离子迁移可谓钙钛矿领域老生常谈，经久不衰的话题了，之所以得到大家研究的青睐主要是因为这个老大难问题很难被彻底解决。这篇综述从理论和实验两方面总结了目前领域内对于离子迁移的认知和理解，以下是小编阅读过程中获得的重要信息，希望对可爱的读者有用。
离子迁移在不同半导体器件中会造成哪些影响（总结起来四个字：衰减，滞后），说到底是钙钛矿的软晶格本质导致的，在电势场的作用下发生不同带电离子的定向移动，去掉电场后，离子无法完全复位，由此带来了电电性能的损耗。绝对的抑制离子迁移是行不通的，我们现在想做的就是尽可能延缓器件性能的损耗，目前的核心手段就是抑制离子迁移。（小编直觉想到了“堵不如疏”，或许抑制并不能解决根本问题，如何将复位不了的离子合理疏导，可能才是解决问题的核心）
2.不同维度的离子迁移表征手段
3.离子迁移理论量化分析：离子迁移活化能EA; 缺陷形成能DEF。作者汇总各类钙钛矿的这两类能量。小编温馨提示：在衡量离子迁移过程中，单独的使用EA或者DEF都是不准确的，举个例子，在MAPbX3体系中，VBr的离子迁移活化能小于VI，但VBr的缺陷形成能DEF高，最终使得VBr呈现较低的缺陷态浓度。
4.离子迁移实验量化分析：核心就是通过阿伦尼乌斯公式进行计算，主要测试手段如下表所示。
原文链接：https://doi.org/10.1016/j.joule.2024.02.022
