事件背景
2024年1月31日，美国国防部依据《2021财年国防授权法案》第1260H条，将中微公司列入中国军事公司清单，其认定理由是中微在2019年获得中国工业和信息化部颁发的“制造业单项冠军产品奖”，并以此认为中微与工信部存在关联，但中微认为该奖项仅是对企业在制造领域表现的认可，与军事用途毫无关联.
中微举措
被列入清单后，中微公司积极与美国国防部沟通，提供证据证明自身不符合认定标准并要求移除 。2024年8月16日，在沟通无果后中微公司向美国法院正式提交诉状起诉美国国防部，其诉讼依据是《行政程序法》，指控美国国防部的决定缺乏事实依据且违反正当程序.
移出决定
当地时间12月17日，美国联邦公报官网显示，美国国防部已于12月13日将中微公司和IDG资本从中国军事企业清单中移除.
影响层面
• 对中微公司：国际声誉得到恢复，全球供应链合作的限制减少，有助于公司进一步拓展国际市场，提升市场份额。消息公布后，中微公司股价上涨，显示出投资者对公司前景的乐观态度，为公司的持续发展释放了积极信号.
• 对半导体行业：给中国半导体行业带来积极信号，增强了行业信心，同时也为其他被列入类似清单的中国企业提供了通过申诉或法律挑战来纠错的范例，激励企业积极维护自身合法权益.
• 对中美科技关系： 一定程度上反映了中美科技关系的某种改善，虽然中美在科技领域的竞争依然存在，但此次事件表明双方在一定条件下存在通过沟通和法律途径解决分歧的可能性，为未来的科技交流与合作提供了相对积极的氛围.
中微半导体设备（上海）股份有限公司成立于2004年，位于上海市浦东新区金桥出口加工区，是上海科技创业投资集团成员.以下是其详细介绍：
发展历程
2004年尹志尧归国创立中微，当时仅有15人团队 。2007年首台刻蚀设备、薄膜设备研制成功并运往国内客户。2015年企业类型多次变更。2018年就美方涉嫌侵犯其专利权事件，与美方达成全球范围相互授权的和解协议。2021年成功研制出3nm蚀刻机且进入量产阶段，同年开发出小于5纳米刻蚀设备用于若干关键步骤的加工，10月其全球第500台MOCVD设备顺利付运。2024年临港产业化基地正式启用.
产品与技术
• 刻蚀设备：包括CCP高能等离子刻蚀机、ICP低能等离子刻蚀机，拥有行业首创的刻蚀设备双台机技术，刻蚀精度达100皮米以下，可满足90%以上刻蚀应用需求，技术覆盖5纳米及以下更先进水平.
• MOCVD设备：在氮化镓及LED设备市场占有率具优势，自推出第一代MOCVD设备后不断升级迭代，在Mini LED等氮化镓基设备领域市场占有率居前.
• 薄膜沉积设备：推出Preforma Uniflex CW等新产品，还计划推出超10款新型薄膜沉积设备以扩大产品覆盖度.
• 其他设备：新开发的硅和锗硅外延EPI设备、晶圆边缘Bevel刻蚀设备等多款新产品也将投入市场验证.
市场地位
刻蚀设备在2023年全球蚀刻设备市场中位居第四位，其产品进入台积电5纳米产线等，在国际先进芯片制造客户生产线上，已有近600台中微的CCP与ICP双反应台刻蚀设备，其中一半用于5纳米及更先进制程.
企业愿景
立志成为“集成电路微观加工设备的百年企业”，目标在2035年在规模和竞争力上成为全球第一流的半导体设备公司.
中微半导体设备（上海）股份有限公司的发展历程如下：
• 2004年：公司成立，11月2日企业类型变更为有限责任公司（中外合作），法定代表人变更为尹志尧，注册资本变更为2605万美元.
• 2007年：首台刻蚀设备、薄膜设备研制成功并运往国内客户.
• 2015年：12月开始企业类型多次变更，先后成为有限责任公司（外国法人独资）、有限责任公司（中外合资）、股份有限公司（中外合资、未上市）等，最终变更为股份有限公司（中外合资、上市）.
• 2018年：发现美方涉嫌侵犯其专利权的设备进口，向上海海关申请扣留，海关介入后，美方与中微公司谈判并达成全球范围相互授权的和解协议.
• 2021年：5月成功研制出3nm蚀刻机且进入量产阶段；7月以每股102.29元的价格发行8022.93万股，募得资金82.07亿元；8月开发出小于5纳米刻蚀设备用于若干关键步骤的加工；10月其全球第500台MOCVD设备顺利付运.
• 2024年：临港产业化基地正式启用，占地约157亩、总建筑面积约18万平方米，配备先进设施；公司累计已有超5000个反应台在国内外130多条生产线实现量产和大规模重复性销售；首台PRIMIO Epita设备出货.
