碳化硼 (B4C) 陶瓷因其低密度、高熔点、高硬度、高化学稳定性、优异的耐磨性和良好的中子吸收能力等优良特性,在航空航天、军事、核能等领域具有巨大的应用潜力。然而,B4C 陶瓷的断裂韧性较差,且其强共价键导致扩散系数低,难以通过传统的无压烧结实现致密化。尽管添加烧结助剂如铝、钛、氧化铝、氧化锆和碳化钛硅等可以提高 B4C 的烧结性和断裂韧性,但即使使用碳化钛硅,通过传统无压烧结获得致密的 B4C 基陶瓷仍需要 2200°C 的高温烧结 1 小时,效率低下且能耗高。热压烧结可以降低烧结温度和烧结时间,但传统热压烧结的加热和冷却速率低,烧结时间仍然较长,效率低且能耗高。火花等离子烧结可以进一步降低烧结温度和烧结时间,但所需的电流很高,导致能耗巨大。因此,开发一种能够在低温下快速致密化 B4C 基陶瓷的新方法具有重要的意义。
1. 新型超快速压力烧结 (UPS) 技术: 该技术利用直接焦耳加热,通过石墨毡产生高温,在较低温度下实现 B4C 基复合材料的快速致密化。
2. 低温、快速致密化: 相比于传统烧结方法,UPS 技术可以将烧结温度降低至 1550°C,并将烧结时间缩短至 2 分钟以内,大大提高了烧结效率和降低了能耗。
3. 瞬态液相的形成和作用: B4C 和 TiSi2 之间的反应形成了 TiSi2-Si 共晶液相,该液相作为润滑剂,降低了 B4C 颗粒之间的摩擦,促进了颗粒重排和致密化。
4. 压力引导的颗粒重排: 压力的作用进一步促进了颗粒重排,并引导液相填充孔隙,从而实现了样品的快速致密化。
5. 力学性能的提升: 通过 UPS 技术制备的 B4C-TiB2-SiC 复合材料,其弹性模量和断裂韧性显著提高,主要归因于 TiB2 相的加入和裂纹偏转效应。
图1展示了超快速压力烧结 (UPS) 设备的结构示意图、石墨毡的结构、典型的烧结和压力曲线,以及 UPS 过程中的典型照片。UPS 设备主要由石墨毡、BN 块、样品和压头组成。石墨毡作为加热元件,通过直接焦耳加热产生高温。BN 块用于保护样品免受污染,并传递压力。样品放置在 BN 块之间,并通过压头施加压力。图1(a) 中的石墨毡中心区域被切割成开放柱状空间,形成高电阻区域,从而产生集中的焦耳加热区域。图1(b) 显示了石墨毡的结构,包括中心凹陷区域和分割的开放柱状空间。图1(c) 展示了典型的烧结和压力曲线,样品以 150°C/min 的速率加热至 1550°C,并在 30 MPa 的压力下维持 2 分钟。图1(d) 显示了 UPS 过程中的典型照片,包括样品在石墨毡中的位置和 BN 块的连接。
图2展示了不同烧结条件下制备的样品的抛光表面光学显微照片。图2(a1-a4) 显示了在不同压力下烧结的 B4C-18 vol% TiSi2 样品的显微结构。随着压力的增加,样品的相对密度显著提高,在 30 MPa 压力下,样品几乎完全致密。图2(b1-b4) 显示了在不同 TiSi2 含量下烧结的样品的显微结构。随着 TiSi2 含量的增加,样品的相对密度也显著提高,在 18 vol% TiSi2 含量下,样品几乎完全致密。
图3展示了烧结样品的微观结构和成分分析结果。图3(a) 是烧结样品的扫描电镜 (SEM) 照片,显示了样品的致密结构和细小的孔隙。图3(b) 是样品的 SEM 照片和相应的元素分布图,表明样品中存在 B4C、SiC 和 TiB2 相。图3(c) 是 TiSi2 粉末、B4C 粉末和烧结样品的 X 射线衍射 (XRD) 图谱,证实了样品中存在 B4C、SiC 和 TiB2 相,且 TiSi2 已经完全反应。
图4展示了烧结样品的高分辨率微观结构和成分分析结果。图4(a) 是烧结样品的透射电镜 (TEM) 照片,显示了样品的细小晶粒和晶界。图4(b) 是图4(a) 的局部放大图,展示了样品中 B4C、SiC 和 TiB2 相的晶粒形态。图4(c-h) 是样品的选区电子衍射 (SAED) 图谱和高分辨率透射电镜 (HRTEM) 照片,进一步证实了样品中存在 B4C、SiC 和 TiB2 相,并揭示了它们的晶格结构。
图5展示了 B4C-18 vol% TiSi2 样品的差示扫描量热 (DSC) 曲线、不同烧结阶段样品的 XRD 图谱和 SEM 照片,以及反应和致密化过程的示意图。图5(a) 的 DSC 曲线显示,在 660°C 和 1338°C 处分别存在放热峰和吸热峰,分别对应于 B4C 粉末的表面氧化和 TiSi2 与 Si 的共晶反应。图5(b) 的 XRD 图谱展示了不同烧结阶段样品的物相组成,证实了 TiSi2 与 B4C 之间的反应过程。图5(c-f) 的 SEM 照片和元素分布图展示了不同烧结阶段样品的微观结构和成分分布,揭示了 TiSi2-Si 共晶液相的形成和 B4C 颗粒的重排。图5(g) 的示意图展示了反应和致密化过程,包括固体接触反应、共晶反应、液相烧结和气相烧结等步骤。
图6展示了纯 B4C 和 B4C-TiB2-SiC 样品的维氏压痕和裂纹扩展情况。图6(a, b) 分别展示了纯 B4C 和 B4C-TiB2-SiC 样品的维氏压痕形貌。图6(a1, b1) 分别展示了纯 B4C 和 B4C-TiB2-SiC 样品的裂纹扩展路径。纯 B4C 样品的裂纹扩展路径相对笔直,而 B4C-TiB2-SiC 样品的裂纹扩展路径在相界面处发生偏转,这主要归因于 TiB2 相的加入和残余应力的影响。
文献信息:Yu Sun, Xiang-Yu Bai, Rui-Fen Guo, Ping Shen. Ultrafast pressure sintering of B4C-based composites via direct Joule heating. Journal of Materials Science & Technology, Volume 210,
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