在三星公布令人失望的第三季度业绩并发布详尽道歉声明之后，公司正全力推进一项深入的管理诊断（审计），旨在探究其半导体业务，特别是高带宽存储器（HBM）领域竞争力下滑的根源。三星的先进DRAM业务面临挑战，特别是在与英伟达的合作竞争中，被SK海力士和美光凭借第四代和第五代HBM（HBM3/HBM3E）技术超越。这一系列举措标志着三星正寻求扭转当前不利局面的契机。
据透露，三星电子计划在年底进行大规模的人事调整，其中将显著削减半导体部门的高层管理人员数量，并对总裁级别的管理层进行重组。此外，公司还计划提升长期处于亏损状态的半导体代工业务的效率，并对负责未来技术开发的半导体研究所进行结构重组。
10月9日，半导体行业内部人士透露，三星电子在副董事长、设备解决方案（DS）部门负责人全永铉的带领下，已开始着手恢复半导体业务的竞争力。全永铉自去年5月被任命为三星芯片业务的“救火队长”以来，一直承担着提升技术竞争力、准备未来挑战以及塑造积极组织文化的重任。然而，在10月8日公布的第三季度临时业绩中，三星未能达到预期目标，全永铉也随之发布了一份反思声明，表达了对实施以改进为核心的“腾飞计划”的决心。
为了找出三星在半导体“三巨头”（三星电子、SK海力士、美光）中唯一无法向英伟达供应HBM3E的原因，三星已开始对其尖端存储半导体业务进行全面的管理评估。此外，公司还计划通过管理诊断来恢复HBM以及DDR5等通用DRAM产品的竞争力，这些产品的竞争力近期也受到了质疑。
特别是DDR5 DRAM和第五代10nm DRAM“D1B”等最新标准产品，它们在决定服务器DRAM和电子设备中独立运行的人工智能（AI）DRAM的竞争力方面起着关键作用。因此，这些产品也将在管理诊断过程中接受改革。
一位半导体行业官员表示：“三星的DRAM竞争力已经下降到需要进行高强度审查的地步……现在急需一个转机。”为了改变这一局面，三星电子还计划通过大规模的人事变动来重塑组织氛围。据称，公司正在考虑在年底的人事调整中大幅削减DS部门的高层管理人员数量。截至今年第二季度，三星电子DS部门的高管人数占到了高管总数的38%，远超SK海力士的两倍。
这一高层管理人员数量的膨胀主要源于2017年和2018年半导体行业的超级繁荣期，以及公司在发展系统半导体业务时聘用了大量代工厂和无晶圆厂高管。尽管在2022年和2023年三星的半导体竞争力开始受到质疑，但公司并未进行显著的高管裁员。然而，在内部和外部批评声音不断呼吁减少高管人数以提高组织效率的背景下，三星终于决定采取行动。预计年底的人事变动将涉及五位总裁级别的管理层成员，包括DS事业部下属的存储器、代工、系统LSI等三个事业部的负责人以及首席技术官兼制造和技术经理。
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