Fab厂里的量测设备种类丰富，以下是一些常见的设备：
光刻工艺量测设备
• 光刻机对准精度量测设备：如ASML的对准测量系统，可保证不同层图案精确叠加.
• 光刻胶厚度量测仪：包括椭偏仪等，基于光的偏振特性计算光刻胶厚度.
• ADI t和AEI检测设备：光刻后检测光刻胶显影效果和图案质量，如维普光电的相关检测设备.
蚀刻工艺量测设备
• 蚀刻深度量测设备：像白光干涉仪，可精确测量蚀刻深度的微小变化.
• 蚀刻轮廓量测仪：利用电子束或光学成像技术测量蚀刻后图案的侧壁角度等轮廓信息.
• CD-SEM：可精确测量晶体管等微观结构的尺寸.
薄膜沉积工艺量测设备
• 薄膜厚度量测仪：如光学反射仪、X射线反射仪等，可测量沉积在晶圆表面的各种薄膜厚度.
• 薄膜应力量测设备：通过测量薄膜在晶圆表面产生的应力，判断薄膜质量及其对晶圆性能的潜在影响.
掺杂工艺量测设备
• 离子注入剂量量测设备：通过监测离子注入过程中的束流强度等参数或对注入后的晶圆进行电学测试，确定离子注入剂量.
• 掺杂浓度和分布量测设备：例如二次离子质谱仪（SIMS）和扩展电阻探针（SRP），可测量掺杂元素在晶圆中的浓度和分布情况.
CMP工艺量测设备
• 抛光后平整度量测设备：使用光学轮廓仪等设备测量抛光后晶圆表面的平整度.
• 抛光去除量量测设备：通过测量抛光前后晶圆表面某一标记的深度或厚度变化，确定抛光过程中的材料去除量.
晶圆颗粒检测设备
• KLA SP 1/2/3/5/7等设备：可有效检测晶圆表面的颗粒污染情况.
• TORNADO系列：维普光电的TORNADO系列设备可以对晶圆的颗粒等缺陷进行检测，并生成缺陷Map图，反馈给相关工艺进行调整.
• ALFA-X智能视觉检测设备：通过CCD-AI影像控制系统，利用位移、视觉传感技术对晶圆图像进行判别，检测晶圆表面的颗粒等缺陷.
其他量测设备
• 光学显微镜：用于观察晶圆表面的微观结构和缺陷.
• 扫描电子显微镜（SEM）：可提供更高分辨率的图像，用于观察晶圆表面的微观形貌等.
• 原子力显微镜（AFM）：能够测量晶圆表面的粗糙度等信息.
• 椭圆偏振仪：除测量光刻胶厚度外，还可用于测量薄膜的厚度、折射率等参数.
• 四探针测试仪：用于测量晶圆的电阻率等电学性能参数.
• X射线衍射仪（XRD）：可分析晶圆材料的晶体结构和应力状态等.
• X射线光电子能谱仪（XPS）：用于分析晶圆表面的元素组成和化学状态.
• 聚焦离子束显微镜（FIB）：可对晶圆进行微纳加工和分析.
• 宏观ADI设备：如Circle机台，用于宏观检测光刻后的图案缺陷等.
• 光罩缺陷检测设备：检测掩膜版上的缺陷，确保光刻图案的准确性.
• 透射电子显微镜（TEM）：可观察晶圆内部的微观结构和缺陷.
• 无线测温晶圆传感器：适用于多种工艺设备内部，测量温度精度以及均匀性.
