康奈尔大学，重磅Nature！
文摘
2024-11-23 07:31
青海
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氮化镓（GaN）是一种广泛应用于光电子和高频电子设备的极宽带隙半导体材料。由于其优异的发光效率和热稳定性，GaN在微型LED、激光二极管和高电子迁移率晶体管（HEMT）等领域展现出广阔的应用前景。与传统硅材料相比，GaN具有更高的饱和电子迁移率和更好的热导率，能够在更高功率和频率下工作。然而，GaN器件的制造成本和复杂性仍然是一个重大挑战。近日，来自康奈尔大学Len van Deurzen研究课题组的研究团队在GaN基单片集成技术上取得了新进展。他们设计并制备了一种双电子结构的氮化镓HEMT-LED集成器件，实现了电子和光子的高效协同工作。利用独特的单片集成设计，该团队显著提高了器件的开关性能和光输出效率，成功获取了高频开关操作和可调光强的结果。这项研究为未来的光电子集成电路提供了新的方向，展示了在同一基片上同时实现电子和光子功能的巨大潜力，进一步推动了氮化镓材料在新型光电子和射频应用中的应用。
