近日国产GKJ成了热搜，成为各大媒体讨论的对象
1、参考ASML GKJ参数，此次公布的ArF是成熟GKJ？
早在9月9日，工信部公众号发布了《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》，在电子专用设备部分，公布了氟化氪和氟化氩两款GKJ，其中ArF GKJ引起了媒体广泛的讨论。根据ArF GKJ公布的核心参数，单就照明波长193nm、分辨率65nm而言，与之相对应的是ASML 干式ArF GKJ 1460（波长193nm、分辨率65nm），65nm的分辨率与ASML 1980i 38nm的分辨率有不小的差距，因此我们认为工信部公布的是一台成熟制程的GKJ，众所周知：1980i 通过多重曝光理论上可以做到7nm（2018年台积电最早实现该工艺），此次公布的国产ArF GKJ理论上通过多重曝光可以达到28nm，但考虑到套刻精度只有8nm，远低于1980i 的1.6nm，多重曝光存在较大误差，量产用于生产制造28nm的概率较低。
2、国产GKJ具备重要意义，有望复制其他前道设备突破？
虽然此次公布的GKJ离我们期待先进GKJ（高端浸没式）仍有一定差距，至少是0-1的巨大突破，国产GKJ商业化应用的开始，可以去参考其他设备的国产化进程，此外我们也从产业调研了解到国产浸没式GKJ机台已经在下游晶圆产线上做相关测试验证。GKJ一直是板块投资担心的瓶颈问题，2024年1-7月GKJ进口累计金额51.27亿美元，同比+79%，24M7单月11.42亿美元的GKJ进口金额，同比+82.57%，历史单月第二高，24M7进口GKJ单价4231万美元，同比+1.43%，环比+52.67%，我国对荷兰GKJ进口均价维持在高位，我们推测高端GKJ（ArFi）持续拉货，短期看GKJ进口数量高增支撑大陆晶圆厂扩产，中长期看好国产GKJ的突破。
3、不止GKJ，其他的前道设备已经触及先进制程节点？
除了GKJ，此次工信部还公布了其他核心前道半导体设备，我们注意到干法刻蚀、PVD、CVD、CMP、Track、清洗等相关工艺节点等于或优于28nm，工信部共发布的信息无疑于直接官宣了国产半导体设备向先进制程的突破，根据我们产业调研，部分企业相关设备实际上已经触及更为先进制程节点，我们认为中国大陆先进制程扩产的产业趋势已经确立。
