11月12日，2024德国慕尼黑半导体展览会正式拉开帷幕。国内碳化硅龙头天岳先进携旗下全系列碳化硅衬底产品亮相于该展会，并于11月13日在展会上隆重发布了12英寸（300mm）碳化硅衬底片。一时间，行业轰动。
作为行业首款12英寸碳化硅衬底片，这一产品的发布，标志着我国在碳化硅衬底片的研发上已经遥遥领先，成功迈入了大尺寸时代。无疑，将掀起碳化硅衬底新一轮较量。
一直以来，半导体材料行业都在朝着追求更高效率、更低成本的方向不断努力。随着碳化硅器件在电动汽车、光伏、储能、数据中心等大功率市场的应用越来越广泛，大尺寸的碳化硅衬底的需求也将持续增加。虽然4英寸和6英寸的碳化硅衬底是当前市场中的主流产品，但是碳化硅衬底厂商从未停止研发制备大尺寸的碳化硅衬底片。
通过扩大衬底尺寸，可以在单个衬底上制造更多芯片，单位芯片的成本也将因此降低。不仅如此，还可以减少边缘浪费、提高良率等。这也是此前业内持续关注8英寸碳化硅衬底的原因。如今，碳化硅衬底片尺寸再次突破历史，来到了12英寸。
11月13日，天岳先进在2024德国慕尼黑半导体展览会上正式发布了12英寸的碳化硅衬底产品，当即吸引了不少行业客户的热烈讨论和广泛关注。
根据据天岳先进官方资料，12英寸（300mm）碳化硅衬底材料能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。
对天岳先进而言，12英寸的碳化硅衬底产品的成功制备，意味着其产品矩阵更加丰富，衬底片尺寸选择更加多样，可以更好地在产品品质、性能等方面满足客户的差异化和多样化需求。对整个半导体材料市场而言，这一产品的惊艳亮相，将打破现有材料格局，激励同行加快对高性能碳化硅材料的研发节奏，进一步推动行业发展。
成立于2010年的天岳先进，在2022年成功登陆A股科创板，如今，已经成功跻身国际碳化硅衬底领域第一梯队。
此外，天岳先进不久前还向客户成功交付了高质量低阻P型碳化硅衬底，这标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。
坚持创新，追求突破，是支撑天岳先进发展壮大的信条。从实现8英寸碳化硅的稳定量产，再到掌握行业最大尺寸即12英寸碳化硅衬底生产技术，天岳先进用实际行动证明其在碳化硅衬底技术上的厚积薄发和自我突破，并引领行业创新风向。
