​新加坡国立大学/苏州科技大学,AM!

学术   2024-11-17 08:31   广东  
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光催化双电子氧还原反应(ORR)可以直接将太阳能转化为H2O2。尽管具有合适带状结构的多种光催化剂可用于H2O2生成,但是增强与光生电荷分离和转移相关的电荷动力学仍然具有挑战性,这限制了H2O2的生产速率。在这种情况下,构建异质结构,特别是Z型配置,是解决上述问题的一个有效策略。
值得注意的是,不同半导体之间的晶格不匹配直接影响界面电荷动力学。此外,在异质界面产生内置电场(BIEF)的能力对于促进界面电荷转移至关重要。因此,设计一个具有BIEF和最小晶格失配的共价键桥联异质界面以协同优化光催化H2O2的产生是非常可取的。
近日,新加坡国立大学林志群苏州科技大学杨鸿斌胡俊蝶等在密度泛函理论(DFT)计算的指导下,设计了一个具有强共价键桥(In-S-Cd)和相干异质界面的In2S3/CdS异质结,并且该催化剂具有从In2S3到CdS的BIEF,大大提高了H2O2的光合效率。
理论计算表明,CdS(Eg=2.4 eV)和In2S3(Eg=2.0 eV)作为模型半导体具有优异的光电性能;并且,CdS(001)和In2S3(110)叠加形成亲密的共价异质界面,利用CdS的最外层S原子作为锚定位点与In2S3连接(即形成In-S-Cd桥),使得界面δ超小,达到0.27%。
更重要的是,设计良好的异质结构有利于在H2O2生成过程中吸附*O2和生成*OOH中间体。优化的In2S3/CdS异质结实现了2.09 mmol g-1 h-1的优异H2O2产生速率,在400 nm处表现出17.73%的高AQE,并且避免了氧气鼓泡和牺牲剂的需要,超过了先前报道的大多数催化剂。
机理研究证实,在可见光照射下In2S3/CdS的光生电子被激发到半导体的CB中,而光生空穴保留在VB中。CdS的CB中的电子通过共价In-S-Cd桥与In2S3的空穴发生重组,从而在异质界面形成内置电场。异质界面上的BIEF反过来促进了电荷的快速分离和运输,导致更多的分离的氧化还原中心具有更强的氧化还原能力。光激发电子主要在In2S3上积累,并迅速参与ORR反应生成H2O2,而空穴主要集中在CdS上进行水氧化反应生成O2,为H2O2的生成提供了必要的组分。
总的来说,该项工作突出了剪裁界面晶格失配和建立一个稳定的BIEF在增强光催化方面的有效性,为设计高效的光催化剂提供了思路。
Lattice match-enabled covalent heterointerfaces with built-in electric field for efficient hydrogen peroxide photosynthesis. Advanced Materials, 2024. DOI: 10.1002/adma.202412070

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