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海力士，三星HBM4采用“无助焊剂”键合，进一步降低层间间隙。
据韩媒 ETNews 报道，三星电子、SK 海力士、美光均对在下代 HBM4 内存中采用无助焊剂键合技术抱有兴趣，正在进行技术准备。
快克智能603203：公司拥有无助焊剂真空焊接工艺，应用于半导体封装领域，与华为拥有先进封装芯片专利。
据韩媒 ETNews 报道，三星电子、SK 海力士、美光均对在下代 HBM4 内存中采用无助焊剂键合（Fluxless Bonding）技术抱有兴趣，正在进行技术准备。
SK 海力士此前已宣布了 16 层堆叠 HBM3E，而从整体来看 HBM 内存将于 HBM4 开始正式转向 16 层堆叠。由于无凸块的混合键合技术尚不成熟，传统有凸块方案预计仍将是 HBM4 16Hi 的主流键合技术。
更多的 DRAM Die 层数意味着 HBM4 16Hi 需要进一步地压缩层间间隙，以保证整体堆栈高度维持在 775 μm（IT之家注：即 0.775 mm）的限制内。
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