TOPCoN叠层的研发已经成为热点，近日港城大朱宗龙联合深圳技术大学徐芳、北京理工大学白杨、晶科能源徐孟雷、张昕宇等通过“卤化物锁定”策略，引入多功能铵盐硫代乙酰乙酰胺盐酸盐（TAACl）的策略。制备宽带隙钙钛矿太阳能电池在小面积（0.0414 cm2）和大面积（1.0208 cm2）器件中分别产生了1.074和1.040的优异开路电压填充因子乘积（VOC×FF）。TOPCon硅子电池的相应大面积串联太阳能电池实现了创纪录的31.32%的PCE，显著的VOC为1.931V，FF为81.54%。
我们来看看这个制作过程，包括TOPCon 硅太阳能电池的制备及整个叠层电池体系的制备
前驱体溶液制备
过将 18.2mg 的碘化铯（CsI）、23.6mg 的甲基溴化铵（MABr）、192.6mg 的甲脒碘化铵（FAI）、536mg 过量 10% 的碘化铅（）、131mg 的溴化铅（）溶解在 1mL 二甲基甲酰胺（DMF）与二甲基亚砜（DMSO）体积比为 4:1 的混合溶剂中，制备 1.4M 的钙钛矿前驱体溶液，以形成 1.68eV 的钙钛矿。
钙钛矿薄膜制备
将 60μL 钙钛矿溶液以 1000rpm 的转速旋涂在玻璃 / ITO / 空穴传输层（HTL）上 10 秒，随后以 4000rpm 的转速旋涂 30 秒。对于对照薄膜，在旋涂结束前 15 秒将 150μL 氯苯（CB）缓慢滴在薄膜中心；对于目标薄膜，在前驱体中加入 5% 的硫代乙酰乙酰胺盐酸盐（TAACl）并进行相同处理。制备好的钙钛矿薄膜随后在 100°C 的热板上退火 15 分钟。整个薄膜制备过程在手套箱中进行
单结钙钛矿太阳能电池的制备
其次，将以 4000rpm 的转速旋涂在经 UV / 臭氧处理的玻璃 / ITO 基板上 30 秒，然后在 130°C 下退火 10 分钟。接着，将 MeO - 2PACz（）以 4000rpm 的转速旋涂 30 秒，再在 100°C 下退火 10 分钟。（将-PEAI（）溶解在 IPA 中）钝化层以 4000rpm 的转速旋涂 30 秒，然后在 100°C 下退火 10 分钟。通过依次在堆叠层上热蒸发（25nm）、BCP（6nm）和银（100nm）完成表面处理的器件制备。最后，在 ITO 基板背面沉积 120nm 厚的氟化镁层以提高透光率。
TOPCon 硅太阳能电池的制备
1、使用工业可行的低成本电池制造工艺
首先使用传统工业碱性织构工艺，利用氢氧化钾（KOH）和有机添加剂溶液对硅片表面进行织构处理。
3、形成硼发射极
接着进行工业 HF/HNO₃蚀刻工艺，以去除硅片背面的扩散层。
5、定义台面区域
使用皮秒紫外激光定义台面区域，该区域即为叠层电池的有源区，然后在的 KOH 中去除激光造成的损伤。
6、背面热氧化层生长与多晶硅沉积
随后在硅片背面生长一层薄的热氧化层，并在下通过低压化学气相沉积（LPCVD）沉积本征多晶硅。
多晶硅掺杂与前端处理
将本征多晶硅在扩散炉中掺杂形成多晶硅，然后进行单面 KOH 蚀刻工艺，去除硅片正面的环绕多晶硅。
表面清洗与钝化
用氢氟酸（HF）去除硅片正面的硼硅玻璃（BSG）和背面的磷硅玻璃（PSG）层，并在 RCA 清洗液和去离子水中清洗。最后用原子层沉积（ALD）对织构表面进行钝化，并覆盖 PECVD SiNₓ。
电极制备
在硅片织构表面丝网印刷 Ag/Al 浆料，并在带式炉中烧结形成欧姆接触，接触指间距为。
单片钙钛矿 / TOPCon 硅叠层太阳能电池的制备
