突破瓶颈,Nature Photonics,高性能钙钛矿X射线探测器的新技术!
文摘
2024-11-03 07:30
青海
钙钛矿材料是一类重要的功能材料,因其优异的光电性能和多样的应用潜力,成为了研究热点。然而,其在X射线检测中的应用面临着离子迁移导致的噪声大和基线漂移等问题,这严重影响了探测器的性能。离子迁移会引起暗电流的增加和稳定性下降,从而降低了探测器的灵敏度和检测限。为了应对这些挑战,山东大学陶绪堂教授、张国栋教授团队合作提出了一种气氛控制的边界定义薄膜喂料生长(EFG)技术,用于生长高质量的形状控制CsPbBr3单晶。该技术在Ar和HBr混合气氛中进行,能够显著降低单晶的陷阱密度,提高电阻率(1.61× 1010 Ω cm)和离子迁移活化能(0.378 eV),从而减少漏电流和基线漂移。使用EFG-CsPbBr3单晶制造的X射线探测器展示了极低的暗电流漂移(1.68 × 10-9 μA cm-1 s-1 V-1)、极低的检测限(10.81 nGyair s-1)以及在5,000 V cm-1高电场下的高灵敏度(46,180 μC Gyair-1 cm-2)。此外,该探测器在30天内保持了稳定的响应。该研究提供了一种有效的策略,以提升铅卤化物钙钛矿单晶在高性能X射线检测中的应用表现。1.实验首次应用气氛控制的边界定义薄膜喂料生长(EFG)技术,在Ar和HBr混合气氛中成功生长了高质量的形状控制CsPbBr3单晶(SCs),获得了高电阻率(1.61 × 1010 Ω cm)和较大的离子迁移活化能(0.378 eV)。2.实验通过对比EFG-CsPbBr3单晶与垂直Bridgman(VB)-CsPbBr3单晶,发现EFG-CsPbBr3单晶具有更低的陷阱密度、较高的电阻率以及更大的离子迁移活化能,从而有效降低了漏电流和基线漂移。3. 基于EFG-CsPbBr3单晶的X射线探测器展示了平衡优异的性能,包括极低的暗电流漂移(1.68 × 10-9 μA cm-1 s-1 V-1)、极低的检测限(10.81 nGyair s-1)以及在5,000 V cm-1高电场下的高灵敏度(46,180 μC Gyair-1 cm-2)。此外,该探测器在30天内保持了稳定的响应。图1:导模法edge-defined film-fed growth,EFG生长的CsPbBr3单晶single crystals,SCs。
图2:导模法EFG-CsPbBr3和垂直Bridgman法VB-CsPbBr3的光电性能比较。
图3:导模法EFG-CsPbBr3和垂直Bridgman法VB-CsPbBr3的离子迁移特性。
本文采用气氛控制的边界定义薄膜喂料生长(EFG)技术显著提高了CsPbBr3单晶的质量,减少了陷阱密度,并增强了电阻率和离子迁移活化能。这表明,通过优化生长条件,可以有效降低离子迁移引发的噪声和基线漂移,从而提升探测器的稳定性和灵敏度。其次,EFG-CsPbBr3单晶在高电场下表现出的卓越性能,包括极低的暗电流漂移和超低的检测限,展示了其在高能X射线检测中的应用潜力。这些结果不仅验证了该材料在高性能X射线探测中的可行性,还为未来的钙钛矿材料优化和器件设计提供了新的思路。总之,本文提出的策略为铅卤化物钙钛矿的高性能应用奠定了基础,并推动了该领域的研究和技术进步。原文详情:YWang, Y., Sarkar, S., Yan, H.et al. Critical challenges in the development of electronics based on two-dimensional transition metal dichalcogenides. Nat Electron (2024). https://doi.org/10.1038/s41928-024-01210-3👉 点击左下角“阅读原文”,即可直达原文!💖