最近，国内存储器行业发布了一则不那么起眼的消息：新存科技发布了新型存储器NM101。小编认为这是应该值得关注的事件。
NM101是新存科技第一款大容量新型存储器芯片，于2024年9月发布。单颗芯片容量为64Gb，最高速度可达3200MT/s。NM101可搭配业界合作伙伴的控制芯片，应用于企业级或消费级高性能存储产品的开发。
可以看到NM101采用SLC存储单元类型，最高IO 速度（I/O 接口速率）3200MT/s，总线位宽为×8，IO为1.2V，支持0℃~+70℃运行温度。小编推断IO接口规范按照JEDEC ONFI协议来设计。
新存科技表示NM101基于新型材料电阻变化原理，支持随机读写，相比同类产品读写速度均可提升10倍以上、寿命也可增加5倍。另据《湖北日报》报道，新存科技的 NM101芯片属于相变存储器（PCM，Phase Change Memory），这点与英特尔、美光合作开发的3D XPoint相似，读者自行脑补确认到底属于何种新型介质。
访问新存科技网站，这家公司对几乎所有的新存储介质都有介绍。
根据小编经验，这种新型介质可搭配业界合作伙伴的控制芯片，应用于企业级或消费级高性能存储产品的开发，例如类似Intel Optane SCM（Storage class memory）等产品开发，当Intel 3DX介质停止开发和停产后，这无疑给了存储行业新的介质选择。
NM101最终如何，一方面取决于其产品的性能和质量，另一方面取决于新型存储器介质生态的应用和发展，简单来说，需要找到合适的应用场景来使新型存储器规模化量产，达到用户可接受的价格和应用场景的收益。
