoS2 Photodetectors by Separating Local Photocharge Generation and Recombination
（Nano Lett., 2024, DOI:10.1021/acs.nanolett.4c03950）
文献链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.4c03950
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