新加坡国立大学侯毅&嘉兴大学尹新星团队最新EES:溴取代自组装单层使1.79 eV宽带隙钙钛矿太阳电池的Voc超S-Q限值90%

文摘   2025-01-09 23:02   浙江  

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摘要

全钙钛矿串联太阳能电池(TSC) 效率面临着宽带隙(WBG) 子电池中开路电压(VOC) 损失显著的挑战。因此,新加坡国立大学侯毅&嘉兴大学尹新星团队采用溴取代策略开发了一种新型自组装单层 (4-(3,11-二溴-7H-二苯并[c,g]咔唑-7-基)丁基)膦酸 (DCB-Br-2),作为 1.79 eV WBG 钙钛矿太阳能电池的空穴传输层,相关成果发表于Energy & Environmental Science期刊。DCB-Br-2中的溴将一对非键合电子捐献给未配位的 Pb2+ 离子或卤化物空位,增强了与钙钛矿层的相互作用并抑制了界面非辐射复合。DCB-Br-2 还可以调整能级排列,促进快速空穴提取。优化后的WBG 太阳能电池的最大Voc为 1.37 V,超过了 Shockley-Queisser 极限的90%。结合 1.25 eV 窄带隙子电池,这实现了双端全钙钛矿TSC,其功率转换效率高达27.70%


    DCB-Br-2作为用于1.79-eV宽带隙钙钛矿太阳能电池的自组装单层(SAM)材料。其分子结构基于特定的终端基团 DCB,在 3,11 位置引入了溴(Br)取代基。与其他类似 SAM 材料(如 DCB - C4POH 和 DCB - Br - 1)相比,它具有独特的性能优势。

    SAMs 的性质

    AFM显示ITO/SAMs的均方根粗糙度按DCB-C4POH(1.9 nm)、DCB-Br-1(1nm)、DCB-Br-2(0.5nm)顺序降低,DCB-Br-2的HTL涂层最均匀。

    UV-vis 透射光谱表明 DCB-Br-2 在可见光区的透射率略高于其他两种,可能有助于提高短路电流(Jsc)。

    SAMs 与钙钛矿的相互作用

    XPS 结果显示,DCB-Br-2与钙钛矿中未配位的 Pb²⁺离子或卤化物空位的相互作用最强,能有效钝化缺陷,抑制非辐射复合,这归因于其较高的电子密度和较小的空间位阻。

    基于DCB-Br-2的钙钛矿薄膜晶粒尺寸较大、无针孔,且PL强度和均匀性更高,进一步证明其对钙钛矿质量的提升作用。

    能级排列分析

    高斯计算和 UPS 测量表明,DCB-Br-2的最高占据分子轨道(HOMO)能级最低,为-5.45 eV,其与钙钛矿的价带偏移最小(0.05 eV),能促进空穴从钙钛矿层向 HTL 快速提取。

    KPFM 和 TRPL 结果也证实 DCB - Br - 2 具有更好的能级排列和更快的空穴提取速度,且能有效抑制界面非辐射复合。

    宽带隙 PSCs 的性能及 Voc 损失分析

    DCB - Br - 2 基器件性能最佳,反向扫描时 Voc 达 1.37 V,功率转换效率(PCE)为 20.76%,填充因子(FF)为 83.53%,Jsc 为 18.12 mA/cm²,且迟滞可忽略,其 Voc 是目前报道的 1.76 - 1.80 eV 宽带隙 PSCs 中的较高值,超过 S - Q 极限的 90%,Voc 损失仅 0.42 V。

    通过稳态 PL、PLQY、SCLC 等分析表明,DCB - Br - 2 能降低缺陷态密度,抑制非辐射复合,从而提高 Voc 和 FF,降低 Urbach 能,减少电子无序性。

    全钙钛矿 TSCs 的性能

    将优化的 WBG 顶电池与 1.25 - eV NBG 底电池集成,其中 NBG 子电池经 EDAI 后处理性能提升。

    DCB - Br - 2 基 TSC 表现突出,反向扫描时冠军效率达 27.70%(Voc = 2.11 V,FF = 79.81%,Jsc = 16.49 mA/cm²),且具有良好的稳定性,在连续 1 - sun 光照 440 小时后仍保持初始 PCE 的 80%。

    • 论文标题:《Surpassing 90% Shockley - Queisser Voc Limit in 1.79 eV Wide - Bandgap Perovskite Solar Cells Using Bromine - Substituted Self - Assembled Monolayers》

    • 发表期刊:《Energy & Environmental Science》

    • 发表时间:2025年1月8日

    • 作者:Z. Wei, Q. Zhou, X. Niu, S. Liu, Z. Dong, H. Liang, J. Chen, Z. Shi, X. Wang, Z. Jia, X. Guo, R. Guo, X. Meng, Y. Wang, N. Li, Z. Xu, Z. Li, A. G. Aberle, X. Yin and Y. Hou

    查看原文(点击底部阅读原文跳转):

    https://doi.org/10.1039/D4EE04029E



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