ACS Nano:单层WS2中谷极化带电激子的电控制

文摘   2024-11-08 00:03   美国  
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成果介绍
激子是范德华半导体光电应用的关键,具有多功能按需调谐性质的潜力。然而,由于固有的电荷中性和电掺杂引起的额外损失通道,它们的电学操控仍然具有挑战性。
有鉴于此,近日,新加坡科技研究局Kuan Eng Johnson Goh和Sarthak Das(共同通讯作者)等证明了单层WS2在带电激子状态下谷极化的动态电学控制,在非共振激励下,圆极化的程度增加了6倍。与通常使用电学栅控观察到的激子微弱直接调谐相反,带电激子的光致发光保持稳定,即使电子掺杂增加了散射。通过在激子共振处进行激励,本文观察到随着电子掺杂在栅极偏置下的变化,带电态居群发生了可重复的非单调切换,表明中性和带电激子态之间存在共振相互作用。
         

 

图文导读    
图1. 共振和非共振激发下激子复合物的PL测量。
         

 

图2. 带电双激子的栅极相关光谱学和谷偏振的动态调制。
         

 

   
图3. 共振激励下共振耦合带电激子复合物的调制。
         

 

图4. Quinton态极化的电开关。    
         

 

文献信息
Electrical Control of Valley Polarized Charged Exciton Species in Monolayer WS2
ACS Nano, 2024, DOI:10.1021/acsnano.4c11080)
文献链接:https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.4c11080    

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