​云南大学,Adv. Sci.: 富空位V3S4纳米片上锚定单原子W,加速电催化HER

学术   2024-11-27 08:30   广东  
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过渡金属二卤化物(TMD)如MoS2、NiS2、Co9S8、VS2、VS4和V3S4具有良好的对氢原子的吸附能力和结构稳定性。钒硫化物,特别是V0.5VS2形式的V3S4,具有独特单斜NiAs型晶体结构、大的层间距(0.569 nm)和电导率。由VS2单分子层和另外的V原子连接相邻的层组成的柱状层状结构,提供了调节催化活性的多个活性位点。

先前的研究证实通过缺陷工程能够获得更合适的表面电子结构。这些缺陷能够充当金属节点,促进局域电子重分布,加快电荷转移速率。同时,在原子水平上引入金属杂原子能够诱导晶体畸变,调节能带结构和价态,从而优化中间体的吸附/解吸动力学。因此,将富缺陷的V3S4基催化剂与高负载金属原子相结合,有望通过MIS和由此产生的协同效应来提高碱性HER性能。

近日,云南大学胡广志肖雪春陈安然等采用水热-原位锚定法成功地在V3S4纳米薄片的硫空位(Sv)上锚定了高载量的W单原子(W-V3S4),其中W单原子的载量为25.1 wt%。

一系列系统的表征和理论计算表明,首先,W-V3S4催化剂上高负载和分散的W SAs增加了活性中心;其次,富S空位缺陷与W SAs之间具有强的相互作用;还有就是,W SAs的锚定使得V3S4的电荷密度重新分布,有效地加速了水的解离,优化了氢中间体的吸附/解吸,协同提高了整体HER活性。

因此,在1.0 M KOH溶液中,W-V3S4催化剂在10 mA cm-2电流密度下的HER过电位仅为54 mV,在100 mV过电位下的质量活性为88.8 A gW-1,Tafel斜率为44 mV dec-1。同时,W-V3S4在酸性(0.5 M H2SO4)和中性(1.0 M PBS)电解质中也表现出良好的催化活性,突出了其广泛的适用性。

此外,W-V3S4能够在电流密度为20 mA cm-2下连续稳定反应50小时后,即使在高电流密度(200 mA cm-2)下连续运行100小时,催化剂的活性衰减也可以忽略不计。

总的来说,该项工作不仅证实了利用缺陷固定单原子催化剂对于提高HER活性具有重要作用,而且为扩展氢能量转换异质结构的应用研究提供了新的途径。

Electronic structure engineering of single-atom tungsten on vacancy-enriched V3S4 nanosheets for efficient hydrogen evolution. Advanced Science, 2024. DOI: 10.1002/advs.202409855

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