联芯集成电路制造(厦门)有限公司是由台湾联华电子与厦门市人民政府及福建省电子信息集团于2014年合资成立之一流晶圆制造企业，于福建省厦门市从事集成电路制造，提供12吋晶圆制造服务。联芯集成电路制造(厦门)有限公司于2015年3月26日奠基动工，2016年第4季起进入量产，提供40nm、28nm及22nm的晶圆制造，规划月产能为5万片12吋晶圆，总投资金额达62亿美元。2023年7月，联华电子完成联芯集成电路制造(厦门)有限公司股权回购，成为其独资子公司。
联芯座落于厦门市翔安区，拥有优良的地理和环境优势，加上母公司联华电子的技术支持，提供客户在中国制造芯片的选择，同时贴近国内市场，满足更多本地与国际IC设计客户的需求。
逻辑 / 混合信号 / 射频技术是数字电视、蓝牙、Wi-Fi、图像处理器，射频收发器等众多应用中最常用的晶圆专工解决方案。联芯为不同的数据处理、混合信号及射频芯片建立了广泛的跨代工艺技术，也同时为建立专业共i技术平台奠定了坚实的基础。
从晶圆专工厂的角度来看，逻辑 / 混合信号 / 射频技术为主要的潜在市场。 联芯已在十二吋制造技术上开发了先进的低功耗和射频技术，以满足 AIoT 时代在数据处理、连接、通信、扫描和传感等应用上的需求。
22纳米
超低功耗 (ULP) 与超低漏电 (ULL) 制程方案
联芯的22纳米制程，是基于联芯的28纳米制程技术作性能上的提升，目前已进入大规模量产。22纳米技术平台将超低功耗 (ULP) 与超低漏电 (ULL) 两种制程方案组合建立在同一个平台上，其所需光罩数量与28纳米相同，且设计规则与 28纳米制程技术兼容，在提升芯片效能的同时无须增加制程的复杂度。芯片设计者可以放心地使用联芯的22纳米设计指南来获得芯片在面积与效能上的好处。
22纳米制程平台具有对市场上各种半导体应用的基本IP支持，包括消费电子产品，如机顶盒、数字电视、显示器、电源，以及对漏电敏感的 IoT 芯片 (具有蓝牙或 WiFi) ，同时更是适用于需要延长电池寿命的可穿戴设备。
22纳米制程技术源自于28纳米制程并具有更好的性能表现。与28纳米HKMG制程相比，具有将芯片面积减少10％的优势，同时具有更高的功率效能比和增强的RF性能。 在相同的速度下Iddq可减少30%，或者在相同的Iddq下速度可增加10%。此外22纳米制程添加了可选组件，为单芯片系统(SoC)设计提供更灵活的模拟设计环境。
22纳米超级集组合技术将ULP和ULL两种制程方案建立在同一个平台上。 这项技术可以支持1.0V到0.6V的电压，从而帮助客户可以同时享有SoC设计中这两种技术的优势。
28纳米
驱动价值与性能的28纳米技术
联芯28纳米工艺采用崭新的应力技术 (SMT, t-CESL, c-CESL) 与嵌入式 SiGe，以提升电子迁移率，专为需要高效能与低功耗的应用产品所开发。目前已有多家客户产品采用28HLP SiON 以及 28HPM/HPCu/HPCu+ High-K-Metal-Gate 工艺进行量产。联芯现正积极扩增28纳米产能，以满足客户对此广受欢迎工艺的高度需求。
28HLP - 采用强化的SiON技术
联芯高效能低功耗 (HLP) 工艺为40纳米平顺的工艺移转途径，便于客户设计采用，加速上市时程，以及具有优异的效能／成本比。针对有高速要求的客户应用产品，此制程提供了大幅提升的效能与功耗，速度可较业界其它晶圆专工厂提供的28nm SiON制程提升10%。
28HPM/HPCu/HPCu+ - 采用高介电系数／金属闸极堆栈技术
联芯28HPM/HPCu/HPCu+ 技术广泛支持各种组件选项，可提升弹性及符合效能需求，同时瞄准多样的产品系列，例如应用产品处理器、手机基频、WLAN、平板计算机、FPGA 及网通IC等。具备高介电系数／金属闸极堆栈及丰富的组件电压选项、内存字节及降频／超频功能，有助于系统单芯片设计公司推出效能及电池寿命屡创新高的产品。
应用广泛的28纳米技术
联芯丰富的28纳米技术平台及双工艺方法，可精准满足市场上所有主要应用产品的需求。
40纳米
40纳米工艺技术
联芯是业界领先的提供40纳米技术的晶圆专工厂，自2017年起就已采用此先进工艺产出客户产品。联芯40纳米低功耗 (40LP)平台，可因应各种不同应用产品的设计需求，由弹性的设计平台开始，客户可选择适合其特定应用产品的工艺组件选项，例如高效能、低功耗晶体管。
联芯40纳米超低功耗 (40uLP)平台衍生自40纳米低功耗 (40LP)平台，以更低的操作电压，满足更低功耗、更低漏电的需求。40纳米超低功耗 (40uLP)平台包含界面IP、IP子系统、逻辑设计原件库、嵌入式记忆体以及类比IP，经由对于制程、电压、温度变异参数的最佳化，可适用于两个平台。
联芯40纳米技术可以满足各种高性能、低功耗及低漏电需求的应用：蓝牙无线应用、物联网、低功耗WiFi、GPS、调频无线接收、新兴的Lora、Zigbee、SigFox无线网络应用。
随着 AIoT、5G、边缘运算和自驾车市场的起飞，芯片设计人员迎来了前所未有的需求与商机，并预期将随着市场的发展而为大众的日常生活带来显着的改变。于此，联芯专注于提供各种特殊制程的开发和完整的解决方案，以协助设计公司完成各种芯片的开发，并得以快速地加入以享受市场高速的成长。
联芯特殊制程解决方案同时提供嵌入式非挥发性内存技术以及高压制程技术。开放的合作模式与客制化的弹性可进一步为全世界的客户提供最佳的解决方案，增加客户产品的竞争力。
eHV 嵌入式高压解决方案
联芯的高压制程是为了生产各种显示面板的驱动晶片而建立的技术，其建构在逻辑CMOS制程上，扮演着各种显示面板（LCD和OLED）驱动的重要角色，更进一步，也会推动新兴的显示科技（micro-LED和micro OLED）的发展。
联芯拥有从55纳米到28纳米高压制程的解决方案，可满足我们生活中所使用各种尺寸面板的显示驱动技术需求。
eNVM 嵌入式非挥发性内存解决方案
联芯eNVM解决方案，包含eFlash、OTP与eFuse，以满足不同应用产品的需求。除了全方位的eNVM解决方案之外，为了满足多元化的应用产品与特殊客户需求，在12吋晶圆生产并提供具业界竞争力的SSTeNVM组件。
现今的消费性电子产品正面临多样少量的产品设计需求及挑战，而嵌入式非挥发性记忆体的技术刚好可以满足这类市场的产品需求。因为相同的产品硬体设计，可以籍由不同的软体更新，进而被应用于不同终端市场的产品。对于高度需求反覆读写能力（endurance ）的应用产品，例如智能卡、SIM卡及微处理器，eE2PROM或eFlash会是最理想的技术选择。然而对于中低度反覆读写能力需求或中低密度记忆体容量的产品应用（例如电源管理IC），则可以采用eMTP技术。最后对于那些只需要一次性程式编写应用的产品应用，则可以使用eOTP或eFuse的嵌入式非挥发性记忆体技术。
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