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1.GN2与PN2的定义
GN2，即"General Nitrogen"，指的是普通氮气。是利用压缩机压缩冷却气体成液态气体，经过触媒转化器，将CO反应成CO2，将H2反应成H2O，再由分子筛吸附CO2、H2O,再经分馏分离O2 后得到有一定纯度的GN2。
PN2，即"Purity Nitrogen"，代表着高纯度的氮气，是GN2经由纯化器(Purifier)纯化处理后的气体，产生高纯度的氮气，一般液态氮气纯度约为 99.9999%，含小数点后共6个9，经纯化器纯化过的氮气纯度约为99.9999999%，含小数点后共9个9。
2.气体纯度
说到纯净气体，就不得不提到气体的纯度等级及其表示方法，气体纯度的定义通俗来讲可理解为：除本气体成份外，所含其它物质的多少。例如：氮气的纯度，是指除N2成份外，含的O2、H2、Ar、CO2、H2O、金属、尘粒等杂质的多少；又如氮和氦的混合气，是指除N2和He成份外，含有的O2、CO2、H2O尘粒等杂质的多少。
准确表示气体的纯度主要有两种方法，即：
（1）用百分数表示，如99%,99.5%,99.9%,99.99%,99.999%、99.9999%,99.99999%等。
（2）用“N”表示，如3N，5N，4.8N，5.5N，6N，7N等，N前面数字的大小与（1）中的“9”的个数相对应，小数点后的数字大小表示不足“9”的数。4N(99.99%),6N(99.9999%),7N(99.99999%),4.8N(99.998%),5.5N(99.9995%)等。
根据气体纯度的不同，通常又将其为四个等级，即普通气体、纯气体、高纯气体和超高纯气体，按照纯度划分后的气体在不同领域的生产应用也不尽相同，如下表所示。
表1-1 |
气体等级 | 纯度要求 | 器件生产工艺上的应用 |
一般气体 | 99.9% | 一般器件 |
纯气体 | 99.99-99.999% | 晶体管和晶闸管等 |
高纯气体 | 99.999-99.9999% | 大规模集成电路和特殊
器件等 |
超高纯气体 | >99.9999% | 超大规模集成电路和特
大规模集成电路等 |
(补充：一般半导体厂房内GN₂可达到5N 左右) |
特种气体，气体工业名词，是指那些在特定领域中应用的，对气体有特殊要求的纯气，高纯气或由高纯单质气体配制的二元或多元混合气。门类繁多，通常可区分为电子气体，标准气，环保气，医用气，焊接气，杀菌气等，广泛用于电子，电力，石油化工，采矿，钢铁，有色金属冶炼，热力工程，生化，环境监测，医学研究及诊断，食品保鲜等领域。
特种气体有哪些？
气体本身化学成分可分为：硅系、砷系、磷系、硼系、金属氢化物、卤化物和金属烃化物七类。特种气体其中主要有：甲烷、乙烯、正戊烷、正丁烯、正丁烷、异戊烷、异丁烯、异丁烷、乙烷、一氧化碳、一氧化氮、一甲胺、一氟甲等。单一气体有259种，其中电子气体115种，有机气体63种，无机气体35种，卤碳素气体29种，同位素气体17种。特种气体作用是什么？
特种气体主要有电子气体、高纯气体和标准气体三种，广泛应用 于电子半导体、化工、医疗、环保和高端装备制造等L域。电子特种气体种类多，应用领域广泛。电子特种气体在半导体整个制程应用中成本占比仅为 5~6%，但由于其品种繁多，在半导体制程工艺中覆盖广泛，因此成为衡量半导体技术的核心产品。在制备特种气体供应环节所涉及的市场依然是国内外公司积极布局的方向。特种气体的分类方式很多种，例如按照气体本身化学成分可分为：硅系、砷系、磷系、硼系、金属氢化物、卤化物和金属烃化物七类。按照在集成电路中的作用可分为掺杂气体、外延气体、离子注入气体、发光二极管用气体、刻蚀气体、化学气相沉积（CVD）用气体、载运稀释气体七类。同时，以上分类存在交叉，例如在硅烷（SiH4）既属于硅系气体，又属于外延气体，同时在化学气相沉积中也存在应用；例如四氯化硅（SiCl4）既属于硅系气体，又属于外延气体，同时在化学气相沉积(CVD)中也存在应用。因此，具体讨论高纯气体的分类时参考成分和应用具体归属。综合考虑特种气体，包括五大类：1）硅族气体：含硅基的硅烷类，如硅烷（SiH4）、二氯二氢硅（SiH2Cl2）、乙硅烷（Si2H6）、四氯化硅（SiCl4）、四氟化硅（SiF4）等；2）掺杂气体：含硼、磷、砷等三族及五族原子之气体，如三氯化硼（BCl3）、三氟化硼（BF3）、磷烷（PH3）、砷烷（AsH3）、三氯化砷（AsCl3）、三氯化磷（PCl3）等；3）蚀刻清洗气体：以含卤素的卤化物及卤碳化合物为主，如氯气（Cl2）、三氟化氮（NF3）、溴化氢（HBr）、四氟化碳（CF4）、六氟乙烷（C2F6）等；4）反应气体：以碳系及氮系氧化物为主，如二氧化碳（CO2）、氨（NH3）、氧化亚氮（即笑气， N2O）等；5）金属气相沉积气体：含卤化金属及有机烷类金属，如六氟化钨（WF6）、三甲基镓（Ga（CH3）3）等。在半导体制造工艺中所需的常规气体如氮气（N2）、氧气（O2）、氩气（Ar）和氢气（H2）等并不属于特种气体行列，但是此范围常规气体的高纯度制备依然涉及较高技术壁垒，属于国外垄断及国内寻求自给替代的领域。目前国内电子提气体应用领域派瑞科技的NF3、 WF6电子特种气体进入国内主流12 寸晶圆 Fab厂商生产线，四川科美特产品中 CF4 进入台积电 12 寸台南 28nm 晶圆加工生产线。在西门子法还原 SiO2制备电子级硅的工艺中，涉及到的特种气体有 SiHCl3，HCl，SiCl4 等。涉及的常规气体有：H2 和 CO2，在此过程中发生的化学反应包括：SiO2+C->Si+CO2↑；Si+HCl→SiHCl3+H2↑；SiHCl3+H2→Si+HCl。在整体制备工艺中还涉及 SiCl4 的还原过程：SiCl4+H2->SiHCl3。在国内上海新昇半导体公司牵头的 12 英寸（300mm）硅晶圆的生产中，需要11N9 纯度的电子级硅。对于此反应中涉及的电子气体纯度要求极高，在 6N9 以上，目前 12 英寸 11N9电子级硅原料均依赖于从日本进口，上海新昇公司正在尝试与青海地区相关企业对接测试其供应的 11N9 电子级硅，如果此类供应商进入中国国产硅晶圆体系，对于实现国内电子气体替代具有重大推动作用。在金属硅到电子级单晶硅的纯化过程中，为了除去其中的磷和砷等 V 族元素杂质以及铁、铝等金属元素杂质，通常采取蒸馏和分子筛吸附脱除等物理处理工艺。其原因是，如果国内具备自行生产 11N9 电子级硅的产线，上游涉及 SiHCl3、 HCl、SiCl4、 H2和 CO2的企业将具有更加明显的研发驱动力，同时此产线也为上游气体研发提供量产测试的对接平台，因此电子特种气体的进口替代进程将取决于相关原料制备的国产化进程。化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition）是利用高真空下，气体混合发生相关化学反应最终成膜，在晶圆加工中物理成膜的方式包括蒸镀法、离子电镀法、溅镀法，但是只有化学气相沉积法是以气体为原料成膜主要用于制备半导体膜和绝缘膜，其他方法涉及应用的均是惰性保护类气体，如 Ar、 N2等，例如导体膜的制备。由于化学气相沉积成膜的种类多种，因此所涉及的电子特种气体品类也不同，在单晶硅成膜方法包括多种，涉及的化学反应包括：SiCl4+2H2->Si+4HCl；SiHCl3+H2->Si+3HCl；SiH2Cl2->Si+2HCl；SiH4->Si+2H2。其中前三种化学反应涉及的气体分别为 SCl4、 SiHCl3、SiH2Cl2，在生产大规模集成电路中可以应用，因为此时反应温度较高，当整个半导体行业升级为超大规模集成电路时，就考虑以最后一种的硅烷（SiH4）作为反应气体实现低温条件下的化学气相沉积。目前国内建设的多条晶圆加工生产线涉及 300mm 硅晶圆的加工中，单晶硅薄膜的制程选用 6N9 以上 SiH4 作为反应源气体可实现在低温条件下的化学气相沉积制备单晶硅。在二氧化硅绝缘膜和氮化硅绝缘膜的制备中，以SiH4或 SiH3Cl2 为源气，辅助气体中分别涉及 6N9 级别的 O2、 N2O 和 NH3 的应用。晶圆加工工艺中生长二氧化硅（SiO2）绝缘膜涉及的化学反应：SiH4+O2->SiO2+2H2;SiH4+N2O->SiO2+2N2+H2。晶圆加工工艺中氮化硅(Si3N4)绝缘膜涉及的化学反应：3SiH4+4NH3->Si3N4+12H2；3SiH2Cl2+4NH3->Si3N4+6HCl+6H2。晶圆加工工艺半导体层砷化镓（GaAs）的制备包括两种 CVD 方法，第一种是利用气相外延生长法（VPE）,第二种是金属有机物气相沉积法（MOCVD）。VPE法是利用将 AsCl3 通过鼓泡式进入反应炉，首先在 H2 的还原作用下生成 As， As在沉积在 Ga 层上在 H2气氛中涉及可逆反应最终实现成膜。涉及的化学反应包括：4AsCl3+6H2->12HCl+As4;CaAs+HCl<->GaCl+1/2H2+1/4As4。MOCVD 法是利用卤化物和金属有机物在进行化学反应最终制备成膜：CH3)3Ga+AsH3->GaAs+3CH4。综上所述，目前国内在建 11 条晶圆加工产线在制备半导体膜和绝缘层的过程中涉及的电子特种气体包括 SiH4、 SCl4、 SiHCl3、SiH2Cl2、 AsCl3、 (CH3)3Ga、AsH3 等原料气体和 H2、 HCl、 O2、 N2O、 NH3 等反应气体。因此，在国内半导体兴起的过程中，实现 6N9 以上纯度的源气和反应气体存在较大市场空间。在晶圆制程中涉及图案化过程中部分工艺涉及气体刻蚀工艺的应用，也称干法刻蚀，此过程是利用电子特种气体在电离条件下形成等离子体，等离子体通过物理作用和化学作用除去图形化工艺中部分位置，刻蚀气体的分类也是通过基底材料的不同而不同。在刻蚀半导体 Si 基底时，主要选用氟基气体，例如氟利昂-14（CF4），在此过程中需要刻蚀部位的 Si 与 CF4 反应生成 SiF4 而除去，其化学反应式为：Si+CF4+O2->SiF4+CO2。氟利昂-116(C2F6)和氟利昂-23(CHF3)在刻蚀硅时由于容易产生聚合膜从而影响刻蚀效果，但是在刻蚀 SiO2 的时候不会出现此类现象，因此用于 SiO2 的刻蚀。同时由于半导体 Si 薄膜存在各向同性的特点，刻蚀选择性差，因此后续开发中引入氯基（Cl2）和溴基（Br2、 HBr）作用，最终生成物中还包括 SiBr4和 SiCl4从而提高选择性。在绝缘层 SiN4 的刻蚀中通常选用氟利昂-32（CH2F2） ,原因是 CH2F2 在刻蚀 Si和 SiO2 过程中均会产生聚合膜从而影响刻蚀效果。综上所述，目前国内在建产线汇总涉及薄膜的气体包括 CF4 、 C2F6 、 CHF3、Cl2、 Br2、 HBr 和 CH2F2 等，但是此类刻蚀气体用量相对较少，刻蚀过程中需与相关惰性气体 Ar、 N2等共同作用实现刻蚀程度的均匀。在半导体材料的制备，理想条件下的 IV 族元素（Si、 Ge、 Sn）原子核外有 4 个电子，因此需要通过掺杂引入形成 N 型和 P 型半导体，在 Si 中引入 III 族元素（如 B）形成 N 型半导体，在 Si 中引入 V 族元素如（N、P）形成 P 型半导体，P 型半导体与 N 型半导体形成 PN 结是后续功能器件的基础。因此，在 300mm大硅片制备前端11N9的高纯Si的掺杂工艺中制备N型半导体涉及到B2H6、BBr3和 BF3 等电子气体的应用，制备 P 型半导体涉及到 PH3、POCl3、 AsH3、 SbCl5等电子气体的应用。电子特种气体的制备逻辑与超净高纯试剂的制备逻辑存在部分相似，部分电子气体如（N2、 O2、 Ar、 NH3 等）可以通过工业气体的分离和纯化实现，此部分的制备工艺对于分离设备的依赖十分显著，目前国内通过进口相关分离纯化设备元件进行拼装改造，避开海外技术专利封锁，最终实现纯化。但是，纯化过程涉及工艺从 4N9 到 6N9 的纯度升级过程任重道远，如果探索出合理的合成路线降低投资成本成果主流企业思考的问题。另一类作为源料气体如硅烷（SiH4）、砷烷（AsH4）等，均需要在源头合成实现，目前均被欧、美、日等公司垄断，小松电子金属、三井东亚化学、帝国氧气等是日本 SiH4的主要供应厂商，普莱克斯(元UCC公司)、 APCI、曼特森等是欧美等国 SiH4 的主要供应厂商,其制备工艺核心技术不对外公布，因此无法实现短期内的技术壁垒突破。国家开展“02”专项，由中船重工第七十八研究所组织南大光电、中昊光明化工、洛阳黎明化工、广东佛山华特气体和大连科利德等单位共同攻克电子特种气体的难关。目前国内企业中雅克科技（002409）通过外延并购整合韩国 UP Chemical 电子特种气体前驱体业务，共同开辟国内市场，其 SOD 产品目前已经进入 SK 海力士28nm 的 DRAM 供应链，未来将在集成电路产业基金支持下持续拓展国内客户，同时其预计收购的四川科美特四氟化碳气体进入台积电供应链，成为台南14A 厂制定供应商，未来将布局进入台积电在大陆建设的晶圆产线，通过电解氟化氢过程成本优势扩大其未来行业竞争力。1、氮气-N2,纯度要求>99.999%,用作标准气、在线仪表标准气、校正气、零点气、平衡气；用于半导体器件制备工艺中外延、扩散、化学气相淀积、离子注入、等离子干刻、光刻、退火、搭接、烧结等工序；电器、食品包装、化学等工业也要用氮气。2、氧气-O2,>99.995%,用作标准气在线仪表标准气、校正气、零点气；还可用于医疗气；在半导体器件制备工艺中用于热氧化、扩散、化学气相淀积、等离子干刻等工序；以及用于光导纤维的制备。3、氩气-Ar,>99.999,用作标准气、零点气、平衡气；用于半导体器件制备工艺中晶体生长、热氧化、外延、扩散、氮化、喷射、等离子干刻、载流、退火、搭接、烧结等工序；特种混合气与工业混合气也使用氢。4、氢气-H2,>99.999%,用作标准气、零点气、平衡气、校正气、在线仪表标准气；在半导体器件制备工艺中用于晶休生长、热氧化、外延、扩散、多晶硅、钨化、离子注入、载流、烧结等工序；在化学、冶金等工业中也有用。5、氦气-He,>99.999%,用作标准气、零点气、平衡气、校正气、医疗气；于半导体器件制备工艺中晶体生长、等离子干刻、载流等工序；另外,特种混合气与工业混合气也常用。6、氯气-Cl2,>99.96%,用作标准气、校正气；用于半导体器件制备工艺中晶体生长、等离子干刻、热氧化等工序；另外,用于水净化、纸浆与纺织品的漂白、下业废品、污水、游泳池的卫生处理；制备许多化学产品。7、氟气-F2,>98%,用于半导体器件制备工艺中等离子干刻；另外,用于制备六氟化铀、六氟化硫、三氟化硼和金属氟化物等。8、氨气-NH3,>99.995%,用作标准气、校正气、在线仪表标准气；用于半导体器件制备工艺中氮化工序；另外,用于制冷、化肥、石油、采矿、橡胶等工业。9、氯化氢-HCI,>99.995%,用作标准气；用于半导体器件制备工艺中外延、热氧化、扩散等工序；另外,用于橡胶氯氢化反应中的化学中间体、生产乙烯基和烷基氯化物时起氧氯化作用。10、一氧化氮-NO,>99%,用作标准气、校正气；用于半导体器件制备工艺中化学气相淀积主序；制备监控大气污染的标准混合气。11、二氧化碳-CO2,>99.99%,用作标准气、在线仪表标推气、校正气；于半导体器件制备工艺中氧化、载流工序警另外,还用于特种混合气、发电、气体置换处理、杀菌气体稀释剂、灭火剂、食品冷冻、金属冷处理、饮料充气、烟雾喷射剂、食品贮存保护气等。12、氧化亚氮-N2O,(即笑气),>99.999%,用作标准气、医疗气；用于半导体器件制备工艺中化学气相淀积、医月麻醉剂、烟雾喷射剂、真空和带压检漏；红外光谱分析仪等也用。13、硫化氢-H2S,>99.999%,用作标准气、校正气；用于半导体器件制备工艺中等离子干刻,化学工业中用于制备硫化物,如硫化钠,硫化有机物；用作溶剂；实验室定量分析用。14、四氯化碳-CCl4,>99.99%,用作标准气；用于半导体器件制备工艺中外延丫、化学气相淀积等工序；另外,用作溶剂、有机物的氯化剂、香料的浸出剂、纤维的脱脂剂、灭火剂、分析试剂、制备氯仿和药物等。15、氰化氢-HCN,>99.9,用于半导体器件制备工艺中等离子干刻工序；制备氢氰酸溶液,金属氰化物、氰氯化物；也用于制备丙烯睛和丙烯衍生物的合成中间体。16、碳酰氟-COF2,>99.99%,用于半寻体器件制备工艺中等离子干刻工序；另外,用作氟化剂。17、碳酰硫-COS,>99.99%,用作校正气；用于半导体器件制备工艺中离子注入工序；也用于有些羧基、硫代酸、硫代碳酸盐和噻唑的合成。18、碘化氢-HI,>99.95%,用于半导体器件制备工艺中离子注入工序；还用于氢碘酸溶液制备。19、嗅化氢-HBr,>99.9%,用于半导体制备工艺中等离子干刻工序；用作还原剂,制备有机及无机澳化合物。20、硅烷-SiH4,>99.999%,电阻率>100Ω/cm2,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积等工序。21、乙硅烷-Si2H6,>99.9%,用于半导体制备工艺中化学气相淀积。22、磷烷-PH3,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、扩散、化学气相淀积、离子注入等工序；磷烷与二氧化碳混合的低浓度气体,可用于杀死粮仓的虫卵和制备阻火化合物。23、砷烷-AsH3,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、扩散、化学气相淀积、离子注入等工序。24、硼烷-B2H6,>99.995%,用于半导体器件制备工艺中外延、扩散、氧化等工序；用于有些化学工业合成过程:如氢硼化反应(即生成醇类),有机功能的衰退,制备较高的硼烷衍生物和碳甲硼烷化合物。25、锗烷-GeH4,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、离子注入工序。26、锑烷-SbH3,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、离子注入工序。27、四氧甲硅烷-Si(OC2H5)4,>99.99%,用于半导体器件制备工艺中化学气相淀积工序。28、乙烷-C2H6,>99.99%,用作标准气、校正气、在线仪表标准气；用于半导体器件制备工艺中等离子干刻工序；还用于冶金工业的热处理,化学工业中制备乙醇、氧化乙二醇、氯乙烯、高醇类、乙醛等。29、丙烷-C3H8,>99.99%,用作标准气、校正气、在线仪表标准气；用于半导体器件制备工艺中等离子干刻工序；另外,用于燃料、冷冻剂、制备乙烯与丙烯的原料。30、硒化氢-H2Se,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中扩散、离子注入工序。31、碲化氢-H2Te,>99,999%,用于半导体器件制备工艺中扩散、离子注入工序。32、二氯二氢硅-SiH2Cl2,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积工序。33、三氯氢硅-SiHCl3,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积工序。34、二甲基碲-(CH3)2Te,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中扩散、离子注入工序。35、二乙基碲-(C2H5)2Te,>99.999%,用途同(34)。36、二甲基锌(CH5)2Zn,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中化学气相淀积工序。37、二乙基锌(C2H5)2Zn,>99.999%,用途同(36)。38、三氯化磷-PCl3,>99.99%,用于半导体器件制备工艺中扩散,锗的外延生长和离子注入工艺；PCl3是有机物的良好氯化剂；也用于含磷有机物的合成。39、三氯化砷-AsCl3,>99.99%,用于半导体器件制备工艺中的外延和离子注入。40、三氯化硼-BCl3,>99.99%,用于等离子干刻、扩散；作硼载气及一些有机反应的催化剂；精炼镁、锌、铝、铜合金时从溶化金属中除掉氮、碳、氧化合物。41、四氯化硅-SiCl4,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积工序。42、四氯化锡-SnCl4,>99.99%,用于外延、离子注入。43、四氯化锗-GeCl4,>99.999%,用于离子注入。44、四氯化钦-TiCl4,>99.99%,用于等离子干刻。45、五氯化磷-PCl5,>99.99%,用于外延、离子注入。46、五氯化锑-Sb=Cl5,>99.99%,用于外延、离子注入。47、六氯化钥-MoCl6,>99.9%,用于化学气相淀积。48、三嗅化硼-BBr3,>99.99%,用于半导体器件制备工艺中离子注入工序和制备光导纤维。49、三嗅化磷-PBr3,>99.99%,用于外延、离子注入。50、磷酞氯-POCI3,>99.999%,用于扩散工序。51、三氟化硼-BF3,>99.99%,用于离子注入；另外,可作载气、某些有机反应的催化剂；精炼镁、锌、铝、铜合金时从熔化金属中除掉氮、氧、碳化物。52、三氟化磷-PF3,>99%,用于外延、离子注入工序；另外用作氟化剂。53、三氟化砷-AsF3,>99.9%,用途同(52)。54、二氟化氨-XeF2,>99.9%,用于外延、离子注入工序；用于固定模具氨的考察及原子反应堆排放废气中氮的测定。55、三氟氯甲烷-CClF3,(R-13),>99.995%,用于等离子干刻工序；冷冻剂、空调均可用。56.三氟甲烷-CHF3,(R-23),>99.999%,用于等离子干刻工序;低温冷冻剂。56、三氟化氮-NF3>99.99%,用于等离子干刻工序;火箭推进剂、氟化剂。57、三氟嗅甲烷-CBrF3,(R13B1),>99.99%,用于等离子干刻工序;还用于空调、低温冷冻及灭火剂。58、三氟化硼-11-B11F3,>99.99%,用于离子注入工序(天然硼的同位素,含11B8l%,10B19%。出售的11B是浓缩含有96%同位素BF3);还用于制备光导纤维。59、三氟化硼-11-B11F3,>99.99%,用于离子注入工序(天然硼的同位素,含11B8l%,10B19%。出售的11B是浓缩含有96%同位素BF3);还用于制备光导纤维。60、四氟化碳-CF4,(R-14),>99.99%,用于等离子干刻工序;在很低温度下作为低温流体用;也用于中性及惰性气体。61、四氟化硫-SF4,>98%,用于等离子干刻工序;氟化剂、表面处理剂。62、四氟化硅-SiF4,>99.99%,用于化学气相淀积工序;制备氟硅酸及其盐类。63、四氟化锗-GeF4,>99.999%,用于离子注入工序。64、五氟化磷-PF5,>99.9%,用于离子注入、等离子干刻工序;另外,用作氟化剂,聚合、烃化及脱烃化反应、烃类裂化反应时作催化剂。65、五氟氯乙烷-C2ClF6,(R-115),>99.99%,用于等离子干刻工序;另外,作冷冻剂、烟雾喷气剂。66、五氟化砷-AsF5,>99%,用于外延、离子注入工序,氟化剂。67、六氟乙烷-C2F6,(R-116),>99.99%,用于等离子干刻工序;用作冷却、冷冻剂和空调;单体生产的原料;化学反应中的添氟剂、电器设备的绝缘剂。68、六氟化硫-SF6,>99.99%,用作标准气;用于化学气相淀积工序;由于在高电压下具有很高的电阻,用作电器设备的绝缘剂;检漏气体,实验室中作色谱仪的载气。69、六氟化钨-WF6,>99.99%,用于化学气相淀积工序;强烈的氟化剂;也用作钨载体。70、六氟化氧-(CF3)2O2,>99.99%,用于等离子干刻工序。71、六氟乙酰-(CF3)2CO,>99.99%,用途同(70)。72、六氟乙酞氧-(CF3CO)2O,>99.99%,用途同(70)。73、六氟化铼-ReF6,>97%,用于离子注入工序;氟化剂。74、八氟丙烷-C3F8,(R-218),>99.9%,用于等离子干刻工序;与氟利昂相混合作冷冻剂;高压电的绝缘剂。75、八氟环丁烷-C4F8,(RC318),>99.99%,用于等离子干刻工序;用作冷却剂、冷冻剂;作电器和电子设备的气体绝缘。76、十二氟戊烷-C5F12,>99.9%,用于等离子干刻工序;也可与CF4相混用。77、三甲基铝-(CH3)3Al,>99.999%,用于化学气相淀积工序;金属的有机合成。78、三甲基镓-(CH3)3Ga>99.999%,用途同(77)。79、三甲基锑-(CH3)3Sb,>99.999%,用途同(77)。80、三甲基锢-(CH3)3In,>99.999%,用途同(77)。81、三乙基铝-(C2H5)3Al,>99.999%,用途同(77)。82、三乙基镓-(C2H5)3Ga,>99.999%,用途同(77)。83、四乙基铅-(C2H5)4Pb,>99.999%,用于化学气相淀积工序。84、丙烯腈-C3H3N,>99.9%,用于等离子干刻工序。85、1,1,2-三氯乙烯-C2HCl3,>99.99%,用作标准气、校正气、医疗气;用于半导体器件制备工艺中热氧化工序;另外,用于金属的脱脂剂和脂肪、油、石蜡等萃取剂,衣服干洗,冷冻剂,杀菌剂。86、甲烷-CH4,99.999%,用作标准气、校正气、在线仪表标准气;作燃料、宇宙飞船中气体电池。87、甲烷硫醇-CH3SH,>99.5%,用作标准气、校正气;用于有机合成;作为喷气燃料添加剂,杀真菌剂和蛋氨酸的中间体。88、一甲胺-CH3NH2,>99%,用于硫化促进剂、药物、染料和炸药等,并作溶剂、有机合成、醋酸人造纤维。89、甲醇-CH3OH,>99.9%,用作标准气,与空气混合后作校正气;用于制备甲醛和农药乡用于有机物质的萃取剂和酒精的变性剂。90、二甲胺-(CH3)2NH,>99%,用作抗氧化剂;在溶液中作浮洗.剂、汽油稳定剂、橡胶加速剂等。91、二甲醚-(CH3)2O,>99.9%,在化学工业中用作配制合成橡胶和甲硫醚;用作甲基剂、萃取剂、溶剂;也用作制冷剂。92、乙炔-C2H2,>99.9%,用作标准气、校正气;化学工业中的中间体,如制备乙烯、乙醛、醋酸乙烯、氯乙烯、乙烯醚等;用于原子吸收光谱。93、乙烯-C2H4,>99.99%,用作在线仪表标准气、标准气、校正气;是化学 工业合成中的重要原料,生产塑料的中间体,生产乙醇、醋酸、氧化乙烯、氯乙烯、乙苯等的原料;也用于焊接和切割、冷冻剂、某些水果、蔬菜生长的加速剂。94、氧化乙烯-C2H4O,99.9%,用作标准气、校正气、医疗气;与CO2、R11、R21相混合作消毒剂,文物保管,皮革消毒,清洗衣料均可采用;化学工业中用作中间体,生产液体或固体聚乙二醇、乙醇胺类等。95、溴代乙烯-C2H3Br,>99.9%,用作有机合成的中间体,用聚合法与共聚法来制备塑料。96、一乙胺-CH3CH2NH2,>99%,水溶液中含有70%乙胺,作为下列化学工业制备中的中间体:着色剂,电镀池、硫化增速剂等;还用于制药、表面活性剂、萃取剂。97、四氟乙烯-C2F4,>99%,在生产塑料时作为一种重要的单体,如泰氟隆等。98、乙醛-CH5CHO,>99.9%,用作校正气;用于制备酷酸、醋醉、醋酸乙酷、正丁醇、合成树脂等。99、二甲基二硫醚-CH3S2CH3,＞99.9%,用作校正气、溶剂。100、二甲基硫醚-CH3SCH3>99.9%,用作校正气、溶剂。101.乙醇-C2H5OH,>99.9%,用作校正气;用于溶剂,制备染料、涂料、药物、合成橡胶等。102、乙酰氯-CH3COCl,99.99%,用于乙酰化剂和化学试制。103、1-羟亚乙基-1,1双磷酸-C2H8P2O7,>99.99%,简称HEDPA,用于特殊的洗涤、纺织漂白分离剂、磨料和环境卫生;在石油和气田中用作防腐剂。104、环丙烷-(CH2)3,>99%,用于有机合成;医药上作麻醉剂。105、甲基乙炔-C3H4>99%,用作在线仪表标准气、校正气;用于制备丙酮;化学工业中作合成中间体。106、六氟丙酮-CF3COCF3,>99.9%,是强烈的反应气,常与脂肪酮发生化学反应,用这些酮类可制备不同的产品,如稳定的液体、溶剂、水泥、单体、共聚物,以及农业及药物产品。107、三甲胺-(CH3)3N,>99%,用作标准气,溶液中含25%的三甲胺可作抗组胺治疗处理;在化学工业中作中间体,用来生产杀虫剂、润湿剂、发泡剂、合成树脂等表面活性剂。108、丙烯-C3H8,>99.9%,用作标准气、校正气、在线仪表标准气;在化学工业上用作制备异丙醇、氧化丙烯、氧基醇类、四氯化碳、聚丙烯等。109、丙二烯-C3H4,99%,在线仪表标准气;用于有机合成中间体。110、氧化丙烯-C3H6O,>99.9%,(又称1,2-环氧丙烷),用于制备丙二醇和泡沫塑料;也是醋酸纤维素、硝酸纤维素和树脂等的溶剂。111、甲基乙烯醚-CH3COCH3,>99.5%,用作标准气;用于有机合成中间体;塑料和合成树脂制备时的原料及共聚物的生产。112、六氟丙烯-C3F6,>99.9%,用于有机合成中间体。113、丙酰氯-CH3CH2COCl,＞99.9%,用于制备盐酸、丙酸;用作氧化剂。114、正丁烷-C4H10,>99.99%,用作标准气、校正气;用作燃料,商业上主要和异丁烷混合用;化学工业中作制备中间体:乙烯、丙烯、丁烯等;作烟雾喷射剂;充入温度计球作标准蒸汽压型的压力表;与氦混合用作电离粒子计算器。115、异丁烷-iC4H10,>99.99%,用作标准气、校正气;用途同(114)。116、乙基乙炔-C4H5,>99%,用作标准气、校正气;化学工业中作为合成中间体。117、环丁烷-(CH2)4,>99%,作为液体溶剂,或与其它溶剂混合使用;也可作为合成中间体。118、丁烯-1-C4H8,>99.9%,用作标准气、校正气;用于有机化合物的制备中间体;催化脱氢生成丁二烯。119、顺丁烯-2C4H8,>99%,用作标准气、校正气;用于有机化合物的制备中间体;催化脱氢生成丁二烯、酸式硫酸盐,加水生成丁醇-2等;也可用作溶剂。120、反丁烯-2-C4H8,>99%,用作标准气、校正气;用途同(119)。121、顺与反丁烯-2-C4H8,>99%,用作校正气;用途同(119)。塑料和树脂,生产尼龙-6;也是火箭燃料组成部分。122、1,3丁二烯-C4H6,>99%,用作校正气;用聚合法和共聚法来生产合成橡胶、塑料和树脂,生产尼龙-66;也是火箭燃料组成部分123、异丁烯-iC4H8,>99.9%,用作校正气,用于有机中间体,使氧化产生丙酮和甲酸,在液相或气相中催化使生成双异丁烯等;也可用来制备合成橡胶,有很高的耐酸碱度;是良好的绝缘体。124、八氟-2-丁烯-C4H8(全氟丁烯),>99.5%,用于有机合成中间体。125、二甲乙基胺-(CH3)2NC2H5,99.99%,一接触到氧化剂,反应剧烈;与二氧化碳混合,遇到汞会产生爆炸反应。126、正戊烷-C5H12,>99%,用作标准气、校正气;作溶剂及合成中间体。127、异戊烷-iC5H12,>99%,用作校正气;用途同(126)。128、2,2二甲基丙烷-C5H12,(又叫新戊烷),>99.9%,是生产异丁烯的原料,用于生产合成丁烯橡胶。129、3-甲基-1-丁烯-C5H10,(甲基丁烯),>99.95%,用于有机合成中间体;也用于增加燃料的辛烷值;用于塑料的聚合。130、特戊酰氯-(CH3)3CCOCl,>99.99%,可制备氯化氢与特戊酸;可与强氧化剂反应。131、苯-C5H6,>99.999%,用作标准气、校正气、零点气;是染料、塑料、合成像胶、合成树脂、合成纤维、合成药物和农药的原料。132、己烷-C6H14,>99.9%,用作标准气、校正气;作溶剂。133、三乙基铝三氯-C6H15 Al2Cl3,>99.99%,用于合成中间体;烯类聚合催化剂,芳烃衍生物聚合的催化剂。134、环己烷-C6H12,>99.99%,用作标准气;用于制备环己醇和环己酮;用于合成耐6;在涂料工业中广泛用作溶剂,也是树脂、脂肪、石蜡、油类的极好溶剂。135、己二酞氯-ClOC(CH2)4COCl,>99.99%,用于制备氯化氢与肥酸。136、甲苯-C7H8,,>99.99%,用作零点气、校正气;用于制造糖精、染料、药物和炸药等;也用作溶剂。137、苯乙烯-C8H8,,>99.9%,用作校正气;用于制树脂、塑料、合成橡胶等。138、2-乙基己酰氯-C5H10,C2H5,COCl,>99.9%,可用于制备氯化氢和2-乙基己酸。139、辛酰氯-CH3,(CH2,)6COCl,>99.9%,是氧化剂;可用于制备盐酸与辛酸。140.氨基咪哇酮-C9H15,N3O3,>99.9%,用作还原剂。141、壬酰氯-CCH3(CH2)7COCl,>99.9%,用于制备盐酸与壬酸。142、新癸酰氯-C10H19OCl,>99.9%,用于制备盐酸与新癸酸。143、三异丁基铝-C12H27,Al,(简称TIBA),>99.99%,用于合成中间体,是聚合烯类和二烯类的催化剂。144、十二酰氯-CH3(CH2)10COCl,>99.9%,用于制备盐酸与月桂酸。145、十八酰氯-CH3(CH2)18COCl,＞99.9%,用于制备盐酸与硬醋酸。146、酚酞黄-C20H14O4,>99.9%,医疗用作泻药。147、空气(或合成空气)-21%O2,79%N2,用作零点气,超零点级空气中含CnHm<0.lppm,零点级空气中含CnHm<0.2ppm。零点级空气经常用于色谱仪火焰离子化检定器和总碳量分析仪中的氧化剂。148、仲氢-H2,>99.99%,用作火箭推进剂;核工业中用于气泡室;冷电子工程低温液态供固体电路研究用。149、纯水-H2O,>99.9999%,用作标准气、校正气。150、氖-Ne,>99.999%,用作标准气、特种混合气;用于充发光灯泡、电子管、讯号灯、等离子体研究、荧光灯中启动器、火花室、盖革一弥勒管、 激光器;用作低温冷却剂。151、氪气-Kr,>99.995%,用作标准气、特种混合气、灯泡与电子工业用气。152、氙气-Xe,>99.995%,用作标准气、特种混合气,用于电光源、电子工业、充填闸流管和半波整流管。153、溴气-Br2,>99.99%,用于化学工业中制备澳化氢和其它嗅化合物、氧化剂、实验试剂;也用于染料和摄影工业。154、臭氧-O3,>99.99%,用作医疗气,用于外科设备的消毒,人类用水和游泳池的净化,工业废品的处理,污物消毒;纺织纤维、纸浆和糖类的漂白,樟脑的制备,矿物油及其衍生物的净化。155、氰气-C2N2,>99%,用作焊接与切割耐热金属,与氧化剂、臭氧和氟气混合后作火箭与导弹推进剂;医学上作薰蒸剂;用于许多有机合成中的媒介物。156、氯化氰-ClCN,>99%,用于有机合成;与薰蒸气体相混合可作热源。157、氟化氢-HF,>99.9%,用于制备氟化物、氟气;在异构化、冷凝过程、聚合、干燥、水解反应等作为催化剂;在有些有机或无机反应中作为氟化剂。158、亚硝酰氯-NOCl,>99%,用于有机化合物的重氮化、硝化、氯化作用;也用于石油熟化剂。159、过氟二氯氧ClO3F,>99%,用于与氟卤素类相混合,成为火箭发动机的液态氧化剂;也可供街族化合物作选择性的氟化剂。160、碳酰氯-COCl2,(光气),>99.9%,用于染料、药物、除荞剂、杀虫剂、合成泡沫、树脂和聚合等有机合成;还用作氯化剂。161、硫酰氟-SOF2,>99.5%,用于制备氟碳化合物;是优良的杀虫薰蒸剂,用于集装箱、农作物种子、林木种子的薰蒸,仓库、古建筑、园林果木蛀干性害虫及白蚁的防治,以及文物档案的保护;也用作催化剂。162、羰基镍-Ni(CO)4,>99.95%,用于制备高纯镍;制成金属镜及很薄的镍箔;是碳化反应中有效的催化剂。163、羰基铁-Fe(CO)5在有的文献中写成Fe(CO)4〕,>99.95%,主要作铁的载体,在汽油中作抗爆剂。164、磷酸-H3PO4,>99.99%,用作校正气;用于制磷酸盐、甘油磷酸醋、磷酸按肥料;还作化学试剂。165、过氙酸钠-Na4XeO6·8H2O,>99.99%,强氧化剂,可测定水中汞含量。166、一氧化碳-CO,>99.995%,用作标准气、校正气、在线仪表标准气;与氢和其它气体混合作燃料气;用于从含有铁、钻和铜的矿砂中回收镍;也可用于制备酸类、醚类和醇类化学品。167、二氧化硫-SO2,>99.99%,用作标准气、校正气、在线仪表标准气;用于啤酒、葡萄酒、肉类的防腐;硫化物和氧硫化物的制备;油类和食品的漂白剂;硫化纸浆的制备;制冰工业的冷却剂。168、二氧化氮-NO2(N2O4),>99.9%,用作标准气;用于一些氧化反应的催化剂;在丙烯酸盐类精馏时用于防止聚合,用作有机物的硝化剂、氧化剂、火箭燃料一、面粉漂白剂。169、二氟化氧-OF2,>99.5%,用作氧化剂,是高能火箭推进剂系统中的组成部分。170、三氧化二氮-N2O3,>99.5%,与碱化合生成纯碱亚硝酸盐类;在特殊燃料系统中作氧化剂,也用于萜烯类的鉴定。171、三氧化氙-XeO3,>99.99%,用于通过氧化还原代替测定氧化溶液的含量(Xe6→Xe0)。172、三氧化硫-SO3,>99.99%,用于化学工业中制备硫酸与发烟硫酸;是硫化剂;也用于染料工业。173、三氟化氯-ClF3,>99.5%,用作火箭导弹推进剂,当接触到燃料时(自发能力)能使其立刻开始反应;也用作油井管道切割剂,管道深达2公里也可用它来切断管子。174、三氟化溴-BrF5,>99.5%,用作氟化剂和电解溶剂;也用于火箭导弹的推进剂。175、四氟化氮-N2F4,>99.9%,强氧化剂,可制备三氟化氮。176、四氟化氙-XeF4,>99.9%,可用于制备过氙化合物和三氧化氙溶液。177、五氟化溴-BrF5,>99%,用作氟化剂;也用于火箭导弹的推进剂。178、五氟化氯-ClF5,>99%,强烈的氧化剂,腐蚀性比三氟化氯小,可制备有机及无机氟化物;可作空间推进器的助燃剂。179、五氟化碘-IF5,>99%,用作氟化剂和燃烧剂。180.六氟化钼-MoF5>99.9%,强烈的氟化剂,也用于钥的载体。181、六氟化碲-TeF5,>99.9%,用作氟化剂和啼的载体。182、氟三氯甲烷(R11)-CCl3F,>99.95%,用于冷冻工业、空调、溶剂 、滑冰场、盐水和海水装置、烟雾喷射剂、发泡剂、检漏、纺织品的干洗。183、二氟二氯甲烷(R12)-CCl2F2,>99.9%,用作标准气、校正气;用于低温空调、食品贮藏、冷冻工业、烟雾喷射剂、检漏、膨胀剂、气相绝缘材料。184、二氟氯溴甲烷(R12B1)-CBrClF2,>99.9%,用于石油、丙酮、二硫化碳生产中及电器着火时的灭火剂。185、二氟二溴甲烷(R12B2)-CBr2F2,>99.9%,用于快速聚合;用作灭火剂。186、二氯氟甲烷(R21)-CHCl2F,>99.9%,用于气候很热时的空调、冷冻剂、溶剂、烟雾喷射剂、化学媒介物。187、二氟氯甲烷(R22)-CHCiF2,>99.9%,用于冷却和空调;在低温喷雾特 殊情况下作烟雾喷射剂;氟化聚合物的生产和检漏。188、二氟甲烷(R32)-CH2F2,>99%,用作冷冻剂,与五氟氯乙烷(R115)混合后形成共沸混合物的冷冻剂。189、氯甲烷(R40)–CH3Cl,>99.5%,用作冷冻剂,局部麻醉处理;气溶胶工业中当作喷射气体;有机合成中用作甲基剂;作溶剂或萃取剂。190、溴甲烷(R40B1)-CH3Br,>99.9%,用于有机合成(着色剂)中甲基剂;低温溶剂、冷冻剂;土壤与种子的薰蒸剂。191、氟甲烷(R41)-CH3F,>99.9%,以混合物用作非燃烧性的烟雾喷射剂。192、l,1,2,-三氯三氟乙烷(R113)-C2Cl2F3,(俗称TTE),>99.9%,用作冷冻剂、传热介质;制备三氟氯乙烯(R1113)的中间媒介物。193、1,2-二氯四氟乙烷(R114)-C2Cl2F4,>99%,用作冷冻、冷却、空调,单独与二氟二氯甲烷(R12)混合作为化妆品烟雾喷射剂。194、1,2-二嗅四氟乙烷(R114B2)-C2Br2F4,>99.5%,用作溶剂、灭火剂,与其它氟碳化合物相混合作喷射剂。195、五氟氯乙烷(R115)-C2ClF5,>99.9%,用作冷冻剂、烟雾喷射剂。196.二氟氯乙烷(R142B)-C2H3ClF2,>99%,用作冷冻剂、溶剂、与非燃烧性的卤碳类化合物相混合作喷射剂。197、三氟乙烷(R143)-C2H3F3,>99.9%,用作冷冻剂。198、1,1-二氟乙烷(R152A)-C2H4F2,>99%,用作冷冻剂、烟雾喷射剂、有机合成中间媒介物。199、氯乙烷(R160)-C2H3Cl,>99.9%,用于局部麻醉的医疗处理,外科和皮肤科的喷雾医疗;在染料工业中当作乙基剂、冷冻剂、溶剂、杀虫剂的生产。200、氟乙烷(R161)-C2H5F,>99.9%,用于合成中间媒介物。201.R-12与R152A共沸混合物(R500)-CCl2F2/C2HF5,>99.9%,用作冷冻剂、空调。202、R-22与R115共沸混合物(R502)-CHClF2/C2H4F2,>99.9%,用作冷冻剂、空调、喷雾。203.R-23与R13共沸混合物(R503)-CClF3/CHF3,>99.9%,用作冷冻剂、空调。204、全氟丁烷(R601)-C4F10,>99%,用作绝缘气体。205.三氟氯乙烯(R1113)-C2ClF3,>99%,用于制备润滑脂、油类、 蜡类、塑料的聚合剂,聚三氟氯乙烯的单体。206、三氟溴乙烯(R113B1)-C2BrF3,>99%,用于聚合反应和化学中间体。207、二氟氯乙烯(R1122)-C2HClF2,＞99.9%,用于化学合成中间体。208、1,1-二氟乙烷(R1132A)C2H2F2,>99%,是一个很重要的单体,用于生产塑料及弹性体。209、氯乙烯(R1140)-C2H3Cl,>99.9%,用作标准气;用作聚合剂、有机合成的中间体。210、氟乙烯(R1140)-C2H3F,>99.9%,用作聚合剂、有机合成的中间体。211、氦-3–He3,>99.99%,充计数管;作稀释制冷机超低温冷源,可达4.5×10-3K。212、氦-4-He4,>99.99%,在空间应用的低温火箭燃料、核反应堆中重水及所有常温与低温的液体均可用氦-4作压送气。213、氘-D2,>99.95%,在核工业研究中应用在氖核加速器中作为抛射体;当放射丫能射线时作为中子源;在研究化学反应时,包括氢化合物,可作为轨跡用;用于生产重水(D2O)。214、氚-T2,>99.95%,用作标准气,控制每升为1000微居里,有很广泛的活泼性,与氖氩混合作为载气,可用于检测微量氮气及其它稀有气体。’215、氧-18-O218,>99%,可制备H218O、D218O、S18O2。216、氮-15-N215,>99%,可制备15NH3、16NO、15NO等。217、氩-36–Ar36,>99.99%,计量值用。218、氩-40-Ar40,>99.99%,计量值用。219、氖-20Ne20,>99.99%,计量值用。220、氖-22Ne22,>99.99%,计量值用。221、氪-85-Kr85,>99.99%,标准气,控制每升为10微居里,充灯泡用。222、氪-86-Kr86,>99.9%用作标准气。223、氙-133-Xe133,>99.9%,充灯泡用。224、碳-13-C13,>99%,可制备13CO2、13C6H8、13CO、13COS、13C2H4等。225、碳-14-C14,>99%,用作标准气,控制每升为100微居里。226、碳-18-C18,>99%>99%,可制备C18O2、C18O。227、硫-35-S35,>99%,用作标准气,控制每升为100微居里。228、三氯甲烷-CHCl3,>99.9%,用于等离子干刻。229、三氯乙烷-C2HCl3,>99.9%,用于热氧化。230、二甲基二氯硅烷-(CH3)2SiHCl2,>96%,用于外延、化学气相淀积。231、二甲基氯硅烷-(CH3)2SiHCl,>96%,用于外延、化学气相淀积。232、三甲基氯硅烷-(CH3)3SiCl,>95%,用于外延、化学气相淀积。233、二氟四氯乙烷-C2Cl4F2,>99.9%,用于等离子干刻。234、六氟化硅-SiF2,>99.9%,用于等离子干刻。235、八氟甲烷-CF8,>99.9%,用于等离子干刻。236、异十氟丁烷-i-C4F10,>99.9%,用于等离子干刻。237、十二氟乙烷-C2F12,>99.9%,用于等离子干刻。240、二甲基镉-(CH3)2Cd,纯度＞99.999%,电子气,用于MOCVD。241、二乙基镉-(C2H5)2Cd,>99.999%,电子气,用于MOCVDo242、四甲基锡-(CH3)4Sn,>99.999%,电子气,用于MOCVD。243、四乙基锡-(C2H5)Sn,>99.999%,电子气,_用于MOCVD。244、三甲基砷-(CH3)3As,>99.999%,电子气,用于MOCVD。245、三乙基砷-(C2H5)3As,>99.999%,电子气,用于MOCVD。246、三乙基锑-(C2H5)3Sb,>99.999%,电子气,用于MOCVD。247、二乙基铟-(C2H5)2ln,>99.9999%,电子气,用于MOCVD。248、二甲基铟-(CH3)2In,)99.9999%,电子气,用于MOCVD。249、二乙基镁-(C2H5)2Mg,>99.999%,电子气,用于MOCVD。250、二甲基汞-(CH3)2Hg,>99.999%,电子气,用于MOCVD。251、二乙基汞-(C2H5)2Hg,>99.999%,电子气,用于MOCVD。252、三甲基磷-(CH3)3P,>99.999%,电子气,用于MOCVD。253、三乙基磷-(C2H5)3P,>99.999%,电子气,用于MOCVD。254、三异丁基铝-(i-C4H9)3AI,＞99.9999%,电子气,用于MOCVD。255、丙硅烷-Si3H8,>99%,电子气,用于CVD。256、三氯化铝-AlCl3,>99.999%,电子气,用于外延。257、五氟化钽-TaF5,>99.9%,电子气,用于离子注入。258、五氟化铊-TlF5,>99.9%,电子气,用于离子注入。259、氯乙烯-C2H3Cl,99.9%,校正气,用作冷冻剂。260、氟乙烯-C2H3F,>99.9%,校正气,用于制聚乙烯树脂和其它单体的共聚物。特种气体的主要生产工序包括气体合成、气体纯化、气体混配、气瓶处理、气体充装、气体分析检测。气体合成是将原料在特定压力、温度、催化剂等条件下，通过化学反应得到气体粗产品。气体纯化是通过精馏、吸附等方式将粗产品精制成更高纯度的产品。气体混配是将两种或两种以上有效组分气体按照特定比例混合，得到多组分均匀分布的混合气体。气瓶处理是根据载气性质及需求的不同，对气瓶内部、内壁表面及外观进行处理的过程，以保证气体存储、运输过程中产品的稳定。气体充装是指通过压力差将气体充入气瓶等压力容器；气体分析检测即为对气体的成分进行分析、检测的过程。在上图所示工序中，特种气体提纯是制备工艺的核心技术壁垒。特种气体纯度的提高，能够有效提高电子器件生产的良率和性能。电子特气中水汽、氧等杂质组易使半导体表面生成氧化膜，影响电子器件的使用寿命，含有的颗粒杂质会造成半导体短路及线路损坏。而伴随半导体工业的不断发展，产品的生产精度越来越高。以集成电路制造为例，其电路线宽已经从最初的毫米级，到微米级甚至纳米级，对应用于半导体生产的电子特气纯度亦提出了更高的要求。电子特气纯度提升的影响因素较多，难度较大。电子特气纯度提升的影响因素较多，主要包括三个方面：电子特气的分离和提纯方法原理上可分为精馏分离、分子筛吸附分离以及膜分离三大类，在实际提纯分离过程中，为了达到更好的分离效率，往往会利用多种分离方法进行组合，工艺更为复杂。随着电子特气的纯度越来越高，对分析检测方法和仪器提出了更高的要求，检测限从最早的ppm级已经发展到ppt级。目前国外电子气体的分析己经经历了离线分析、在线分析(on-line)，原位分析(insitu)等几个阶段。对于高纯度电子气体的分析，国外已开发出系统完整的分析测试方法和现场分析仪器。而由于我国电子特气行业一直重生产而轻检测，因此分析方法和分析仪器同国外厂商相比都比较落后。高纯电子特气得来不易，在储存和运输过程中要求使用高质量的气体包装储运容器、以及相应的气体输送管线、阀门和接口，确保避免二次污染。而我国加工工艺整体落后以及不符合国际规范，市场主要被国外公司占据。国内电子特气纯度仍有待提升。目前国外电子特气的纯度一般在6个“9”（即99.9999%），而国内多在4—5个“9”之间，少数能达到6个“9”。随着全球半导体、显示面板等电子产业链不断向亚洲、中国大陆地区转移，包括电子特气在内的上游原材料精细化程度持续提升，且实现国产替代意义重大。电子特种气体是电子工业重要的原材料之一，主要应用于冶金、化工和机械制造等传统行业，以及集成电路、液晶面板、太阳能电池、光纤光缆、医疗健康、高端装备制造等新兴行业。根据LinxConsulting显示，半导体市场所需电子特气占比达70%左右，液晶显示和晶硅太阳能电池需求占比分别为20%和4%。关于举办“2024硝化连续化和中试放大及工艺安全培训班”的通知
硝化反应是一种极其重要的化学反应，很多医药、农药、染料行业重要的中间体都是硝化物，他们都是不可替代的有机原料。重点推动企业开展全流程自动化改造，推进新工艺新技术应用，有力支撑促进硝化企业安全发展高质量发展，引导硝化企业提升自动化、智能化控制水平，提升硝化过程本质安全水平。在小试成熟后，进行中试，研究工业化可行工艺，设备选型，为工业化设计提供依据。一般来说，中试放大是快速，高水平到工业化生产的重要过渡阶段，其水平代表工业化的水平。本单位在2024年11月22日-24日江苏省*苏州市举办“2024硝化连续化和中试放大及工艺安全培训班”请各有关单位积极派员参加，现将有关事项通知如下：时间：2024年11月22日-24日（22日全天报到）23、24两天课程地点: 江苏省*苏州市（地点会前一周直接通知报名者）线上+线下2800元/人（含培训费、资料费、两天午餐费等费用）。提前汇款2500元/人，住宿统一安排，费用自理。 | 1) 如何利用量热报告的数据，做中试放大的热平衡分析； |
| 主讲老师：杨老师，有多年的化工医药从业经验；先后担任副总经理、工程总监、运营总监、总经理等职务。擅长化学工艺和工程的结合设计、连续流化学的工艺和工程设计，精通医药全产业链工程设计、工厂运营管理、工艺安全管理，项目管理。 |
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电话/传真：010-60354362 祁慧杰：18518206941（同微信）
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