为什么突破28nm是中美科技战分水岭？中国已经成功地研发了一系列不同制程的光刻机，包括90、65、45以及28纳米等。其中，28纳米光刻机是一个重要的突破节点，因为它采用了浸润式技术，这是从28纳米到7纳米DUV光刻机所共用的技术。如果中国能够掌握浸润式技术，那么就有可能在未来实现14纳米、7纳米DUV光刻机的自主研发。所以中国已经走在了正确的半导体科技发展路径上。路选对了，剩下就是努力赶超。
在EUV光刻机的三大核心技术方面，中国已经在高精度弧形反射镜系统和高速超精密激光干涉仪方面取得突破。尽管取得了这些重大进展，但我们在光刻机技术的研发上仍面临一些挑战。例如，EUV光源系统的研发是EUV光刻机的心脏部件，没有EUV级光源，其他光刻机部件即使全部造出来也无法使用。此外，芯片制造的光刻胶、光刻机的原理业内都知道，但关键是工艺的难度与精度非常高，上下游的技术与原材料短板还很多。
在光刻机技术的全球竞争中，荷兰的ASML公司无疑是领先者，特别是在极紫外（EUV）光刻机领域。ASML是目前全球唯一能够量产EUV光刻机的企业，这种光刻机可以实现5nm甚至3nm以下的工艺节点。ASML的EUV光刻机被认为是集成电路制造领域的“标杆”，并且其技术实力依赖于全球供应链和美欧国家的技术合作。
日本也是光刻机技术的主要参与者，尤其在传统光刻机市场上有着显著的地位。但就EUV光刻机而言，荷兰ASML仍然占据着绝对的领导地位。除了荷兰和日本，其他国家如美国和韩国在光刻机技术上也有所发展，但在高端EUV光刻机领域，它们还没有达到ASML的水平。例如，美国的Cymer和日本的Gigaphoton是目前能够生产EUV光源的两家公司。
虽然全球多个国家在光刻机技术上都有所投入和发展，但荷兰阿斯麦ASML在高端EUV光刻机技术上的领先地位是显而易见的。中国在这一领域虽然取得了一些进展，但与ASML等公司相比，仍有较大的技术差距。中国正在努力追赶，特别是在EUV光刻机的关键部件研究和系统集成方面。
中国在光刻机技术上的进展是一个里程碑事件，它不仅对半导体产业有着深远的影响，也是中国科技实力增长的一个明显标志。这将有助于中国在全球科技舞台上发挥更大的影响力。但仍需克服一些技术和工艺上的难题。这些努力对于减少对外部技术依赖和推动国内半导体产业的发展具有重要意义。中国在光刻机技术上取得的成就具备重大的意义。
实现国产半导体核心技术自主性。这标志着中国在关键高科技领域的自主创新能力，减少了对外部先进技术的依赖。还将促进其他相关科技领域的研究和开发，带动整个高科技产业的进步。
带动整个半导体产业转型和升级，经济结构改善。光刻机是半导体制造的核心设备，中国的突破将推动国内半导体产业链的升级和完善。随着半导体产业的发展，相关的经济效益和就业机会也将随之增加。发展类似台积电一样的高端制造业，是中国制造业转型升级最重要的一个环节。目前中国的低端制造业都在向人力更便宜的东南亚转移，而中国具备熟练的产业工人和巨大的内需，因此高端制造业是中国经济未来的增长动力。
持续提供中国半导体产业的国际竞争力。拥有自主研发的光刻机技术，中国能在全球半导体市场中占据更有利的竞争位置。为其他国家提供技术支持，特别是一带一路的国家，以及那些和美国彻底闹掰了的，比如俄罗斯，朝鲜，伊朗等。打造科技第二平面，让更多的国家享受中国产业链国产化的红利，不再被美国卡脖子。
十年磨一剑，一朝露锋芒。厚积薄发，迎来突破。中国半导体行业走在了正确的战略路径上，未来必将成为全球第二极。倪光南院士该感到欣慰了，这么多年的奔走呼吁，终于要一个一个落地实现了。再也不用担心被西方厂家卡脖子，不用过看别人脸色的日子了。
