据路透社报道，SK集团会长崔泰源（Chey Tae-won）于11月4日（周一）透露，英伟达公司（NVIDIA Corporation）首席执行官黄仁勋已要求内存芯片制造商SK海力士（SK hynix Inc.）提前6个月供应下一代高带宽内存（HBM），即HBM4。
报道指出，SK海力士自9月开始量产12层HBM3E，并计划从本季度开始向某客户供应其最新产品。然而，黄仁勋的提前供应要求似乎加速了SK海力士的HBM4研发进度。SK海力士在10月曾表示，计划在2025年下半年向客户供应HBM4。但SK海力士发言人在周一表示，这一时间表实际上比最初的目标还要快。
此前，韩联社在9月的报道中提到，SK海力士计划在2025年供应12层HBM4，并在2026年推出16层HBM4。此次黄仁勋的提前要求显然对SK海力士的供应计划产生了积极影响。
在业务层面，英伟达对HBM4的迫切需求反映了人工智能（AI）领域对高性能内存解决方案的强劲需求。据Business Insider在10月的报道，黄仁勋在印度孟买举行的AI峰会上表示，尽管AI目前尚不具备取代人类的能力，但它有可能将20-50%的工作内容效率提升1000倍。
SK海力士在10月也指出，HBM、eSSD等AI服务器内存需求在今年显著增长，并预计这一趋势将持续到明年。这一增长趋势主要得益于生成式AI正在向多模态形式发展，全球大型科技企业也在持续投资开发通用人工智能（AGI）。
此外，美光科技（Micron Technology Inc.）首席执行官Sanjay Mehrotra在9月的财报电话会议上透露，今明两年美光的HBM产能已经销售一空，且价格已经敲定。这进一步证明了市场对高性能内存解决方案的强烈需求。
然而，在整体内存市场方面，情况并非完全乐观。据MarketWatch报道，苹果公司（Apple Inc.）财务长Luca Maestri在10月31日的采访中表示，大多数原材料价格都会下跌，但NAND和DRAM内存价格在上季度走高，并预计本季度将再次上涨。这可能对SK海力士和其他内存芯片制造商的盈利能力构成一定压力。
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