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今日热点
1. SK海力士提前供应HBM4 2. 三星电子击败台积电 3. 国产DRAM巨头产能大幅提升 4. 台积电拒绝代工三星Exynos处理器 5. 美国扩大芯片出口管制 6. 韩国NAND Flash出口量下滑13.1%
今日热点
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SK海力士提前供应HBM4
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SK海力士提前供应HBM4
知情人士透露，SK海力士最早将于今年6月向英伟达发货HBM4首个样品。
预计产品最早将于第三季度末开始供应。
此前披露的送样时间是下半年，现在已从下半年提前到6月。
SK海力士正在抓紧准备量产，以主导下一代HBM市场。
HBM4预计最早将于明年下半年开始量产。
英伟达原本计划是在2026年的下一代GPU“Rubin”系列中搭载12层堆叠HBM4。
但目前正在加速推进该计划，目标是在今年下半年推出。
相应地，SK海力士也在加快HBM4的研发。其已在去年第四季度完成了HBM4的流片。
知情人士表示，“英伟达对于Rubin的首次发布比预期更急切，所以将测试量产推迟到今年下半年。”
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三星电子击败台积电
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最新数据显示，2024年三星电子成为美国专利商标局注册专利最多的公司。
连续三年位居第一，巨头台积电只能排后，位居第二。
全球专利分析公司表示，三星电子2024年在美国专利商标局共注册了6377项专利，同比增加了3.4%。
位居第二的台积电，登记数量为3989起。
台积电较上年上升一位，首次超越高通（第三名）。
同期，苹果上升3位至第4位，中国华为上升6位至第5位。
其中，华为的专利注册数量从2023年的2068件增加到2024年的3046件，增长了47.2%。
继三星电子之后，SK 海力士以654例排名第41位，以654例排名第49位。
注册最多的专利是电子数字数据处理和数字信息传输领域的。
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国产DRAM巨头产能大幅提升
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合肥的DRAM巨头持续扩产下，市占率成长快速。
2019年这家企业首度量产10nm级G1制程，2022年进入G3制程量产。
2024年其第四季末总产能约21万片，G3约占二分之一、G2及以下约占二分之一。
该公司已计划扩产，预计2025年将扩产约9万片的G4制程。
新增产能分别为北京二厂4万片、合肥二厂5万片，主要用于生产LPDDR5及DDR5，合计投片占比约达30%。
这家大陆DRAM巨头扩产后，2025年第四季度在成熟产能供给端占比，将会超过50％。
分析师认为，这家企业对LPDDR5市场价格杀伤力，将自2025年下半年发酵，并于2026年上半年达到高峰。
恐对三星、SK海力士、美光三大厂形成压力。
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台积电拒绝代工三星Exynos处理器
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因尖端制程的良率过低，三星System LSI部门自研的Exynos处理器无法按时量产商用。
为解决这一问题，三星考虑将Exynos处理器外包生产。
目前只有台积电、三星和英特尔三家企业具有尖端制程工艺代工的能力。
对于三星来说，System LSI部门可选的伙伴只能是台积电。
最新消息显示，台积电拒绝代工三星Exynos处理器。
理由是台积电怕泄密。
台积电3nm制程的工艺良率已经超过了80%，2nm的良率也达到了60%。
如果让台积电代工Exynos处理器，三星可能会获取台积电的商业秘密。
借机了解台积电把尖端工艺制程做到高良率的方法。
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美国扩大芯片出口管制
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消息人士称，该规定预计最早将于今日发布。
规定将要求三星电子、台积电、英特尔等半导体制造商，更仔细地审查他们的客户并加强尽职调查。
该法规草案包括有关14nm或16nm以下半导体的规定，这些制程的半导体受到全面管控，需要美国政府许可才能向中国和其他国家出售。
而且，拜登政府还在不断升级对人工智能领域的管制，不仅严管AI芯片出口，甚至连AI大模型都要管制。
昨夜，美国又拉黑了25家中国企业，包括渠梁电子、科益虹源、算能科技、智谱及其子公司等。
智谱已发声明回应，认为“这一决定缺乏事实依据”，并称“鉴于智谱掌握全链路大模型核心技术的事实，被列入实体清单不会对公司业务产生实质影响”。
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韩国NAND Flash出口量下滑13.1%
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去年第四季度，韩国NAND闪存出口出现明显下滑，同比下降13.1%。
据韩国关税局数据显示，第四季度韩国NAND闪存出口额为15.3236亿美元，而2022年第四季度为17.6384亿美元。
去年第一季度表现出良好的增长势头，出口额比去年同期增长71%。
然而，从第二季度开始，出口额开始下降，导致第三季度和第四季度数据停滞不前。
128Gb通用NAND闪存的固定交易价格也大幅下降，从去年1月的4.72美元降至12月的2.08美元。
此次降价归因于来自铠侠、美光科技和西部数据以及中国存储公司的激烈价格竞争。
出口下滑正促使三星电子和 SK海力士考虑减产 NAND。
美光科技在去年第四季度也宣布，减少NAND晶圆投入10%左右。
