SiC板载LiH纳米颗粒阵列的近场辐射传热

文摘   科学   2024-11-11 09:48   山东  

论文信息:

Cunhai Wang, Hao Bian, Dewei Fan, Pengfei Zhang, Jingchong Liu. Near-field radiative heat transfer between metaterminals composed of SiC plate-supported LiH nanoparticle arrays, International Journal of Heat and Mass Transfer 236 (2025) 126375.

论文链接:

https://doi.org/10.1016/j.ijheatmasstransfer.2024.126375




研究背景



近年来,随着材料制造的进步,NFRHT的倏逝模式得到了广泛的研究。特别是,超材料的出现为调制NFRHT提供了很大的可行性。超材料通常是指含有人工亚波长元素的复合结构。它可以通过改变结构元件的形状、周期和排列来实现各种电磁响应。利用有效介质理论可以计算出超材料的介电函数,而超材料的介电函数可以通过体积填充率等宏观结构参数得到很好的控制。因此,超材料表现出良好的光学可调性,并在理论和实验上被报道可以增强NFRHT。除了常见的纳米线和纳米孔外,在衬底上由纳米粒子阵列组成的超表面也因其强大的实际应用潜力而受到广泛关注。通常,多粒子辐射传热模型需要考虑多体相互作用。相反,偶极模型将平面基板支撑纳米颗粒的二维体系视为有效的连续薄膜,简化了元表面之间NFRHT的分析和计算。但到目前为止,关于衬底上纳米颗粒周期性阵列之间的NFRHT的报道一直很有限。

在这项工作中,我们研究了由平面SiC衬底支撑的氢化锂(LiH)纳米颗粒组成的超表面之间的NFRHT。之所以选择LiH纳米颗粒,是因为它们已经在纳米尺度的传热中得到了研究。利用有效介质理论计算了超表面的介电函数。定量计算了超表面间的近场辐射热通量。通过对介质函数和能量传输系数的分析,讨论了磁通调制的物理机制。揭示了纳米粒子半径和晶格常数等结构参数对终端间近场热流的影响。






研究内容




SiC衬底支撑的周期性LiH纳米颗粒组成的两个平行终端之间的NFRHT示意图如图1所示。LiH纳米粒子的半径为r,它们以晶格常数为a周期性分布在SiC衬底上,并且在两个末端彼此排列。两端真空间隔L,发射极和接收端分别保持在TH = 400 KTL = 300 K。该模型具有良好的实验可行性,因为LiH纳米颗粒可以通过成熟的技术制备。通过将LiH粒子组装到SiC衬底上,可以直接获得超终端。



1,由SiC平面支撑的LiH纳米颗粒阵列制成的终端间的NFRHT示意图。对于每个终端,纳米粒子阵列都是二维的,在xy方向上具有相同的晶格常数a


不同终端间隙情况下,由SiC平面支撑的LiH纳米颗粒阵列构成的两个超终端之间的近场热流图如图2a所示。用斯蒂芬-玻尔兹曼定律计算了两个碳化硅板之间的近场热流和两个黑体之间的远场辐射热流。每个粒子的半径和阵列的晶格常数设为r = 100 nm, a = 300 nm

在辐射热流通量方面,超终端优于碳化硅板,特别是在小真空间隙处。当间隙尺寸为L = 50 nm时,两个LiH/SiC超端之间的热流密度达到9.08 × 104 W/m2,比黑体极限(992.25 W/m2)大两个数量级,是平面SiC终端之间的热流密度(5.29 × 104 W/m2)的1.72倍。随着间隙的增大,由于倏逝波效应减弱,热通量减小。两个LiH/SiC元终端之间的热流密度始终高于平面SiC终端,表明LiH纳米颗粒阵列的增强。为了进一步解释LiH/SiC超终端之间增强的NFRHT,我们在图2b中绘制了LiH纳米颗粒层有效介电函数的实部。




2(a)由不同间隙大小分隔的两个端子之间的热流密度。(b)有效LiH粒子阵列层介电函数平行分量和垂直分量的实部。超终端的粒子半径和晶格常数固定在r = 100 nma = 300 nm

3a绘制了两个100nm间隙终端之间的光谱辐射热流密度qω。与SiC平面端相比,LiH/SiC超端之间的光谱近场辐射热流出现了更多的波峰,表明存在多极化激发。具体来说,两个SiC端子之间的1.786 × 1014 rad s -1处呈现单峰,这是由于Re(εSiC) < 0SiC支撑SPhPs所致。令人兴奋的是,LiH/SiC超端之间的qω分别在1.6141.7531.843 × 1014 rad处呈现出三个峰值。因此,由于LiH/SiC超终端支持的协同HMsSMs,以光谱热通量线和x轴包围的面积表示的总近场热通量得到了很好的增强。为了进一步了解NFRHT的增强机制,我们在图3bc中展示了p极化辐射在不同端对之间的能量传输系数。红色虚线表示相应的色散曲线。对于SiC平面终端,如图3b所示,只存在一个分支对应于强声子隧穿概率。相比之下,对于LiH/SiC超终端,由于新模态的激励,特别是高频模态的激励,在图3c中出现了多个分支,这解释了超终端之间的通量增强。

3所示。(a)两个终端之间的光谱辐射热通量。(b)(c) SiCLiH/SiC超终端情况下的能量传输系数。其他参数固定为r = 100nm, a = 300nm, L = 100nm

4a绘制了不同晶格常数a = 200300400 nm时,两个100 nm间隙LiH/SiC超终端之间的总热流密度与LiH纳米颗粒半径的关系。两个100 nm间隙的SiC平面端子之间的总热流密度为1.33 × 104 W/m2,并进行了比较。在晶格常数较小的情况下,观察到元端之间的总热流更高,表明在粒子较多的情况下,NFRHT增强。当纳米颗粒半径r = 25 nm时,a = 200300400 nm时,超端之间的热流密度分别为0.690.460.39 × 104 W/m2,均小于两个SiC平面端之间的热流密度。随着LiH纳米颗粒半径的增大,超端间的总热流密度单调增加,在临界半径rc = 457094 nm时,超端间的热流密度分别超过了a = 200300400 nmSiC平面端间的热流密度。在r = 100 nm处,超终端间的热流密度分别达到2.792.331.54 × 104 W/m2,分别是a = 200300400 nmr = 25 nm时的4.045.063.95倍。


4(a)在不同晶格常数a的情况下,LiH/SiC超终端之间的热流随纳米颗粒半径r的变化,并与SiC平面终端之间的热流进行比较。(b)-(d)固定晶格常数为a = 300 nm时有效LiH粒子阵列层介电函数平行分量和垂直分量的实部。从(a)(d),真空间隙固定在L = 100 nm

热通量随粒子半径增大而增强的基本机制如图4 -d所示。有效LiH纳米颗粒层介电函数的实部,分别如图4bcd所示,晶格常数固定为a = 300 nm,粒子半径r = 2550100 nm。在r = 25 nm的情况下,如图4b所示,在1.670 × 1014 - 1.677 × 1014rad s -1的频率范围内,只出现一个HM区域。在r = 50100 nm的情况下,如图4cd所示,新的HMssm被激发,导致NFRHT显著增强。

在固定a = 300 nmL = 100 nm时,r = 2550100 nm时,两个超终端之间的光谱热通量如图5a所示。在r = 25 nm的情况下,虽然光谱热通量中出现了两个峰,但它们太弱,无法支持强NFRHT。当LiH纳米颗粒半径越大时,光谱热流峰越多,峰值越大,对应于NFRHT的总通量越强。图5a中三种情况对应的能量传输系数如图5bcd所示,说明LiH纳米颗粒半径越大,LiH/ SiC超终端之间的热流密度越强。


5(a)不同纳米颗粒半径的LiH/SiC超终端之间的光谱热通量。(b)-(d)分别为r = 2550100 nm时的能量透射系数。其他参数固定为a = 300 nm, L = 100 nm

6a绘制了不同纳米颗粒半径r = 5075100 nm时,两个100 nm间隙超终端之间的总热流密度作为LiH纳米颗粒阵列晶格常数的函数。在相同的晶格常数下,粒子半径的通量更高。当晶格常数a = 200 nm时,r = 5075100 nm时的热流密度分别为1.622.662.79 × 104 W/m2,超过了两个SiC平面端子之间的热流密度。当晶格常数从200 nm增加到500 nm时,由于纳米颗粒之间的相互作用减弱,超终端之间的通量逐渐减小。当晶格常数大于223324428 nm的临界值时,通量小于两个SiC平面终端之间的通量。在a = 500 nm处,当r = 5075100 nm时,热流密度分别减小到1.622.662.79 × 104 W/m2。图6a的结果表明,LiH/SiC超终端之间的NFRHT可以通过粒子阵列的晶格常数来调节。图6b-d绘制了固定粒子半径r = 100 nm,不同晶格常数a = 200350500 nm时,有效LiH纳米粒子层介电函数垂直和平行分量的实部。当晶格常数较大时,介电函数的强度值明显减弱,而SMs的频率区较小,共同减弱了超端间的NFRHT


6(a)不同纳米粒子半径r的情况下,热通量与晶格常数a的关系。(b)-(d)固定纳米粒子半径r = 100 nm时,有效LiH粒子阵列层介电函数平行分量和垂直分量的实部。真空间隙固定在L = 100 nm

在固定的r = 100 nmL = 100 nm以及不同的粒子半径a = 200350500 nm时,两个超终端之间的光谱热通量如图7a所示。可以看出,与其他情况相比,a = 200 nm情况下的峰值明显更强。图7a中三种情况的能量传输系数如图7bcd所示。能量传输系数的两个明亮分支收敛的频率与光谱热通量的峰值频率吻合较好。从图7b-d的结果可以看出,当晶格常数从200 nm增加到500 nm时,强能量透射系数对应的频率范围变窄,明亮分支向小波矢量收缩,导致总辐射热流密度减小。


7(a)不同晶格常数的LiH/SiC超终端之间的光谱热通量。(b)-(d)分别为a = 200350500 nm时的能量透射系数。其他参数固定在r = 100 nm, L = 100 nm



由于纳米粒子半径和纳米粒子阵列的晶格常数密切影响LiH/SiC超终端之间的总辐射热通量,因此我们研究了ra对两个超终端之间NFRHT的协同效应。如图8a所示,在不同比例的情况下,总热流密度是r的函数。真空间隙固定为L = 100 nm。对于图8a中的每条通量曲线,当粒子半径增大时,定义为纳米粒子半径与晶格常数之比的无量纲参数γ = r/a保持不变,这意味着晶格常数也以与粒子半径相同的尺度增大。从图8a可以看出,当γ = 3最小时,总通量的分布线最高。在选择性γ条件下,热流密度随纳米粒子半径的增大而增大,达到峰值后逐渐减小至稳定值。例如,当γ = 3时,热流密度从r = 1 nm处的初始值Q = 1.56 × 104 W/m2增加到r = 23 nm处的峰值2.77 × 104 W/m2,然后逐渐减小。当粒子半径r = 180147125 nm时,当γ = 345时,热流密度分别接近于2.281.520.93 × 104 104 W/m2。大颗粒半径下的稳定热流是由于当纳米颗粒半径和纳米颗粒阵列的晶格常数大于端面间隙时,纳米颗粒之间的相互作用相对于端面末端之间的相互作用太小,纳米颗粒之间的热流由真空间隙主导。

我们进一步在图8b中给出了r = 23180 nm处的光谱热通量,其中总通量在γ = 3时达到峰值和恒定值。与r = 180 nm相比,r = 23 nm时的光谱热流曲线峰多峰高,总热流强得多。总的来说,大的粒子半径降低了光谱热通量。图8的结果表明,在固定的纳米颗粒半径与晶格常数之比下,可以通过纳米颗粒阵列的规模来主动控制和优化LiH/SiC超终端之间的总近场通量。


图8,(a)不同纳米颗粒半径与晶格常数之比情况下的总热通量。(b)固定γ = 3时,r = 23和180 nm情况下的光谱热通量。真空间隙固定为L = 100 nm。







结论与展望




我们研究了由平面SiC衬底支撑的LiH纳米颗粒阵列组成的两个超终端之间的NFRHT。基于偶极模型,认为纳米粒子阵列是支持高通量和低通量的有效介质,可以调节两个终端之间的近场热流密度。在真空间隙(L)100 nm时,超端之间的近场热流密度是两个平面SiC端之间的近场热流密度的1.72倍。此外,当终端间隙固定时,LiH/SiC超终端之间的NFRHT可以通过LiH纳米粒子的半径(r)和晶格常数(a)进行广泛调节。其中,在固定L = 100 nma = 200 nm时,当粒子半径从25 nm增加到100 nm时,超端间的总通量从小于两个SiC平面端间的0.69 × 104 W/m2增加到2.79 × 104 W/m2,超过了两个SiC平面端间的总通量(1.33 × 104 W/m2)。增大点阵常数可使超端介通量由平面端介通量上方降低到平面端介通量下方。当纳米粒子半径与晶格常数之比(γ)一定时,可以通过纳米粒子半径来优化热流密度。本研究揭示了具有不同纳米颗粒半径的超终端间NFRHT的物理机制。







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