碳化硅单晶半导体材料具有宽禁带、高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等优异物理特性，广泛应用于电动汽车、智能电网、光伏储能、轨道交通等领域，是支撑未来数字化、低碳产业的核心基础材料。尤其在10kV 以上的高压大功率领域，P型碳化硅材料，具有更好的应用前景。
近日，天岳先进向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。
针对高压大功率电力电子器件用P型碳化硅单晶衬底存在的成本高、电阻率高、缺陷控制难度大等技术难题，天岳先进深化布局前瞻性技术，在备受关注的液相法领域，继2023年公布了全球首个8英寸碳化硅晶体后再次取得了重大突破，于2024年推出了采用液相法制备的4度偏角P型碳化硅衬底。
液相法具有生长高品质晶体的优势，在长晶原理上决定了可以生长超高品质的碳化硅晶体。天岳先进布局液相法多年，目前在该领域获得了低贯穿位错和零层错的碳化硅晶体。通过液相法制备的P型4度偏角碳化硅衬底，电阻率小于200mΩ·cm，面内电阻率分布均匀，结晶性良好。
天岳先进n型产品市占率全球第二，高纯半绝缘型碳化硅衬底产品连续五年全球市占率排名第三。2023年，公司与英飞凌、博世等下游功率器件、汽车电子领域知名企业签署了长期合作协议。导电型n型碳化硅衬底产品在大功率功率器件上优势明显，在电动汽车领域具有卓越优势。天岳先进的车规级产品获得了国际客户的认可，实现了6英寸和8英寸碳化硅导电型衬底产品批量销售。高纯半绝缘碳化硅衬底产品，为高频高输出的射频器件提供材料品质基础，适用于5G基站射频器件，卫星通信等应用。
天岳先进秉承智能制造理念，用科技实力践行社会责任，依托技术、产能、服务、理念方面的领先优势，持续加大研发投入实现技术提升，致力于持续为客户提供优质衬底材料，满足芯片最高安全需求，用产业经验保证碳化硅功率半导体行业向新高度发展，为绿色低碳高质量发展贡献天岳力量。
来源：山东天岳先进科技股份有限公司
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(5)《芯片制造—半导体工艺制程实用教程》
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