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来源：集邦化合物半导体
12月12日，北京晶格领域半导体有限公司（以下简称：晶格领域）已在顺义建成一条液相法碳化硅（SiC）衬底中试线，6至8英寸小规模产线也已初步建成并投入使用，产线涵盖碳化硅长晶、加工及检测等完整衬底制备工艺环节。
据介绍，为满足产品批量供应需求，晶格领域已开始进行年产27万片碳化硅衬底的规模化产线规划和布局。明年年初，这条今年刚落成的生产线产能有望达到2.5万片。
据悉，液相法技术在衬底产品的扩径上有着独特优势，其生产过程是将固态的原材料放置在高温的环境下，融化成液体，再在液体当中重新结晶，长出碳化硅单晶。
相较目前主流的物理气相传输法，液相法技术具有生长的晶体质量高、缺陷少、成品率高等优势，生长速度可以达到500微米/小时，同时可以实现“零微管”。微管是一种贯穿性伤害，在有微管的地方做芯片相当于废掉了这颗芯片，而利用液相法技术生长的衬底，可以克服微管缺陷。
液相法凭借上述优势吸引了部分碳化硅相关厂商布局这项技术，其中包括设备厂商晶升股份和衬底厂商天岳先进等。
设备方面，今年5月，晶升股份已成功研发出液相法碳化硅晶体生长设备并进入验证阶段。
衬底方面，针对高压大功率电力电子器件用P型碳化硅单晶衬底存在的成本高、电阻率高、缺陷控制难度大等技术难题，天岳先进布局液相法技术，在2023年公布了全球首个8英寸碳化硅晶体，并于2024年推出了采用液相法制备的4度偏角P型碳化硅衬底。
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