Aaron PV
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/PL vs EL成像分析/
发光成像
发光成像的基本原理是激发样品表面使其发光，然后用相机捕获发光的成像。
晶硅电池常用的两种成像方式
PL，Photo-luminescence, 光致发光，由入射光子激发。光源均匀地照亮整个样品，因此，获得的成像是样品的真实的发光分布图，不受激发不均匀或局部串阻的影响。成像的局部发光强度是由该区域的载流子密度和寿命决定的。一个区域的发光越强，像素值越高。反之，发光越弱的区域，其像素值越低。有几个因素会使得发光减弱： 载流子寿命低 载流子的掺杂密度低 局部缺陷（形成载流子复合中心并且降低局部载流子寿命）。局部缺陷包括：元素杂质、硅晶体的物理缺陷（例如隐裂、位错）、多晶硅的晶界等。 EL，电致发光，由电流激发。在生成 EL 成像的过程中，激发电流注入电池的主栅。电池自身的串阻造成激发电压逐渐下降，使得主栅线外的地方激发程度逐渐减弱。因此成像在真实的发光分布图基础上还会反映激发不均现象。此外，局部串阻分布也会改变激发电压的下降程度，使得发光进一步减弱。
PL vs EL分析对比
EL图像包含了串阻影响+局部缺陷影响（复合损失） PL图像不体现串阻影响，主要受局部缺陷影响（复合损失） PL成像正常，EL成像区域发暗，表明电阻损失为主要损失因素 PL成像发暗同时EL成像也偏暗，表明缺陷（复合损失）为主因
发光强度进一步分析
过剩少子的产生→少子的复合 SRH复合，发光强度较差 俄歇复合，发光强度较差 辐射复合，发光强度最大（无缺陷状态）
PL成像解读
PL强度与自发辐射激发的比例正相关
- 比例常数，注入水平 < 为常数 PL可以用稳态SS(steady state)和准稳态QSS(quasi steady state)两种模式测试 PL测试少子寿命，不受空间电荷区影响 可输出少子寿命分布图 可换算成iVoc 亮度越高→表示辐射复合更多 亮度较暗→表示辐射复合较少→np值较低→少子寿命较低
