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1月23日，SK海力士公布了2024年的财报，对于接下来的全球存储市场透露了最新的看法和预测。
去年利润23.5万亿韩元，大幅超过三星电子半导体部门同期15万亿韩元的利润预期。
去年第4季度销售额大增74.8%，营业利润大增2235.8%。
高价值需求的两极分化，预计将进一步增强SK海力士在HBM市场的主导地位。
2025年的业绩有望创下历史新高。
业绩爆了，因此SK海力士连续两天给员工发放奖金。
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1月23日发放去年下半年150%的生产率奖励金（每半年达到目标生产量时给予的奖励）。
1月24日发放去年的绩效奖金，包括1000%的利润分成和500%的特别绩效奖金。
去年第四季度非营业利润1.5万亿韩元
旗下子公司SK海力士System IC持有100%股权的System IC无锡分公司，已经完成转制为合资公司的程序，在股权处置过程中，有1.3万亿韩元被反映为营业外收入。
1月23日，SK海力士公布了2024年的财报，对于接下来的全球存储市场透露了最新的看法和预测。
去年利润23.5万亿韩元，大幅超过三星电子半导体部门同期15万亿韩元的利润预期。
去年第4季度销售额大增74.8%，营业利润大增2235.8%。
高价值需求的两极分化，预计将进一步增强SK海力士在HBM市场的主导地位。
2025年的业绩有望创下历史新高。
业绩爆了，因此SK海力士连续两天给员工发放奖金。
1月23日发放去年下半年150%的生产率奖励金（每半年达到目标生产量时给予的奖励）。
1月24日发放去年的绩效奖金，包括1000%的利润分成和500%的特别绩效奖金。
去年第四季度非营业利润1.5万亿韩元
旗下子公司SK海力士System IC持有100%股权的System IC无锡分公司，已经完成转制为合资公司的程序，在股权处置过程中，有1.3万亿韩元被反映为营业外收入。
去年11月铠侠上市时，铠侠相关资产按照股票收盘价进行评估，导致评估损失约2000亿韩元。
受汇率上升影响，外汇相关净收入达到约6000亿韩元，使营业外损益达到1.5万亿韩元。
去年HBM收入增长了4.5倍
为满足第五代高带宽存储器（HBM3E）的需求，继8层产品之后，又在业界首次供应12层HBM3E产品。
去年HBM年销量比2023年增长了4.5倍以上。
随着HBM3E 12层开始出货，目前占据了整体DRAM销售额的40%。
尽管传统DRAM产品价格下跌，但由于HBM等高价值产品的销售扩大，平均销售价格上涨了10%。
今年HBM收入将增长100%以上
今年HBM销售额预计将比2024年增长100%以上。
由于基于专用集成电路（ASIC）的客户需求也大幅增加，我们相信客户群也将扩大。
目前HBM3E 12层供应进展顺利，预计将占今年上半年出货量的一半以上。
今年下半年供应HBM4 16层产品
HBM4产品预计将采用技术稳定性得到验证的1b DRAM，计划今年下半年全面量产。
HBM4将从12层产品开始供货，16层产品也将根据客户要求，今年下半年开始供货。
目前用于HBM3E的封装技术，即先进MR-MUF也有望应用于16层产品。
去年企业级SSD销量激增300%
去年eSSD的销售额增长了300%，特别是基于QLC的大容量SSD产品的开发，使NAND业务的营收和盈利能力呈现出了稳健的趋势。
我们通过以差异化产品竞争力为基础的盈利能力为中心的经营，建立了稳定的财务状况，并在此基础上持续提升业绩。
DRAM市场因供应增加而疲软
中国DRAM供应增加正在影响DDR4 DRAM的价格，因此，预计今年一般DRAM的价格暂时仍将维持疲软态势。
从下半年开始，随着人工智能PC和智能手机中高性能DRAM的安装增加，预计这不会对整体供需产生重大影响。
预计一般DRAM市场将经历一个逐步调整的时期。
削减DDR4、LPDDR4产量，转向高价值产品
与HBM和DDR5不同，DDR4和LPDDR4等传统半导体产品的需求将加速下滑。
将减少DDR4和LPDDR4的产量，以增强库存健康，从而专注于具有市场主导地位的DDR5等高价值产品的竞争。
DDR4和LPDDR4等传统芯片的收入份额，预计将从2024年的20%左右大幅下降到2025年的个位数。
中国DDR5技术上存在明显差异
去年下半年以来，中国DRAM供应商扩大DDR4 DRAM供给，导致传统产品价格下降。
最近又讨论DDR5的开发和销售，对DDR5带来的影响存在担忧。
不过，三大原厂采用的前沿工艺与中国厂商存在明显差异，DDR5的质量和性能肯定会有差异。
随着制裁力度加大的趋势持续，中国厂商在前沿工艺研发过程中将面临更多不确定性。
10nm第六代DRAM产量超额完成目标
SK海力士已经确保了10纳米级第六代（1c）DRAM的生产能力，计划从下半年开始进行量产，并将应用于通用DRAM。
在开发阶段已经超出了最初量产的产量目标，相信随着产量的提高，成本将大幅降低，1c DRAM将应用于HBM4E，以保持市场领先地位。
第一季度DRAM出货量将下降10%
预计今年第一季度DRAM出货量将下降10%左右，NAND出货量预计将下降10%左右。
随着HBM需求的增加，客户群也将扩大，HBM在DRAM营收中的占比预计将达到50%左右。
升级周期中服务器DRAM需求强劲
客户的投资正在持续，以确保高性能计算基础设施的建设，对AI服务器的需求仍然强劲，对通用服务器的投资也在持续，因此预计今年对服务器DRAM的需求将与去年一样强劲。
鉴于人工智能服务器所需的高要求，今年也是通用服务器的更换周期，预计更换需求将大幅增加。
考虑到支持DDR5 DRAM的CPU今年将开始量产，服务器对DDR5的需求可能会保持强劲。
NAND需求放缓，维持以盈利为核心的运营
NAND闪存受现有应用需求放缓的影响比一般DRAM更为显著。
尽管部分厂商已宣布减产，但SK海力士今年仍计划维持以盈利为中心的业务运营，延续2023年开始的弹性投资和生产趋势。
与上次市场低迷相比，NAND闪存预计将经历一段更为温和的调整期。
由于供给和需求的改善都很重要，因此预计市场复苏的步伐将取决于一般应用的需求。
