ETCH
何谓蚀刻(Etch)? 答:将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。 蚀刻种类:
答:(1) 干蚀刻(2) 湿蚀刻
蚀刻对象依薄膜种类可分为:
答:poly,oxide, metal
何谓 dielectric 蚀刻(介电质蚀刻)?
答:Oxide etch and nitride etch
半导体中一般介电质材质为何?
答:氧化硅/氮化硅
何谓湿式蚀刻
答:利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除
何谓电浆 Plasma? 答:电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子,
负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压. 何谓干式蚀刻?
答:利用 plasma 将不要的薄膜去除
何谓 Under-etching(蚀刻不足)? 答:系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留 何谓 Over-etching(过蚀刻 )
答:蚀刻过多造成底层被破坏
何谓 Etch rate(蚀刻速率)
答:单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度
何谓 Seasoning(陈化处理) 答:是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真(dummy) 晶圆进 行数次的蚀刻循环。
Asher 的主要用途:
答:光阻去除
Wet bench dryer 功用为何?
答:将晶圆表面的水份去除
列举目前 Wet bench dry 方法:
答:(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry
何谓 Spin Dryer
答:利用离心力将晶圆表面的水份去除
何谓 Maragoni Dryer
答:利用表面张力将晶圆表面的水份去除
何谓 IPA Vapor Dryer
答:利用 IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除
测 Particle 时,使用何种测量仪器?
答:Tencor Surfscan
测蚀刻速率时,使用何者量测仪器?
答:膜厚计,测量膜厚差值
何谓 AEI
答:After Etching Inspection 蚀刻后的检查
AEI 目检 Wafer 须检查哪些项目:
答:(1) 正面颜色是否异常及刮伤 (2) 有无缺角及 Particle (3)刻号是否正确 金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理?
答:清机防止金属污染问题
金属蚀刻机台 asher 的功用为何?
答:去光阻及防止腐蚀
金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗?
答:因为金属线会溶于硫酸中
"Hot Plate"机台是什幺用途?
答:烘烤
Hot Plate 烘烤温度为何?
答:90~120 度 C
何种气体为 Poly ETCH 主要使用气体?
答:Cl2, HBr, HCl
用于 Al 金属蚀刻的主要气体为 答:Cl2, BCl3
用于 W 金属蚀刻的主要气体为 答:SF6
何种气体为 oxide vai/contact ETCH 主要使用气体? 答:C4F8, C5F8, C4F6
硫酸槽的化学成份为:
答:H2SO4/H2O2
AMP 槽的化学成份为:
答:NH4OH/H2O2/H2O
UV curing 是什幺用途?
答:利用 UV 光对光阻进行预处理以加强光阻的强度 "UV curing"用于何种层次?
答:金属层
何谓 EMO?
答:机台紧急开关
EMO 作用为何? 答:当机台有危险发生之顾虑或已不可控制,可紧急按下 湿式蚀刻门上贴有那些警示标示?
答:(1) 警告.内部有严重危险.严禁打开此门 (2) 机械手臂危险. 严禁打开此门 (3) 化 学药剂危险. 严禁打开此门
遇化学溶液泄漏时应如何处置?
答:严禁以手去测试漏出之液体. 应以酸碱试纸测试. 并寻找泄漏管路.
遇 IPA 槽着火时应如何处置??
答:立即关闭 IPA 输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组 BOE 槽之主成份为何?
答:HF(氢氟酸)与 NH4F(氟化铵).
BOE 为那三个英文字缩写 ?
答:Buffered Oxide Etcher 。
有毒气体之阀柜(VMB)功用为何? 答:当有毒气体外泄时可利用抽气装置抽走,并防止有毒气体漏出 电浆的频率一般 13.56 MHz,为何不用其它频率? 答:为避免影响通讯品质,目前只开放特定频率,作为产生电浆之用,如 380~420KHz ,13.56MHz,2.54GHz 等
何谓 ESC(electrical static chuck)
答:利用静电吸附的原理, 将 Wafer 固定在极板 (Substrate) 上 Asher 主要气体为
答:O2
Asher 机台进行蚀刻最关键之参数为何?
答:温度
简述 TURBO PUMP 原理
答:利用涡轮原理,可将压力抽至 10-6TORR
热交换器(HEAT EXCHANGER)之功用为何? 答:将热能经由介媒传输,以达到温度控制之目地
简述 BACKSIDE HELIUM COOLING 之原理? 答:藉由氦气之良好之热传导特性,能将芯片上之温度均匀化
ORIENTER 之用途为何?
答:搜寻 notch 边,使芯片进反应腔的位置都固定,可追踪问题
简述 EPD 之功用
答:侦测蚀刻终点;End point detector 利用波长侦测蚀刻终点
何谓 MFC?
答:mass flow controler 气体流量控制器;用于控制 反应气体的流量
GDP 为何?
答:气体分配盘(gas distribution plate)
GDP 有何作用?
答:均匀地将气体分布于芯片上方
何谓 isotropic etch?
答:等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率均等
何谓 anisotropic etch?
答:非等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率少
何谓 etch 选择比?
答:不同材质之蚀刻率比值
何谓 AEI CD?
答:蚀刻后特定图形尺寸之大小,特征尺寸(Critical Dimension)
何谓 CD bias?
答:蚀刻 CD 减蚀刻前黄光 CD
简述何谓田口式实验计划法?
答:利用混合变因安排辅以统计归纳分析
何谓反射功率? 答:蚀刻过程中,所施予之功率并不会完全地被反应腔内接收端所接受,会有部份值反射 掉,此反射之量,称为反射功率
Load Lock 之功能为何?
答:Wafers 经由 loadlock 后再进出反应腔,确保反应腔维持在真空下不受粉尘及湿度 的影响.
厂务供气系统中何谓 Bulk Gas ?
答:Bulk Gas 为大气中普遍存在之制程气体, 如 N2, O2, Ar 等. 厂务供气系统中何谓 Inert Gas?
答:Inert Gas 为一些特殊无强烈毒性的气体, 如 NH3, CF4, CHF3, SF6 等. 厂务供气系统中何谓 Toxic Gas ?
答:Toxic Gas 为具有强烈危害人体的毒性气体, 如 SiH4, Cl2, BCl3 等. 机台维修时,异常告示排及机台控制权应如何处理? 答:将告示牌切至异常且将机台控制权移至维修区以防有人误动作 冷却器的冷却液为何功用 ?
答:传导热
Etch 之废气有经何种方式处理 ?
答:利用水循环将废气溶解之后排放至废酸槽
何谓 RPM?
答:即 Remote Power Module,系统总电源箱.
火灾异常处理程序
答:(1) 立即警告周围人员. (2) 尝试 3 秒钟灭火. (3) 按下 EMO 停止机台. (4) 关闭 VMB Valve 并通知厂务. (5) 撤离.
一氧化碳(CO)侦测器警报异常处理程序
答:(1) 警告周围人员. (2) 按 Pause 键,暂止 Run 货. (3) 立即关闭 VMB 阀,并通知厂务. (4) 进行测漏.
高压电击异常处理程序
答:(1) 确认安全无虑下,按 EMO 键(2) 确认受伤原因(误触电源,漏水等)(3) 处理受伤 人员
T/C (传送 Transfer Chamber) 之功能为何 ?
答:提供一个真空环境, 以利机器手臂在反应腔与晶舟间传送 Wafer,节省时间. 机台 PM 时需佩带面具否
答:是,防毒面具
机台停滞时间过久 run 货前需做何动作
答:Seasoning(陈化处理)
何谓 Seasoning(陈化处理) 答:是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真(dummy) 晶圆进 行数次的蚀刻循环。
何谓日常测机
答:机台日常检点项目, 以确认机台状况正常
何谓 WAC (Waferless Auto Clean)
答:无 wafer 自动干蚀刻清机
何谓 Dry Clean
答:干蚀刻清机
日常测机量测 etch rate 之目的何在?
答:因为要蚀刻到多少厚度的 film,其中一个重要参数就是蚀刻率 操作酸碱溶液时,应如何做好安全措施?
答:(1) 穿戴防酸碱手套围裙安全眼镜或护目镜(2) 操作区备有清水与水管以备不时之 需(3) 操作区备有吸酸棉及隔离带
如何让 chamber 达到设定的温度?
答:使用 heater 和 chiller
Chiller 之功能为何?
答:用以帮助稳定 chamber 温度
如何在 chamber 建立真空?
答:(1) 首先确立 chamber parts 组装完整(2) 以 dry pump 作第一阶段的真空建立(3) 当圧力到达 100mTD寺再以 turbo pump 抽真空至 1mT 以下
真空计的功能为何?
答:侦测 chamber 的压力,确保 wafer 在一定的压力下 process
Transfer module 之 robot 功用为何?
答:将 wafer 传进 chamber 与传出 chamber 之用
何谓 MTBC? (mean time between clean)
答:上一次 wet clean 到这次 wet clean 所经过的时间
RF Generator 是否需要定期检验? 答:是需要定期校验;若未校正功率有可能会变化;如此将影响电浆的组成
为何需要对 etch chamber 温度做监控?
答:因为温度会影响制程条件;如 etching rate/均匀度
为何需要注意 dry pump exhaust presure (pump 出口端的气压)? 答:因为气压若太大会造成 pump 负荷过大;造成 pump 跳掉,影响 chamber 的压力,直接 影响到 run 货品质
为何要做漏率测试? (Leak rate )
答: (1) 在 PM 后 PUMP Down 1~2 小时后;为确保 chamber Run 货时,无大气进入 chambe 影响 chamber GAS 成份(2) 在日常测试时,为确保 chamber 内来自大气的泄漏源,故需测漏 机台发生 Alarm 时应如何处理?
答:(1) 若为火警,立即圧下 EMO(紧急按钮),并灭火且通知相关人员与主管(2) 若是一 般异常,请先检查 alarm 讯息再判定异常原因,进而解决问题,若未能处理应立即通知主要负 责人
蚀刻机台废气排放分为那几类?
答:一般无毒性废气/有毒酸性废气排放
蚀刻机台使用的电源为多少伏特(v)?
答:208V 三相
干式蚀刻机台分为那几个部份?
答:(1) Load/Unload 端 (2) transfer module (3) Chamber process module (4) 真 空系统 (5) GAS system (6) RF system
在半导体程制中,湿制程(wet processing)分那二大頪?
答:(1) 晶圆洗净(wafer cleaning) (2) 湿蚀刻(wet etching). 晶圆洗净(wafer cleaning)的设备有那几种?
答:(1) Batch type(immersion type): a) carrier type b)Cassetteless type (2) Single wafer type(spray type)
晶圆洗净(wafer cleaning)的目的为何?
答:去除金属杂质,有机物污染及微尘.
半导体制程有那些污染源?
答:(1) 微粒子(2) 金属(3) 有机物(4) 微粗糙(5) 天生的氧化物
RCA 清洗制程目的为何? 答:于微影照像后,去除光阻,清洗晶圆,并做到酸碱中和,使晶圆可进行下一个制程. 洗净溶液 APM(SC-1)--> NH4OH:H2O2:H2O 的目的为何?
答:去除微粒子及有机物
洗净溶液 SPM--> H2SO4:H2O2:H2O 的目的为何?
答:去除有机物
洗净溶液 HPM(SC-2)--> HCL:H2O2:H2O 的目的为何?
答:去除金属
洗净溶液 DHF--> HF:H2O(1:100~1:500)的目的为何?
答:去除自然氧化膜及金属
洗净溶液 FPM--> HF:H2O2:H2O 的目的为何?
答:去除自然氧化膜及金属
洗净溶液 BHF(BOE)--> HF:NH4F 的目的为何?
答:氧化膜湿式蚀刻
洗净溶液 热磷酸--> H3PO4 的目的为何?
答:氮化膜湿式蚀刻
0.25 微米逻辑组件有那五种标准清洗方法?
答:(1) 扩散前清洗(2) 蚀刻后清洗(3) 植入后清洗(4) 沉积前洗清 (5) CMP 后清洗 超音波刷洗(ultrasonic scrubbing)目的为何?
答:去除不溶性的微粒子污染
何谓晶圆盒(POD)清洗? 答:利用去离子水和界面活性剂(surfactant),除去晶圆盒表面的污染. 高压喷洒(high pressure spray)或刷洗去微粒子在那些制程之后?
答:(1) 锯晶圆(wafer saw) (2) 晶圆磨薄(wafer lapping) (3) 晶圆拋光(wafer polishing) (4) 化学机械研磨
晶圆湿洗净设备有那几种?
答:(1) 多槽全自动洗净设备 (2) 单槽清洗设备 (3) 单晶圆清洗设备. 单槽清洗设备的优点?
答:(1) 较佳的环境制程与微粒控制能力. (2) 化学品与纯水用量少. (3) 设备调整弹 性度高.
单槽清洗设备的缺点?
答:(1) 产能较低. (2) 晶圆间仍有互相污染 单晶圆清洗设备未来有那些须要突破的地方?
答:产能低与设备成熟度
