成果介绍
用于光电探测器的混维范德华异质结（vdWs）由于其优异的兼容性和优良的质量而引起了人们的广泛关注。低维材料异质结由于其纳米级厚度和vdWs接触面而表现出独特的光电性能。
有鉴于此，近日，中科院合肥物质科学研究院李亮研究员团队提出了一种由1D Nb2Pd3Se8纳米线和2D WSe2纳米片组成的新型MD vdWs异质结。异质结的能带工程是通过栅极电压操控双极性2D材料的费米能级来完成的，从而产生可以随栅极电压调节的整流特性。在685 nm激光照射下，该器件表现出优异的自供电光探测性能，光响应率为1.45 A W-1，超高探测率为6.8×1012 Jones，零偏置下的超快响应时间为37/64 μs。此外，还实现了255~1064 nm的宽带光电探测器。这些结果证明了Nb2Pd3Se8/WSe2 MD异质结在先进电子和光电子器件中的巨大潜力。
图文导读
图1. Nb2Pd3Se8/WSe2 MD异质结的表征。
图2. Nb2Pd3Se8/WSe2 MD异质结FET的电学特性。
图3. Nb2Pd3Se8/WSe2器件的能带示意图。
图4. Nb2Pd3Se8/WSe2异质结器件的光电特性。
图5. 成像应用。
文献信息
High-Performance Gate-Voltage-Tunable Photodiodes Based on Nb2Pd3Se8/WSe2 Mixed-Dimensional Heterojunctions
（ACS Appl. Mater. Interfaces, 2024, DOI:10.1021/acsami.4c09682）
文献链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.4c09682
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