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据日经新闻最新报道，日本领先的逻辑半导体制造商Rapidus昨日宣布，其采购的首台ASML TWINSCAN NXE:3800E光刻机已在北海道千岁市的IIM-1晶圆厂顺利交付并着手安装。这一里程碑事件标志着日本首次引入了用于量产的极紫外（EUV）光刻设备。
ASML的NXE:3800E光刻机是EXE系列中0.33（Low）NA EUV光刻机的最新力作，专为Rapidus的首代2nm量产工艺而设计。这款光刻机与0.55（High）NA EXE平台共享了部分关键组件，并相较于前代NXE:3600D，晶圆吞吐量提升了37.5%。
EUV光刻技术是制造2nm芯片不可或缺的关键技术之一。为庆祝这一历史时刻，Rapidus在新千岁机场的Portom会议厅特别举办了庆祝仪式。Rapidus表示，此次EUV光刻机的引入，对于日本半导体行业而言具有重大意义，标志着EUV光刻技术将首次在日本实现大规模应用。
除了EUV光刻机外，Rapidus还计划在IIM-1工厂部署更多先进的半导体制造辅助设备及全自动材料处理系统，以进一步优化其2nm GAA半导体工艺的制造流程。Rapidus预计将于2025年4月在IIM-1工厂启动试验生产线，并继续推进其名为“快速和统一制造服务”（RUMS）的半导体代工服务建设。
由于EUV系统体积庞大且重量惊人，达到71吨，因此其安装过程将分为四个阶段进行。Rapidus预计，整个安装过程将在本月底前在晶圆厂内完成。
Rapidus由索尼、丰田、NTT、三菱、NEC、铠侠和软银等八家日本知名企业于2022年共同创立，旨在推动日本先进半导体工艺的设计与制造本地化。目前，Rapidus正与IBM紧密合作，计划在2025年春季完成2nm制程芯片的原型开发，并争取在2027年实现量产。相比之下，全球晶圆代工巨头台积电则计划在2025年开始量产2nm芯片。
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