11月6日,博世发布官微称,公司正式推出新一代SiC功率模块PM6。
PM6拥有多项优势,其高效的芯片模组,采用博世自研第二代沟槽型SiC技术,单位面积导通电阻相较上一代降低30%,短路鲁棒性进一步得到提升,支持400V/800V系统平台。结合其创造性结构设计,可以支持不同芯片数量并联,实现灵活的输出功率范围,峰值电流输出如下:
460 V (系统层级)/ 750 V (芯片层级)/ 最高 800 ARMS
920 V (系统层级) / 1200 V (芯片层级)/ 最高 600 ARMS
PM6
PM6之所以能成为汽车功率电子领域的颠覆者,不仅在于先进的芯片特性。PM6的独特的功率端子连接设计,结合先进的激光焊接技术,可以大幅降低功率回路寄生电感。同时,PM6的信号连接器设计可灵活调整引脚选项(兼容press-fit 和solder pin),赋予系统用户更多设计空间。PM6采用行业领先的转模塑封工艺,其内部独特的三明治结构,减少了模块尺寸,采用热膨胀系数(CTE)匹配的材料组合,结合芯片双面银烧结技术,极大提升了功率模块可靠性,增加了模块使用寿命。
在PM6内部,其对称的电气布局和芯片之间的低杂感在抑制了高频振荡的同时,使模块内寄生电感达到行业领先水平(ESL<4nH),减少了功率回路与门极回路之间的磁耦合,赋予模块优异的动态开关特性,帮助系统提高开关频率,降低开关损耗,实现更高功率密度。PM6能够帮助客户实现高效率的逆变器设计,峰值效率超过99%,WLTP行驶里程提升多达6%,有助于降低新能源汽车整车成本。
PM6 封闭式铝制散热器
PM6支持灵活的散热器设计选项,例如采用各种材料的封闭式和开放式散热器(如下图所示),可根据用户特定要求进行定制。
不同材料的散热器设计
博世作为碳化硅领域的先驱,是全球为数不多的生产和销售自有碳化硅功率半导体的汽车零部件供应商之一,拥有超过20年的研究经验,具备完整的从碳化硅研发、生产到检测的全流程。
博世从一开始就将其市场领先的沟槽刻蚀工艺应用于碳化硅芯片,并特别关注了晶体管的鲁棒性,使得其芯片产品具有突出的性能表现。
2021年博世在其德国的罗伊特林根工厂投产了基于6英寸(150mm) 碳化硅晶圆的车规级芯片。目前,该晶圆厂正在生产基于8英寸(200mm) 晶圆的碳化硅芯片样品客户试跑。
博世罗伊特林根晶圆厂
为进一步扩大产能以满足市场需求,博世于2023年收购了位于美国加利福尼亚州罗斯维尔的芯片工厂。为将新工厂升级为最先进的碳化硅芯片制造厂,博世投资约15亿美元。升级完成后,罗斯维尔晶圆厂将生产基于8英寸(200mm)晶圆尺寸的碳化硅芯片,该晶圆厂的首批碳化硅芯片将于2026年投产。
博世罗斯维尔晶圆厂
8英寸晶圆满足业内的黄金标准,在能够保证成本效益的同时,实现芯片的更高产量。罗斯维尔和罗伊特林根工厂的同步投产,在未来数年内预计将帮助博世实现碳化硅产能的十倍增长。这将大幅提高博世为电动出行提供碳化硅芯片这一关键组件的能力。
博世碳化硅,致力于提供更高效、更可靠的电动出行解决方案,为整车厂提供产品力的保证。助力客户实现更强大可靠的汽车功率系统!
来源: 博世汽车电子事业部
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(5)《芯片制造—半导体工艺制程实用教程》
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