据镓仁半导体官微消息：2025年1月，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）在氧化镓晶体生长领域再次取得新进展，通过对自主研发的氧化镓专用晶体生长设备进行迭代优化升级，采用垂直布里奇曼（VB）法成功生长出4英寸氧化镓单晶，这是国内首次实现该项技术突破。该型VB法氧化镓长晶设备及工艺包全面开放销售。
【图1 镓仁半导体VB法4英寸氧化镓单晶底面】
【图2 镓仁半导体VB法4英寸氧化镓单晶顶面】
值得一提的是，本次镓仁半导体采用了细籽晶诱导+锥面放肩技术来生长4英寸氧化镓单晶，相较于无籽晶自发成核和等径籽晶技术，更容易确保晶体质量。其中，籽晶与晶体轴向平行于[010]晶向，可加工4英寸(010)面衬底。
在此之前，镓仁半导体经历了从等径籽晶生长2英寸单晶到细籽晶诱导+锥面放肩技术生长2英寸单晶的研发过程，最终确定了细籽晶诱导+锥面放肩的路线，并实现了4英寸单晶生长的突破。
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·杭州镓仁半导体氧化镓衬底技术突破，助力客户实现2400V增强型晶体管
2024年12月，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）在超宽禁带半导体材料领域取得重大突破。镓仁半导体与下游客户携手，对镓仁半导体(010)面氧化镓半绝缘衬底进行了深入的器件验证工作。成功制备了性能卓越的增强型晶体管，其击穿电压高达2429V，相较于进口衬底的器件验证结果，性能指标实现了显著提升。这一成就不仅展现了镓仁半导体在氧化镓衬底技术方面的领先地位，也为国产氧化镓衬底在功率器件量产应用的道路上，奠定了坚实的基础。
2024年10月，杭州镓仁半导体有限公司利用自主研发的第二代铸造法技术，成功生长出超厚6英寸氧化镓单晶，晶锭厚度可达20mm以上！
2024年10月25日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称：镓仁半导体）宣布在氧化镓晶体生长领域取得了新的技术突破。该公司基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备，并采用垂直布里奇曼法（VB），成功生长出2英寸的氧化镓单晶，这是国内首次实现此项技术突破。
2024年9月11日晚，杭州镓仁半导体有限公司（下文简称“镓仁半导体”）宣布，公司今年8月在氧化镓衬底加工技术上取得突破性进展，成功研制超薄6英寸衬底，衬底厚度小于200微米。
·镓仁半导体完成近亿元Pre-A轮融资，并与杭州银行达成战略合作
8月6日下午，杭州镓仁半导体有限公司Pre-A轮融资及战略合作签约庆典。镓仁半导体又迎来了一个历史性的时刻一一成功获得近亿元Pre-A 轮融资，本轮投资由九智资本领投，普华资本共同投资。此次庆典不仅是镓仁半导体发展历程中的一个重要里程碑，更充分展现了科技创新与金融资本深度融合的广阔前景。
2024年7月，杭州镓仁半导体有限公司在氧化镓晶体生长与衬底加工技术上取得突破性进展，成功制备出3英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底，为目前国际上已报导的最大尺寸，达到国际领先水平。
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