美光B68S 276层NAND
美光当地7/30时间宣布，其第九代276层3D TLC NAND B68S量产出货。
美光表示其G9 NAND拥有业界最高的3.6 GT/s IO传输速率，六平面设计，接口速度较2.4 GT/s的上一代产品和现有竞品高出50%，能更好满足数据密集型工作负载对高吞吐量的需求。
美光的G9 NAND的密度提升了73%，在读取带宽和写入带宽方面分提升了99%和88%，这一NAND颗粒层面的优势将为固态硬盘和嵌入式存储方案带来性能与能效的提升。
此外，与上一代232层美光NAND闪存一样，美光276层3D TLC颗粒采用了11.5mm × 13.5mm的紧凑封装规格，可减少28%的PCB面积占用，为更多的硬件设计方案创造了可能。
美光2650 OEM SSD
美光在发布其第九代276层3D TLC NAND闪存的同时，也推出了搭载该闪存的2650固态硬盘。该盘面向日常PC和笔记本使用，属于消费级OEM SSD。
美光2650采用PCIe 4.0×4接口，外形可选M.2 2230 / 2242 / 2280三种尺寸，容量覆盖256GB、512GB和 1TB，均为单面设计。得益于其配备的276层3.6 GT/s六平面TLC NAND B68S，美光2650在PCMark 10基准测试中展现了优秀的成绩，其较同样基于TLC闪存的几大原厂竞品，平均跑分高出至多38%，平均带宽高出至多36%，平均响应时间成绩也提高了至多46%。
美光2650 SSD规格如下：
点评：
美光新276层B68S闪存的量产，带动了原厂下一代NAND的激烈竞争，包括设备和资本的投入。
值得敬佩的是，美光新品NAND发布，SSD也同步发布。体现了美光产品发布节奏的加快，和NAND Ready&SSD Ready的策略。
B68S接口速度提升到3.6 GT/s，更适合Gen5消费级SSD，期待基于B68S的Gen5消费级SSD新品发布。
新的B68S NAND各项性能更高，密度更密，未来拥有更好的成本、性能、能耗优势。
NAND从当前最新的232层过渡到下一代，未来NAND市场竞争将会加剧，包括NAND产能和盈利。
来源：
G9 NAND | Micron Technology Inc.
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