它的基本原理是在真空低压下，ICP射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，然后在下电极的RF射频作用下，这些离子体会对基片上的材料表面进行轰击，基片上材料的化学键会被打断，然后与刻蚀气体反应生成的物质挥发经真空管路被抽走。
整体ICP的结构如图一所示。
那我们在刻蚀的过程中，影响刻蚀的一些参数是ICP功率源的功率、下电极射频源（RF）的功率、氦气管道流量的大小的设置以及气体流量的配方比例。
ICP功率越大，意味着更多的刻蚀气体被电离成等离子体，等离子体的密度会增加，密度增加会使刻蚀时化学反应增强，从而导致各向同性增强；
RF功率，是对电离后的等离子体提供能量，RF越大则等离子体的能量也就越高，则轰击效果会加强，刻蚀的各向异性也就会加强。
氦气管道，可以设置流量的大小，流量越大，则导热性越好，一般用于低温刻蚀时的温控，需要注意基片与背氦孔保持洁净，不然会导致氦气不能有效降温。
气体流量的比例会很大程度影响波导刻蚀的垂直性，在气体流量配方不正确的情况下，更改ICP或RF功率对波导垂直性的影响都会很小。
