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第一作者:丁志杰
通讯作者:李鹏,董红刚
通讯单位:大连理工大学
论文链接:
https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c03115
摘要
在轻质Fe-Al扩散偶中实现快速原子迁移的研究中,合理设计短路扩散路径至关重要。本研究提出了一种应变介导的缺陷工程策略,旨在降低空位激活能并增强沿位错(DLs)和晶界(GBs)的扩散行为。通过改进的阿伦尼乌斯型关系,利用缺陷工程获得了界面表观激活能139 kJ/mol,比之前降低了约49%。这一成果与Fe和Al材料中形成的高密度空位、DLs和GBs密切相关,为原子迁移提供了更多低激活能路径。第一性原理计算表明,应变的引入削弱了原子与空位之间的键合,从而降低了由单空位介导的晶格扩散势垒。体相中异常的电子-电荷分布和Al/Fe界面处的强吸引力共同促进了原子的快速迁移,共同调节了“断裂-形成键”过程。
研究成果
大连理工大学材料科学与工程学院董红刚教授、李鹏教授团队在《Nano Letters》上发表了题为“Strain-mediated defect engineering toward rapid atomic migration in Fe-Al diffusion couples”的论文本研究通过应变工程策略,成功在Fe-Al扩散偶中实现了快速原子迁移。实验结果表明,引入应变可以显著降低扩散激活能,提高原子沿晶格缺陷的迁移速率。通过微观结构表征,研究者们详细描绘了界面层的形态,并评估了相应的激活能。在873 K下处理7200秒后,未处理和变形的Fe-Al扩散偶中分别形成了厚度为5.6微米和16.5以及22.5微米的单缺陷界面层,表明应变的应用显著加速了扩散偶的制造过程。
论文亮点
1.应变介导的缺陷工程策略:提出了一种新颖的应变介导的缺陷工程策略,通过引入应变来降低空位激活能,增强原子沿位错和晶界的扩散行为。
2.显著降低激活能:通过缺陷工程,将界面表观激活能从原来的278 kJ/mol降低到139 kJ/mol,降幅达到了49%。
3.原子迁移速率的显著提升:在66.7%应变度下,Al5Fe2层的最大生长速率是没有应变时的18倍,显著提高了Fe-Al结构的原子迁移速率。
图文导读
图1:展示了缺陷工程的设计图和界面层的定量评估,包括设计示意图、XRD图谱、生长速率、激活能和Fe-Al扩散偶的生长动力学比较。
图2:在66.7%应变下,Fe和Al的微观结构表征,包括极点图、晶界参考取向偏差图、晶界分布图和明场图像。
图3:在66.7%应变下,Fe和Al的原子结构,包括高分辨透射电镜图像、强度线剖面和逆快速傅里叶变换图案。
图4:通过MD/DFT表征的修改结构,包括应力-应变曲线、位错演变、电荷分布和原子迁移路径模型。
结论
本研究通过应变介导的缺陷工程策略,实现了Fe-Al扩散偶中快速原子迁移的调控。通过降低空位激活能和调节GBs和DLs作为短路扩散通道,显著提高了原子迁移速率。这一发现为轻质Fe-Al结构的快速制造提供了新的视角,并为缺陷工程在扩散偶中的应用提供了理论基础。
作者简介
李鹏,副教授、博士生导师,大连理工大学材料科学与工程学院院长助理。入选辽宁省兴辽英才计划-青年拔尖人才、大连理工大学星海学者人才培育计划、大连市青年科技之星、大连市高层次人才、中国博士后科学基金百优获得者、人社部博士后国际交流派出计划。主要从事先进材料高性能连接(扩散连接、钎焊和摩擦焊)技术与理论方面的研究工作。主持国家自然科学基金面上项目和青年项目等纵向项目10余项;作为技术骨干参与国家重点研发计划、国家自然科学基金项目6项。近5年发表SCI论文50余篇,第一作者SCI论文19篇,ESI高被引1篇,授权国家发明专利5项,制定行业标准2项。
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